RU178761U1 - GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED ON AMPLITUDE OF OSCILLATIONS - Google Patents

GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED ON AMPLITUDE OF OSCILLATIONS Download PDF

Info

Publication number
RU178761U1
RU178761U1 RU2017143249U RU2017143249U RU178761U1 RU 178761 U1 RU178761 U1 RU 178761U1 RU 2017143249 U RU2017143249 U RU 2017143249U RU 2017143249 U RU2017143249 U RU 2017143249U RU 178761 U1 RU178761 U1 RU 178761U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
generator
capacitor
input
nmos transistor
Prior art date
Application number
RU2017143249U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Иванович Мушта
Евгений Николаевич Бормонтов
Александр Владимирович Шунулин
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ")
Priority to RU2017143249U priority Critical patent/RU178761U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU178761U1 publication Critical patent/RU178761U1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к области радиотехники, в частности к схемам для генерирования электрических импульсов с использованием логических схем, и может быть использована в радиопередающих устройствах, в измерительной технике. Генератор на КМОП транзисторах ультравысоких манипулированных по амплитуде колебаний, содержащий внешний генератор управляющих прямоугольных импульсов, конденсаторы постоянных емкостей С, C1, С2, С3, выполненные на КМОП транзисторах с индуцированными каналами логические элементы: два элемента НЕ и элемент 2ИЛИ-НЕ, выход которого соединен с первым выводом конденсатора С1 и входом первого элемента НЕ, выход первого элемента НЕ соединен с первым выводом конденсатора С2 и входом второго элемента НЕ, выход второго элемента НЕ соединен с первыми выводами конденсатора С3 и разделительного конденсатора С, вторые выводы конденсаторов C1, С2, С3 соединены с общей шиной источника питания устройства, второй вывод конденсатора Сявляется выходом заявленного генератора, отличающийся тем, что дополнительно содержит nМОП транзистор с индуцированным каналом, при этом выход второго элемента НЕ соединен также со стоком nМОП транзистора, исток nМОП транзистора соединен со вторым входом элементом 2ИЛИ-НЕ, потенциальный выход генератора присоединен к затвору nМОП транзистора, а первый вход элемента 2ИЛИ-НЕ и подложка nМОП транзистора соединены с общей шиной источника питания устройства. Технический результат заключается в расширении арсенала технических средств формирования ультравысоких манипулированных по амплитуде колебаний.The utility model relates to the field of radio engineering, in particular to circuits for generating electrical pulses using logic circuits, and can be used in radio transmitting devices, in measuring equipment. Generator on CMOS transistors of ultra-high amplitude-manipulated oscillations, containing an external generator of control rectangular pulses, capacitors of constant capacitors C, C1, C2, C3, made on CMOS transistors with induced channels, logical elements: two elements NOT and element 2 OR-NOT, the output of which is connected with the first output of capacitor C1 and the input of the first element NOT, the output of the first element is NOT connected to the first output of the capacitor C2 and the input of the second element NOT, the output of the second element is NOT connected to the first the terminals of the capacitor C3 and the isolation capacitor C, the second terminals of the capacitors C1, C2, C3 are connected to the common bus of the device power supply, the second terminal of the capacitor is the output of the claimed generator, characterized in that it additionally contains an nMOS transistor with an induced channel, while the output of the second element is NOT is also connected to the drain of the nMOS transistor, the source of the nMOS transistor is connected to the second input by a 2NOR element, the potential output of the generator is connected to the gate of the nMOS transistor, and the first input is This 2OR-NOT and the nMOS transistor substrate are connected to the device’s common power supply bus. The technical result consists in expanding the arsenal of technical means of forming ultra-high amplitude-manipulated oscillations.

Description

Полезная модель относится к области радиотехники, в частности к схемам для генерирования электрических импульсов с использованием логических схем, и может быть использована в радиопередающих устройствах, в измерительной технике.The utility model relates to the field of radio engineering, in particular to circuits for generating electrical pulses using logic circuits, and can be used in radio transmitting devices, in measuring equipment.

