RU174159U1 - Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного транзистора - Google Patents
Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного транзистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU174159U1 RU174159U1 RU2017112392U RU2017112392U RU174159U1 RU 174159 U1 RU174159 U1 RU 174159U1 RU 2017112392 U RU2017112392 U RU 2017112392U RU 2017112392 U RU2017112392 U RU 2017112392U RU 174159 U1 RU174159 U1 RU 174159U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- strain
- type
- strain gage
- aluminum metallized
- membrane
- Prior art date
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
Abstract
Полезная модель относится к области измерительной техники и автоматики, представляет собой интегральный чувствительный элемент преобразователя давления и может быть использована в малогабаритных преобразователях давления в электрический сигнал. Интегральный элемент сформирован на кристалле, имеющем эпитаксиальный слой, выполненный из кремния n-типа проводимости, и подложку, выполненную из кремния р-типа проводимости, включает мембрану и схему измерения, где имеется два тензотранзистора, коллекторные области которых соединены алюминиевыми металлизированными дорожками с тензорезисторами одного знака чувствительности от давления, а базовые области соединены алюминиевыми металлизированными дорожками с тензорезисторами противоположного знака чувствительности от давления. Высокое значение разбаланса выходного сигнала схемы измерения при подаче давления и его отсутствия достигается благодаря использованию на оборотной стороне кристалла квадратной кремниевой мембраны с жестким центром и расположению первого тензотранзистора, тензорезистора коллекторной области первого тензотранзистора и тензорезистора базовой области второго тензотранзистора вдоль границы концентрации напряжений между жестким центром и утоненной частью мембраны, а также второго тензотранзистора, тензорезистора коллекторной области второго тензотранзистора и тензорезистора базовой области первого тензотранзистора вдоль границы концентрации напряжений между утолщенной частью и утоненной частью мембраны. Техническим результатом полезной модели является увеличение выходного сигнала чувствительного элемента при подаче давления. 6 ил.
Description
Полезная модель относится к области измерительной техники и автоматики и может быть использовано в малогабаритных преобразователях давления в электрический сигнал.
Известен интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного тензотранзистора, состоящий из оборотной механической стороны со сформированным тонким упругим элементом, вытравленным путем глубокого анизотропного травления, и лицевой стороны, которая снабжена тензотранзисторами, коллекторные области которых соединены токоведущими дорожками с тензорезисторами одинакового с ними знака тензочувствительности, а базовые области - с тензорезисторами противоположного знака (авторское свидетельство СССР № 491059, Микроэлектронный преобразователь давления. G01L 23/18, 05.11.1975). Данное решение принято в качестве прототипа.
Недостатком прототипа является низкая выходная чувствительность элемента. Конструкции имеет низкую выходную чувствительность от давления поскольку оборотная механическая сторона со сформированным тонким упругим элементом не содержит в наличии дополнительного концентратора в виде жесткого центра и на лицевой стороне тензорезисторы и тензотранзисторы расположены в менее напряженных областях и направлениях.
Полезная модель устраняет недостаток прототипа, связанный с низкой выходной чувствительностью элемента.
Техническим результатом полезной модели является увеличение выходной чувствительности элемента.
