RU1786226C - Способ защиты оснований, сложенных водонасыщенными грунтами, от сейсмических воздействий - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к области строительства в сейсмических районах на толщах водонасыщенных отложений из крупнообломочных и песчаных грунтов, Цель изобретени  - снижение материалоемкости и трудоемкости. Способ защиты оснований, сложенных водонасыщенными грунтами, от сейсмических воздействий включает образование в грунте основани  демпфирующих зон, которые образуют в виде свободных от грунтовой воды областей и примыкающих к ним участков с повышенным газосодержанием грунтовой воды путем закачки в водо- насыщенный грунт воздуха. 2 ил.

Description

Изобретение относитс  к области строительства в сейсмических районах на толщах водонасыщенных отложений из крупнообломочных и песчаных грунтов.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности  вл етс  способ защиты территорий от сейсмических воздействий , осуществл емый путем выполнени  по периметру и внутри защищаемого района скважин, заполн емых специальным упруго-в зким сейсмоизолирующим материалом (полимеры, жидкие отходы пластмассовых производств и т.п.), а скважины внутреннего и внешнего контуров через специальные горизонтальные полости, устраиваемые гидроразрывом , вибротермообработкой или природные, соедин ютс  в единую гидродинамическую систему.

Недостатками известного способа  вл ютс  выполнение сложных специальных работ по устройству горизонтальных полостей, приготовление и доставка к месту работ сей- смоизолирующего материала и заполнение

им системы скважин и полостей, использование в качестве сейсмоизолирующего материала отходов химических производств, что может негативно сказатьс  на экологической обстановке.

Цель изобретени  - снижение материалоемкости и трудоемкости.

Указанна  цель достигаетс  тем, что по способу защиты оснований, сложенных водонасыщенными грунтами, от сейсмических воздействий, включающему образование в грунте основани  демпфирующих зон, последние образуют в виде свободных от грунтовой воды областей и примыкающих к ним участков с повышенным газосодержанием грунтовой воды путем закачки в водонасы- щенный грунт воздуха.

Изобретение по сн етс  чертежом, где на фиг.1 изображен фрагмент устройства дл  подачи в водонасыщенный грунт воздуха; на фиг. 2 -схема размещени  демпфирующих зон в защищаемом основании.

СО

с

со о ю ю

Оч

Способ защиты оснований, сложенных водонасыщенными грунтами, от сейсмических воздействий осуществл ют следующим образом.

Предварительно изготавливают колонны 1 манжетных труб. Цельные колонны 1 монтируют из отдельных секций труб с отверсти ми 2, которые перекрывают манжетами 3, выполн ющими роль выпускного клапана дл  подаваемого воздуха. С наружной стороны манжеты 3 защищают фильтровой сеткой 4. Внутри трубы размещают обтюратор 5 с глухим нижним концом и сальниками 6.

Затем в основании 7 под защитой обсадных труб выполн ют буровые скважины 8, в которые опускают колонны 1 манжетных труб, а пазухи заполн ют засыпкой из местного грунта.

Подаваемый компрессором 9 воздух через систему шлангов и подающую трубку 10 отгибает манжет 3 и выдавливает воду из грунта основани  7, образу  увеличивающуюс  в объеме газовую полость 11. При этом часть воздуха раствор етс  в грунтовой воде , окружающей газовую полость 11, увеличива  сжимаемость воды.

Эффект гашени  интенсивности сейсмического импульса в основании обеспечиваетс  вследствие изменени  внутренней энергии воздуха в полости при прохождении волны сжати , дренирующим вли нием полостей на мгновенный фильтрационный поток и повышенной сжимаемостью газосодержащей грунтовой воды.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Способ защиты оснований, сложенных водонасыщенными грунтами, от сейсмиче- ских воздействий, включающий образование в грунте основани  демпфирующих зон, отличающийс  тем, что, с целью снижени  материалоемкости и трудоемкости , демпфирующие зоны образуют в виде свободных от грунтовой воды областей и примыкающих к ним участков с повышенным газосодержанием грунтовой воды путем закачки в водонасыщенный грунт воздуха.

   Фиг.1

   Фиг. Z