Ультравысокие радиочастоты занимают диапазон 0.3-3.0 (ГГц) [Словарь радиолюбителя. Под редакцией Л.П. Крайзмера и В.П. Сочивко / Издание пятое, переработанное и дополненное. Ленинград «Энергия», Ленинградское отделение. 1979. - 398 с.]Ultra-high radio frequencies occupy the range 0.3-3.0 (GHz) [Dictionary of amateur radio. Edited by L.P. Kraismera and V.P. Sochivko / Fifth Edition, revised and supplemented. Leningrad "Energy", Leningrad branch. 1979. - 398 p.]

Прототипом заявляемого генератора является генератор амплитудно-манипулированных гармонических сигналов на КМОП транзисторах по патенту РФ 158709 [МПК H03K 3/027, опубл. 20.01.2016 г.]. Его структурная схема на фиг. 1. Он содержит внешний генератор 1, логический элемент ИЛИ-НЕ 2, два элемента НЕ 3-4, четыре конденсатора постоянных емкостей 5-8.The prototype of the inventive generator is a generator of amplitude-manipulated harmonic signals on CMOS transistors according to the patent of the Russian Federation 158709 [IPC H03K 3/027, publ. 01/20/2016]. Its block diagram in FIG. 1. It contains an external generator 1, a logical element OR-NOT 2, two elements NOT 3-4, four capacitors of constant capacities 5-8.

Целью заявленного технического решения является разработка конструкции генератора на КМОП транзисторах ультравысоких амплитудно-манипулированных колебаний.The purpose of the claimed technical solution is to develop a generator design on CMOS transistors of ultrahigh amplitude-manipulated oscillations.

Технический результат заключается в расширении арсенала технических средств формирования ультравысоких манипулированных по амплитуде колебаний.The technical result consists in expanding the arsenal of technical means of forming ultra-high amplitude-manipulated oscillations.

Технический результат достигается тем, что генератор на КМОП транзисторах ультравысоких манипулированных по амплитуде колебаний, включающий внешний генератор управляющих прямоугольных импульсов, конденсаторы постоянных емкостей Сразд, C1, С2, С3, выполненные на КМОП транзисторах с индуцированными каналами логические элементы (ЛЭ): два элемента НЕ и элемент 2ИЛИ-НЕ, выход которого соединен с первым выводом конденсатора С1 и входом первого элемента НЕ, выход первого элемента НЕ соединен с первым выводом конденсатора С2 и входом второго элемента НЕ, выход второго элемента НЕ соединен с первыми выводами конденсатора С3 и разделительного конденсатора Сразд, вторые выводы конденсаторов C1, С2, С3 соединены с общей шиной источника питания устройства, второй вывод конденсатора Сразд является выходом заявленного генератора, согласно полезной модели, дополнительно содержит nМОП транзистор с индуцированным каналом, при этом выход второго элемента НЕ соединен также со стоком nМОП транзистора, исток nМОП транзистора соединен со вторым входом элементом 2ИЛИ-НЕ, потенциальный выход генератора присоединен к затвору nМОП транзистора, а первый вход элемента 2ИЛИ-НЕ и подложка nМОП транзистора соединены с общей шиной источника питания устройства.The technical result is achieved by the fact that the generator on CMOS transistors of ultrahigh-amplitude-manipulated oscillations, including an external generator of control rectangular pulses, capacitors of constant capacitances C div , C1, C2, C3, made on CMOS transistors with induced channels logic elements (LE): two elements NOT and element 2 OR NOT, whose output is connected to the first output of capacitor C1 and the input of the first element is NOT, the output of the first element is NOT connected to the first output of capacitor C2 and the input of the second ele cient NOT, the second element output is coupled to the first terminals of capacitor C3 and capacitor C section, the second terminals C1 capacitors C2, C3 are connected to the common bus device power source, a second terminal of the capacitor C section is an output of the claimed generator, according to the utility model, further contains an n-MOS transistor with an induced channel, while the output of the second element is NOT connected to the drain of the n-MOS transistor either; the source of the n-MOS transistor is connected to the second input by an OR-NOT element, the potential output is The heatsink is connected to the gate of the nMOS transistor, and the first input of the 2OR-NOT element and the substrate of the nMOS transistor are connected to the common bus of the device’s power source.