Технический результат достигается тем, что интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного тензотранзистора, имеющий лицевую и оборотную механическую стороны, где на оборотной механической стороне чувствительного элемента сформирована травлением квадратная кремниевая мембрана, которая состоит из утолщенной части и утоненной части, границы между которыми являются местами концентрации напряжений, толщина мембраны составляет от 20 мкм до половины толщины чувствительного элемента, и на лицевой стороне чувствительного элемента, покрытой слоем изоляции из диоксида кремния, сформированы по планарной технологии в эпитаксиальном слое n-типа проводимости на подложке р+-типа проводимости два тензотранзистора n-р-n-типа проводимости, изолированные друг от друга разделительными областями из кремния р+-типа проводимости, коллекторные области n-типа проводимости которых соединены алюминиевыми металлизированными дорожками с третьим и четвертым тензорезисторами р-типа проводимости, базовые области р-типа проводимости соединены алюминиевыми металлизированными дорожками со вторым и первым тензорезисторами р-типа проводимости соответственно, и эмиттерные области соединены алюминиевой металлизированной дорожкой между собой, на лицевой стороне чувствительного элемента сформированные два тензотранзистора n-p-n-типа проводимости и четыре тензорезистора р-типа проводимости, объединенные алюминиевыми металлизированными дорожками с присоединенными к ним алюминиевыми металлизированными контактными площадками, которые служат для ввода и вывода электрического сигнала, и перемычкой р+-типа проводимости, образуют схему, где базовая область р-типа проводимости первого тензотранзистора соединяется с базовой областью р-типа проводимости второго тензотранзистора последовательно алюминиевой металлизированной дорожкой от базовой области р-типа проводимости первого тензотранзистора, перемычкой р+-типа проводимости, алюминиевой металлизированной дорожкой между перемычкой р+-типа проводимости и первым тензорезистором, первым тензорезистором, алюминиевой металлизированной дорожкой между первым тензорезистором и вторым тензорезистором, вторым тензорезистором и алюминиевой металлизированной дорожкой от базовой области р-типа проводимости второго тензотранзистора, коллекторная область n-типа проводимости первого тензотранзистора соединяется с коллекторной областью n-типа проводимости второго тензотранзистора последовательно алюминиевой металлизированной дорожкой от коллекторной области n-типа проводимости первого тензотранзистора, третьим тензорезистором, алюминиевой металлизированной дорожкой между третьим тензорезистором и четвертым тензорезистором, четвертым тензорезистором и алюминиевой металлизированной дорожкой от коллекторной области n-типа проводимости второго тензотранзистора, эмиттерная область n+-типа проводимости первого тензотранзистора соединяется с эмиттерной областью n+-типа проводимости второго тензотранзистора алюминиевой металлизированной дорожкой, и на оборотной механической стороне чувствительного элемента сформирован в квадратной кремниевой мембране дополнительный жесткий центр, и границы между утолщенной частью, утоненной частью и жестким центром мембраны являются местами концентрации напряжений, где первый тензотранзистор, второй и третий тензорезистор расположены вдоль границы концентрации напряжений между жестким центром и утоненной частью мембраны, а второй тензотранзистор, первый и четвертый тензорезистор расположены вдоль границы концентрации напряжений между утолщенной частью и утоненной частью мембраны.
Сущность полезной модели поясняется чертежами.
На фиг. 1 представлена топология лицевой стороны чувствительного элемента.
На фиг. 2 представлена топология квадратной кремниевой мембраны на оборотной механической стороне.
На фиг. 3 представлена электрическая измерительная схема чувствительного элемента.
На фиг. 4 представлена увеличенная область топологии тензотранзисторов и тензорезисторов к коллекторным областям тензотранзисторов.
На фиг. 5 представлена структура р-n переходов чувствительного элемента (разрез А-А на фиг.1).
На фиг. 6 представлена структура р-n переходов чувствительного элемента (разрез Б-Б на фиг. 1).
Цифрами на чертежах обозначены:
1 - базовая область р-типа первого тензотранзистора;
2 - коллекторная область n-типа первого тензотранзистора;
3 - эмиттерная область n+-типа первого тензотранзистора;
4 - базовая область р-типа второго тензотранзистора;
5 - коллекторная область n-типа второго тензотранзистора;
6 - эмиттерная область n+-типа второго тензотранзистора;
7 - первый тензорезистор р-типа, который присоединен к базовой области первого тензотранзистора;
8 - второй тензорезистор р-типа, который присоединен к базовой области второго тензотранзистора;
9 - третий тензорезистор р-типа, который присоединен к коллекторной области первого тензотранзистора;
10 - четвертый тензорезистор р-типа, который присоединен к коллекторной области второго тензотранзистора;
11 - перемычка р+-типа;
12.1, 12.2, 12.3, 12.4, 12.5, 12.6, 12.7, 12.8 - алюминиевые металлизированные дорожки;
13.1, 13.2, 13.3, 13.4, 13.5 - алюминиевые металлизированные контактные площадки;
14 - квадратная кремниевая мембрана;
15 - утолщенная часть мембраны;
16 - утоненная часть мембраны;
17 - жесткий центр мембраны;
18 - эпитаксиальный слой n-типа;
19 - кремниевая подложка р+-типа;
20.1, 20.2 - разделительная область р+-типа;
21 - слой изоляции из диоксида кремния;
22 - первый тензотранзистор n-р-n;
23 - второй тензотранзистор n-р-n.