Заявленный генератор приведен на фиг. 2.The claimed generator is shown in FIG. 2.

На фиг. 3 приведен вид элемента 2ИЛИ-НЕ в заявленном генераторе, содержащего первый 18 и второй 19 входы элемента соответственно, выход 20 элемента, вывод соединения с потенциальным выходом источника питания устройства 21.In FIG. Figure 3 shows the view of the element 2 OR NOT in the inventive generator containing the first 18 and second 19 inputs of the element, respectively, the output of the element 20, the connection output to the potential output of the power source of the device 21.

На фиг. 4 приведен вид (а) первого элемента НЕ и (б) второго элемента НЕ, содержащих входы 22 и 23, выходы 24 и 25, выводы 26 и 27 соединения с потенциальным выходом источника питания устройства к первому и второму элементам НЕ соответственно.In FIG. Figure 4 shows the form (a) of the first element NOT and (b) of the second element NOT containing inputs 22 and 23, outputs 24 and 25, conclusions 26 and 27 of the connection with the potential output of the device’s power source to the first and second elements NOT, respectively.

Заявленный генератор содержит генератор 9, выполненные на КМОП транзисторах с индуцированными каналами элементы: 2ИЛИ-НЕ 10, первый элемент НЕ 11 и второй элемент НЕ 12, конденсаторы 13-16 постоянных емкостей Сразд, C1, С2, С3, выход ЛЭ 2ИЛИ-НЕ 10 соединен с первым выводом конденсатора 14 и входом первого элемента НЕ 11, выход первого элемента НЕ 11 соединен с первым выводом конденсатора 15 и входом второго элемента НЕ 12, выход второго элемента НЕ 12 соединен с первыми выводами конденсатора 16 и разделительного конденсатора 13, вторые выводы конденсаторов 14-16 соединены с общей шиной источника питания устройства, второй вывод конденсатора 13 является выходом заявленного генератора, затвор nМОП транзистора 17 и первый вход элемента 2ИЛИ-НЕ 10 соединен с общей шиной источника питания устройства, выход второго элемента НЕ 12 соединен также со стоком nМОП транзистора 17, исток nМОП транзистора соединен с вторым входом элементом 2ИЛИ-НЕ 12, подложка nМОП транзистора соединена с общей шиной источника питания устройства, потенциальный выход генератора 9 присоединен к затвору nМОП транзистора 17.The claimed generator contains a generator 9, elements made on CMOS transistors with induced channels: 2OR-NOT 10, the first element NOT 11 and the second element NOT 12, capacitors 13-16 constant capacitances C div , C1, C2, C3, output LE 2OR-NOT 10 is connected to the first output of the capacitor 14 and the input of the first element HE 11, the output of the first element HE 11 is connected to the first output of the capacitor 15 and the input of the second HE 12, the output of the second HE 12 is connected to the first terminals of the capacitor 16 and the separation capacitor 13, the second conclusions capacitors 14-1 6 are connected to the common bus of the device’s power source, the second output of the capacitor 13 is the output of the claimed generator, the gate of the nMOS transistor 17 and the first input of the 2OR-NOT 10 element are connected to the common bus of the device’s power supply, the output of the second element NOT 12 is also connected to the drain of the nMOS transistor 17 , the source of the n-MOS transistor is connected to the second input by an element 2 OR NOT 12, the substrate of the n-MOS transistor is connected to the common bus of the device power supply, the potential output of the generator 9 is connected to the gate of the n-MOS transistor 17.

Заявленный генератор работает следующим образом.The claimed generator operates as follows.

Сначала рассмотрим процесс генерации на КМОП транзисторах ультравысоких не манипулированных по амплитуде колебаний, после чего - механизм осуществления амплитудной манипуляции генерируемых колебаний.First, we consider the process of generating CMOS transistors of ultrahigh oscillations that are not manipulated by amplitude, and then the mechanism for performing amplitude manipulation of generated oscillations.

На фиг. 5 приведена структурная схема «вспомогательного» генератора на КМОП транзисторах с индуцированными каналами не манипулированных по амплитуде ультравысоких колебаний. На выходе «вспомогательного» генератора обнаружено ультравысокое колебание. В частности, если напряжение источника питания равно 5 В, длина канала КМОП транзисторов l=0.18 мкм, ширина канала w=0.22 мкм; С1=0.1 пФ, С2=0.8 пФ, С3=2.4 пФ, то частота ультравысоких колебаний обнаруженной генерации составляет 874.1459 МГц, напряжение на выходе - 0.65 В (фиг. 6).In FIG. Figure 5 shows the structural diagram of the "auxiliary" generator on CMOS transistors with induced channels not manipulated by the amplitude of ultrahigh vibrations. An ultra-high oscillation was detected at the output of the “auxiliary” generator. In particular, if the voltage of the power source is 5 V, the channel length of the CMOS transistors l = 0.18 μm, the channel width w = 0.22 μm; C1 = 0.1 pF, C2 = 0.8 pF, C3 = 2.4 pF, the ultrahigh frequency of the detected generation is 874.1459 MHz, the output voltage is 0.65 V (Fig. 6).

Отметим, что частоту генерации можно варьировать путем изменения величины емкости хотя бы одного из конденсаторов C1, С2, С3. Итак, после подведения напряжения источника питания к транзисторам логических элементов на выходе второго элемента НЕ 12 имеет место ультравысокое колебание. Сгенерированное ультравысокое электрическое колебание, достигнув выхода второго элемента НЕ, попадает на вход цепи положительной обратной связи, состоящей из входного сопротивления nМОП транзистора Q4 (фиг. 3) второго входа 19 логического элемента 2ИЛИ-НЕ 10. Цепь положительной обратной связи реализует выполнение баланса фаз и баланса амплитуд в «вспомогательном» генераторе. Это обеспечивает стационарный режим генерации ультравысоких колебаний. При этом отсутствует любая манипуляция или какое-либо друге изменение параметров генерируемых колебаний. За генерацию ультравысоких колебаний непосредственно несут ответственность три конденсатора 14-16 и три логических элемента 10-12. Включение источника питания вызывает рост напряженности электрического поля (Ei>0) в канале nМОП транзистора Q1 с заземленным затвором элемента 2ИЛИ-НЕ 10. Возможно, определенное значение напряженности электрического поля порождает в объеме полупроводникового материала с электропроводностью n-типа канала nМОП транзистора Q1 с индуцированным каналом механизм преобразования энергии источника питания в энергию переменных электрических колебаний.Note that the generation frequency can be varied by changing the capacitance of at least one of the capacitors C1, C2, C3. So, after summing the voltage of the power source to the transistors of the logic elements at the output of the second element NOT 12, an ultra-high oscillation takes place. The generated ultrahigh electrical oscillation, reaching the output of the second element NOT, goes to the input of the positive feedback circuit, consisting of the input resistance nMOS of the transistor Q4 (Fig. 3) of the second input 19 of the logic element 2 OR NOT 10. The positive feedback circuit implements the phase balance and amplitude balance in the "auxiliary" generator. This provides a stationary mode for generating ultrahigh vibrations. Moreover, there is no any manipulation or any other change in the parameters of the generated oscillations. Three capacitors 14-16 and three logic elements 10-12 are directly responsible for the generation of ultra-high oscillations. Turning on the power source causes an increase in the electric field strength (E i > 0) in the nMOS channel of transistor Q1 with a gated gate of element 2 OR NOT 10. Perhaps a certain value of the electric field strength generates in the volume of a semiconductor material with n-type electrical conductivity the channel of the nMOS transistor Q1 with induced channel mechanism for converting the energy of a power source into the energy of alternating electrical vibrations.