Интегральный элемент - это совокупность электрически связанных компонентов, изготовленных в едином технологическом процессе на единой полупроводниковой подложке, т.е. элемент выполнен по планарной технологии. Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного тензотранзистора сформирован на кристалле, имеющем эпитаксиальный слой 18 n-типа проводимости и подложку 19 р+-типа проводимости, и состоит из лицевой стороны, покрытой слоем изоляции 21 из диоксида кремния, разделяющий первый и второй тензотранзистор 22, 23, первый, второй, третий и четвертый тензорезисторы 7, 8, 9, 10 разделительные области 20.1, 20.2 р+-типа и эпитаксиальный слой 18 n-типа друг от друга и от внешней среды, и оборотной механической стороны. На оборотной механической стороне чувствительного элемента находится квадратная кремниевая мембрана 14, состоящая из утолщенной части 15, утоненной части 16 и жесткого центра 17. Места соединения элементов мембраны 14 образуют места концентрации напряжений. Геометрические размеры элементов мембраны 14 могут быть любыми.
Квадратная кремниевая мембрана 14 с жестким центром 17 создается анизотропным травлением; жесткий центр 17 мембраны 14 может иметь как квадратное, так и другое сечение. Исходя из экспериментальных результатов, толщина утоненной части 16 квадратной кремниевой мембраны 14 в зависимости от номинального преобразуемого давления может варьироваться от 20 мкм до значения, равного половине толщины чувствительного элемента. Чем выше номинальное преобразуемое давление, тем должна быть толще утоненная часть 16 мембраны 14. Изготовление утоненной части 16 мембраны 14 толщиной менее 20 мкм приводит к ее разрушению, а при изготовлении очень толстой утоненной части 16 мембраны 14 существенно падает чувствительность преобразователя.
Устройство содержит на лицевой стороне чувствительного элемента, покрытой слоем изоляции 21 из диоксида кремния, сформированные по планарной технологии, например, с помощью процесса диффузии, в эпитаксиальной слое 18 n-типа проводимости на подложке 19 р+-типа проводимости два тензотранзистора 22, 23 и четыре тензорезистора 7, 8, 9, 10, объединенные алюминиевыми металлизированными дорожками 12 с алюминиевыми металлизированными контактными площадками 13 и перемычкой 11 р+-типа в схему, где базовая область 1 р-типа первого тензотранзистора 22 соединяется с базовой областью 4 р-типа второго тензотранзистора 23 последовательно алюминиевой металлизированной дорожкой 12.1 от базовой области 1 р-типа первого тензотранзистора 22, перемычкой 11 р+-типа, алюминиевой металлизированной дорожкой 12.2 между перемычкой 11 р+-типа и первым тензорезистором 7, первым тензорезистором 7, алюминиевой металлизированной дорожкой 12.3 между первым тензорезистором 7 и вторым тензорезистором 8, вторым тензорезистором 8 и алюминиевой металлизированной дорожкой 12.4 от базовой области 4 р-типа второго тензотранзистора 23, коллекторная область 2 n-типа первого тензотранзистора 22 соединяется с коллекторной областью 5 n-типа второго тензотранзистора 23 последовательно алюминиевой металлизированной дорожкой 12.5 от коллекторной области 2 n-типа первого тензотранзистора 22, третьим тензорезистором 9, алюминиевой металлизированной дорожкой 12.6 между третьим тензорезистором 9 и четвертым тензорезистором 10, четвертым