Обратимся к генератору (фиг. 2). Пусть напряжение на выходе генератора управляющих прямоугольных импульсов 9 не изменяется. Сгенерированное ультравысокое электрическое колебание, достигнув выхода второго элемента НЕ 12, попадает на вход цепи положительной обратной связи, состоящей из входного сопротивления nМОП транзистора Q4 второго входа логического элемента 2ИЛИ-НЕ 10 и эквивалентного сопротивления Zэкв, которое образуют элементы nМОП транзистора (Q10) 17: Сзат - емкость затвора, Сзс - емкость затвор-сток, Ri - внутреннее сопротивление, Сси - емкость сток-исток, а также выходная емкость Свых генератора прямоугольных управляющих импульсов 9. Цепь положительной обратной связи обеспечивает выполнение баланса фаз и баланса амплитуд в генераторе (фиг. 2). В нем реализуется стационарный режим генерации ультравысоких не манипулированных по частоте колебаний.We turn to the generator (Fig. 2). Let the voltage at the output of the generator of control rectangular pulses 9 not change. The generated ultrahigh electrical oscillation, reaching the output of the second element HE 12, goes to the input of the positive feedback circuit, consisting of the input resistance nMOS transistor Q4 of the second input of the logic element 2OR-NOT 10 and the equivalent resistance Z equiv , which form the elements of the nMOS transistor (Q10) 17 : C, tightened - the gate capacitance C gc - gate-drain capacitance, R i - internal resistance, C B - the drain-source capacitance and the output capacitance C O rectangular generator circuit 9. The control pulses of positive atnoy connection provides the phase balance and the amplitude balance of the generator (Fig. 2). It implements a stationary mode of generation of ultra-high oscillations not manipulated in frequency.

Механизм амплитудной манипуляции генерируемых на КМОП транзисторах ультравысоких следующий. Под действием перепадов 1→0, 0→1 управляющего напряжения генератора прямоугольных импульсов 9, приложенного к затвору nМОП транзистора Q10 17 с индуцированным каналом, сопротивление канала указанного транзистора резко изменяется в зависимости от величины управляющего напряжения генератора 9. Сопротивление nМОП транзистора Q10 17 с индуцированным каналом в зависимости от управляющего напряжения может принимать два значения: RVT=Rнас→0, если генератор включен, и RVT=Rзап→∞, если выключен» [Опадчий Ю.Ф., стр. 410. Аналоговая и цифровая электроника. / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров. Под ред. О.П. Глудкина. - М.: Радио и связь. 1996. - 768 с.]. В частности, при поступлении на затвор nМОП транзистора Q10 17 напряжения, равного уровню логического нуля, RVT=Rзап→∞. Поэтому сигнал с выхода второго элемента НЕ 12 не поступает на второй вход элемента 2ИЛИ-НЕ 10. Генерация ультравысоких гармонических колебаний прекращается. При поступлении на затвор nМОП транзистора Q10 (10) с индуцированным каналом напряжения, равного уровню логической единицы, RVT=Rнас→0. Поэтому сигнал с выхода второго элемента НЕ 12 практически без задержки поступает на второй вход элемента 2ИЛИ-НЕ 10. Генерация ультравысоких колебаний имеет место. При воздействии перепадов 1→0, 0→1 напряжения управляющего генератора 9 на затвор транзистора с индуцированным каналом n-типа Q10 17. Заявленный генератор генерирует манипулированную по амплитуде последовательность ультравысоких колебаний.The mechanism of amplitude manipulation of ultra-high transistors generated by CMOS is as follows. Under the influence of drops 1 → 0, 0 → 1 of the control voltage of the rectangular pulse generator 9, applied to the gate of the nMOS transistor Q10 17 with an induced channel, the channel resistance of the indicated transistor changes sharply depending on the value of the control voltage of the generator 9. The resistance of the nMOS transistor Q10 17 with the induced channel depending on the control voltage may take two values: R VT = R → 0 we if the generator is turned on, and R VT = R app → ∞, if off "[Opadchiy YF, page 410. The analog and digital electronics. . / Yu.F. Opadchiy, O.P. Gludkin, A.I. Gurov. Ed. O.P. Gludkina. - M .: Radio and communication. 1996. - 768 p.]. In particular, when a voltage equal to the level of logical zero arrives at the gate of the nMOS transistor Q10 17, R VT = R zap → ∞. Therefore, the signal from the output of the second element NOT 12 does not go to the second input of the element 2 OR NOT 10. The generation of ultra-high harmonic oscillations ceases. When the nMOS transistor Q10 (10) arrives at the gate with an induced voltage channel equal to the level of a logical unit, R VT = R us → 0. Therefore, the signal from the output of the second element HE 12 almost without delay arrives at the second input of the element 2 OR NOT 10. Generation of ultra-high vibrations takes place. Under the influence of drops 1 → 0, 0 → 1 of the voltage of the control oscillator 9 on the gate of the transistor with an induced channel of n-type Q10 17. The claimed generator generates an amplitude-manipulated sequence of ultra-high oscillations.

Итак, генератор 9 выполнен таким образом, что его выходная импульсная последовательность прямоугольных импульсов характеризуется скачкообразными изменениями, перепадами 0→1 и 1→0 с целью обеспечения скачкообразных изменений, перепадов сопротивления nМОП транзистора с индуцированным каналом Q10 17 RVT=Rнас→0, если генератор включен, и RVT=Rзап→∞, если выключен, соответственно для обеспечения амплитудной манипуляции вырабатываемой генератором последовательности ультравысоких колебаний. Таким образом, заявленный генератор формирует на своем выходе ультравысокие манипулированные по амплитуде колебания.So, the generator 9 is designed in such a way that its output pulse sequence of rectangular pulses is characterized by step-like changes, drops 0 → 1 and 1 → 0 in order to provide step-by-step changes, resistance drops nMOS transistor with induced channel Q10 17 R VT = R us → 0, if the generator is turned on, and R VT = R app → ∞, if turned off, respectively, to ensure amplitude manipulation of the sequence of ultra-high oscillations generated by the generator. Thus, the claimed generator generates at its output ultra-high amplitude-manipulated oscillations.

Проведено моделирование заявленного генератора.The simulation of the claimed generator.

Пример 1. Параметры КМОП транзисторов элемента 2ИЛИ-НЕ, первого элемента НЕ, второго элемента НЕ, nМОП транзистора Q10: длина канала L=0.18u, ширина канала w=0.22u; источник питания VCC 5 В; номиналы конденсаторов: С1=0.1 pF, С2=0.2 pF, С3=0.3 pF; параметры генератора прямоугольных манипулирующих импульсов: частота f=100 кГц, напряжение U0=3 В. На фиг. 7а приведены прямоугольный управляющий сигнал и выходной манипулированный по амплитуде ультравысокий сигнал заявленного генератора. Ультравысокие выходные колебания имеют место только при поступлении на затвор nМОП транзистора Q10 напряжения, равного уровню логической единицы. Частота ультравысоких колебаний (фиг. 7а, 7b, 7с) составила 1.9459 ГГц, выходное напряжение - 1.35 В.Example 1. The parameters of the CMOS transistors of the element 2 OR NOT, the first element NOT, the second element NOT, nMOS transistor Q10: channel length L = 0.18u, channel width w = 0.22u; VCC 5V power supply; capacitor ratings: C1 = 0.1 pF, C2 = 0.2 pF, C3 = 0.3 pF; parameters of the generator of rectangular manipulating pulses: frequency f = 100 kHz, voltage U 0 = 3 V. FIG. 7a shows a rectangular control signal and an output manipulated by amplitude ultra-high signal of the claimed generator. Ultra-high output oscillations occur only when a voltage equal to the level of a logical unit arrives at the gate of the nMOS transistor Q10. The frequency of ultra-high oscillations (Fig. 7a, 7b, 7c) was 1.9459 GHz, the output voltage was 1.35 V.

Пример 2. По сравнению с примером 1 изменены величины конденсаторов: С2=0.8 pF, С3=2.0 pF. Частота ультравысоких колебаний (фиг. 8а, 8b, 8с) составила 711.422 МГц, выходное напряжение - 0.66 В.Example 2. Compared to example 1, the capacitors were changed: C2 = 0.8 pF, C3 = 2.0 pF. The frequency of ultra-high oscillations (Fig. 8a, 8b, 8c) was 711.422 MHz, the output voltage was 0.66 V.