тензорезистором 10 и алюминиевой металлизированной дорожкой 12.7 от коллекторной области 5 n-типа второго тензотранзистора 23, эмиттерная область 3 n+-типа первого тензотранзистора 22 соединяется с эмиттерной областью 6 n+-типа второго тензотранзистора 23 алюминиевой металлизированной дорожкой 12.8 или в схему, где имеется два тензотранзистора 22, 23, коллекторные области 2 и 5 которых соединены алюминиевыми металлизированными дорожками 12 с третьим и четвертым тензорезисторами 9 и 10, базовые области 1 и 4 соединены алюминиевыми металлизированными дорожками 12 со вторым и первым тензорезисторами 8 и 7, соответственно, и эмиттерные области 3 и 6 соединены алюминиевой металлизированной дорожкой 12 между собой. Для ввода и вывода электрического сигнала схемы служат алюминиевые металлизированные контактные площадки 13.1, 13.2, 13.3, 13.4 и 13.5. Тензотранзисторы изолированы друг от друга разделительными областями 20.1, 20.2, сформированными из кремния р+-типа проводимости в эпитаксиальной области 18 n-типа. Первый тензотранзистор 22, третий тензорезистор 9, присоединенный к коллекторной области 2 первого тензотранзистора 22, и второй тензорезистор 8, присоединенный к базовой области 4 второго тензотранзистора 23, были расположены вдоль границы концентрации напряжений между жестким центром 17 и утоненной частью 16 квадратной кремниевой мембраны 14, а второй тензотранзистор 23, четвертый тензорезистор 10, присоединенный к коллекторной области 5 второго тензотранзистора 23, и первый тензорезистор 7, присоединенный к базовой области 1 первого тензотранзистора 22, были расположены вдоль границы концентрации напряжений между утолщенной частью 15 и утоненной частью 16 квадратной кремниевой мембраны 14.
Устройство работает следующим образом.
При подаче измеряемого давления на чувствительный элемент, оно воздействует на мембрану 14, которая, изгибаясь, деформирует базовые 1, 4, коллекторные 2, 5 и эмиттерные 3, 6 области тензотранзисторов 22, 23 n-р-n, изолированные разделительной областью 20.1, 20.2 р+-типа проводимости, и тензорезисторы 7, 8, 9, 10 р-типа проводимости, расположенные на лицевой стороне чувствительного элемента, сформированные в эпитаксиальной области 18 n-типа проводимости на подложке 19 р+-типа проводимости и покрытые слоем изоляции 21 из диоксида кремния. При этом в тензотранзисторах 22, 23 и тензорезисторах 7, 8, 9, 10 возникает тензоэффект, то есть в тензотранзисторах 22, 23 изменяется коэффициент усиления тока и в тензорезисторах 7, 8, 9, 10 изменяется сопротивление, и, соответственно, увеличивается разбаланс измерительной схемы, в которую объединены тензотранзисторы 22, 23 и тензорезисторы 7, 8, 9, 10, алюминиевые металлизированные дорожки 12.1, 12.2, 12.3, 12.4, 12.5, 12.6, 12.7, 12.8 и перемычка 11 р+-типа. Величина разбаланса снимается в виде выходного сигнала с помощью алюминиевых металлизированных дорожек 12.1, 12.2, 12.3, 12.4, 12.5, 12.6, 12.7, 12.8 и алюминиевых металлизированных контактных площадок 13.1, 13.2, 13.3, 13.4, 13.5. Измерительная схема имеет два напряжения питания, подаваемые с разными положительными потенциалами на алюминиевые металлизированные контактные площадки 13.1 и 13.4, и имеющие общий контакт подачи потенциала земли на алюминиевой металлизированной контактной площадке 13.2.