Таким образом, заявленный генератор расширяет арсенал технических средств генератора на КМОП транзисторах ультравысоких амплитудно-манипулированных колебаний.Thus, the claimed generator expands the arsenal of technical means of the generator on CMOS transistors of ultra-high amplitude-manipulated oscillations.

Claims (1)

Генератор на КМОП транзисторах ультравысоких манипулированных по амплитуде колебаний, содержащий внешний генератор управляющих прямоугольных импульсов, конденсаторы постоянных емкостей Сразд, C1, С2, С3, выполненные на КМОП транзисторах с индуцированными каналами логические элементы: два элемента НЕ и элемент 2ИЛИ-НЕ, выход которого соединен с первым выводом конденсатора С1 и входом первого элемента НЕ, выход первого элемента НЕ соединен с первым выводом конденсатора С2 и входом второго элемента НЕ, выход второго элемента НЕ соединен с первыми выводами конденсатора С3 и разделительного конденсатора Сразд, вторые выводы конденсаторов C1, С2, С3 соединены с общей шиной источника питания устройства, второй вывод конденсатора Сразд является выходом заявленного генератора, отличающийся тем, что дополнительно содержит nМОП транзистор с индуцированным каналом, при этом выход второго элемента НЕ соединен также со стоком nМОП транзистора, исток nМОП транзистора соединен со вторым входом элементом 2ИЛИ-НЕ, потенциальный выход генератора присоединен к затвору nМОП транзистора, а первый вход элемента 2ИЛИ-НЕ и подложка nМОП транзистора соединены с общей шиной источника питания устройства.Generator on CMOS transistors of ultrahigh-amplitude-manipulated oscillations, containing an external generator of control rectangular pulses, capacitors of constant capacitances C div , C1, C2, C3, made on CMOS transistors with induced channels, logical elements: two elements NOT and element 2 OR-NOT, the output of which connected to the first output of capacitor C1 and the input of the first element is NOT, the output of the first element is NOT connected to the first output of the capacitor C2 and the input of the second element is NOT, the output of the second element is NOT connected to rvymi pin capacitor C3 and capacitor C section, the second terminals of the capacitors C1, C2, C3 are connected to the common bus device power source, a second terminal of the capacitor C section is an output of the claimed generator, characterized in that it further comprises nMOS transistor induced channel, wherein the output of the second element is NOT connected to the drain of the n-MOS transistor either, the source of the n-MOS transistor is connected to the second input by an OR-NOT element, the potential output of the generator is connected to the gate of the n-MOS transistor, but not The first input of the 2OR-NOT element and the substrate of the nMOS transistor are connected to the common bus of the device power supply.
RU2017143249U 2017-12-11 2017-12-11 GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED ON AMPLITUDE OF OSCILLATIONS RU178761U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017143249U RU178761U1 (en) 2017-12-11 2017-12-11 GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED ON AMPLITUDE OF OSCILLATIONS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017143249U RU178761U1 (en) 2017-12-11 2017-12-11 GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED ON AMPLITUDE OF OSCILLATIONS

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU178761U1 true RU178761U1 (en) 2018-04-18

Family

ID=61974894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017143249U RU178761U1 (en) 2017-12-11 2017-12-11 GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED ON AMPLITUDE OF OSCILLATIONS

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU178761U1 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5936476A (en) * 1997-11-18 1999-08-10 Vlsi Technology, Inc. VCO in CMOS technology having an operating frequency of 3 GHz and greater
US6329860B1 (en) * 1999-05-31 2001-12-11 Nec Corporation Clock generator producing clock signal quickly adjusted to target frequency
US6515537B2 (en) * 2001-03-16 2003-02-04 Matrix Semiconductor, Inc. Integrated circuit current source with switched capacitor feedback
RU158709U1 (en) * 2015-04-29 2016-01-20 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" AMPLITUDE-MANIPULATED HARMONIC SIGNALS GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS
RU168893U1 (en) * 2016-05-31 2017-02-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ВГТУ) Frequency Modulated Rectangular Pulse Generator
RU169628U1 (en) * 2016-04-01 2017-03-24 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MODULATED VIBRATION FREQUENCIES
RU170413U1 (en) * 2016-11-08 2017-04-24 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ВГТУ) Frequency-Shaped Rectangular Pulse Generator
RU171416U1 (en) * 2016-05-26 2017-05-30 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED FREQUENCY OF HARMONIOUS OSCILLATIONS
RU175056U1 (en) * 2017-01-11 2017-11-16 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ВГТУ) CMOS transistor ultra-high harmonic oscillator

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5936476A (en) * 1997-11-18 1999-08-10 Vlsi Technology, Inc. VCO in CMOS technology having an operating frequency of 3 GHz and greater
US6329860B1 (en) * 1999-05-31 2001-12-11 Nec Corporation Clock generator producing clock signal quickly adjusted to target frequency
US6515537B2 (en) * 2001-03-16 2003-02-04 Matrix Semiconductor, Inc. Integrated circuit current source with switched capacitor feedback
RU158709U1 (en) * 2015-04-29 2016-01-20 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" AMPLITUDE-MANIPULATED HARMONIC SIGNALS GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS
RU169628U1 (en) * 2016-04-01 2017-03-24 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MODULATED VIBRATION FREQUENCIES
RU171416U1 (en) * 2016-05-26 2017-05-30 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED FREQUENCY OF HARMONIOUS OSCILLATIONS
RU168893U1 (en) * 2016-05-31 2017-02-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ВГТУ) Frequency Modulated Rectangular Pulse Generator
RU170413U1 (en) * 2016-11-08 2017-04-24 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ВГТУ) Frequency-Shaped Rectangular Pulse Generator
RU175056U1 (en) * 2017-01-11 2017-11-16 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ВГТУ) CMOS transistor ultra-high harmonic oscillator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN205792523U (en) Broadband multiphase clock generation circuit
KR940004973A (en) MOS Oscillator of Semiconductor Device
KR960020005A (en) Clock generator
Kinger et al. Design of improved performance voltage controlled ring oscillator
RU158709U1 (en) AMPLITUDE-MANIPULATED HARMONIC SIGNALS GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS
US20150326231A1 (en) Tunable frequency-to-voltage controlled oscillation
KR102379003B1 (en) oscillator device
Chaturvedi et al. Fully electronically tunable and easily cascadable square/triangular wave generator with duty cycle adjustment
CN113094022B (en) Analog multiplier
RU178761U1 (en) GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED ON AMPLITUDE OF OSCILLATIONS
CN112953526A (en) Ring oscillation circuit, method and integrated chip
EP3035525B1 (en) Switching circuit for active mixer
Pittala et al. A sinusoidal oscillator using single operational transresistance amplifier
CN106936385A (en) The crystal oscillating circuit of low-power consumption Width funtion
Ansari et al. Three phase mixed-mode CMOS VCO with grounded passive components
RU171416U1 (en) GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MANIPULATED FREQUENCY OF HARMONIOUS OSCILLATIONS
CN215072364U (en) Annular oscillation circuit and integrated chip
Pandey et al. Multiphase sinusoidal oscillators using operational trans-resistance amplifier
RU171907U1 (en) LC-AUTO GENERATOR ON MOSFET TRANSISTORS OF HIGH FREQUENCY FREQUENCY-MANIPULATED HARMONIOUS OSCILLATIONS
RU170413U1 (en) Frequency-Shaped Rectangular Pulse Generator
RU175056U1 (en) CMOS transistor ultra-high harmonic oscillator
US9948309B2 (en) Differential odd integer divider
RU169628U1 (en) GENERATOR ON CMOS TRANSISTORS OF ULTRA-HIGH MODULATED VIBRATION FREQUENCIES
Sajotra et al. Design and simulation of low power voltage controlled oscillator for biomedical applications
CN101630942A (en) Voltage controlled oscillator circuit

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20181212