Величина разбаланса выходного сигнала измерительной схемы чувствительного элемента при наличии и отсутствии подаваемого давления изменяется благодаря разнице тензочувствительности первого тензотранзистора 22, третьего тензорезистора 9, присоединенного к коллекторной области 2 первого тензотранзистора 22, и второго тензорезистора 8, присоединенного к базовой области 4 второго тензотранзистора 23, расположенных вдоль границы концентрации напряжений между жестким центром 17 и утоненной частью 16 квадратной кремниевой мембраны 14, и второго тензотранзистора 23, четвертого тензорезистора 10, присоединенного к коллекторной области 5 второго тензотранзистора 23, и первого тензорезистора 7, присоединенного к базовой области 1 первого тензотранзистора 22, расположенных вдоль границы концентрации напряжений между утолщенной частью 15 и утоненной частью 16 квадратной кремниевой мембраны 14, и измеряется на алюминиевых металлизированных контактных площадках 13.3 и 13.5. При подачи давления со стороны мембраны 14 происходит увеличение сопротивления первого тензорезистора 7, присоединенного к базовой области 1 первого тензотранзистора 22, уменьшение коэффициента усиления первого тензотранзистора 22 и уменьшение сопротивления третьего тензорезистора 9, присоединенного к коллекторной области 2 первого тензотранзистора 22, что в совокупности понижает падение напряжения на третьем тензорезисторе 9, присоединенном к коллекторной области 2 первого тензотранзистора 22. При подачи давления со стороны мембраны 14 происходит уменьшение сопротивления второго тензорезистора 8, присоединенного к базовой области 4 второго тензотранзистора 23, увеличение коэффициента усиления второго тензотранзистора 23 и увеличение сопротивления четвертого тензорезистора 10, присоединенного к коллекторной области 5 второго тензотранзистора 23, что в совокупности повышает падение напряжения на четвертом тензорезисторе 10, присоединенном к коллекторной области 5 второго тензотранзистора 23. Величина разбаланса выходного сигнала измерительной схемы чувствительного элемента при наличии и отсутствии подаваемого давления есть разница между падением напряжения на четвертом тензорезисторе 10, присоединенного к коллекторной области 5 второго тензотранзистора 23, и падением напряжения на третьем тензорезисторе 9, присоединенного к коллекторной области 2 первого тензотранзистора 22.
Таким образом, достигается указанный технический результат, а именно увеличение выходной чувствительности элемента.
Claims (1)
- Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного тензотранзистора, имеющий лицевую и оборотную механическую стороны, где на оборотной механической стороне чувствительного элемента сформирована травлением квадратная кремниевая мембрана, которая состоит из утолщенной части и утоненной части, границы между которыми являются местами концентрации напряжений, толщина мембраны составляет от 20 мкм до половины толщины чувствительного элемента, и на лицевой стороне чувствительного элемента, покрытой слоем изоляции из диоксида кремния, сформированы по планарной технологии в эпитаксиальном слое n-типа проводимости на подложке p+-типа проводимости два тензотранзистора n-p-n-типа проводимости, изолированные друг от друга разделительными областями из кремния p+-типа проводимости, коллекторные области n-типа проводимости которых соединены алюминиевыми металлизированными дорожками с третьим и четвертым тензорезисторами p-типа проводимости, базовые области p-типа проводимости соединены алюминиевыми металлизированными дорожками со вторым и первым тензорезисторами p-типа проводимости соответственно, и эмиттерные области соединены алюминиевой металлизированной дорожкой между собой, отличающийся тем, что на лицевой стороне чувствительного элемента сформированные два тензотранзистора n-p-n-типа проводимости и четыре тензорезистора p-типа проводимости, объединенные алюминиевыми металлизированными дорожками с присоединенными к ним алюминиевыми металлизированными контактными площадками, которые служат для ввода и вывода электрического сигнала, и перемычкой p+-типа проводимости, образуют схему, где базовая область p-типа проводимости первого тензотранзистора соединяется с базовой областью p-типа проводимости второго тензотранзистора последовательно алюминиевой металлизированной дорожкой от базовой области p-типа проводимости первого тензотранзистора, перемычкой p+-типа проводимости, алюминиевой металлизированной дорожкой между перемычкой p+-типа проводимости и первым тензорезистором, первым тензорезистором, алюминиевой металлизированной дорожкой между первым тензорезистором и вторым тензорезистором, вторым тензорезистором и алюминиевой металлизированной дорожкой от базовой области p-типа проводимости второго тензотранзистора, коллекторная область n-типа проводимости первого тензотранзистора соединяется с коллекторной областью n-типа проводимости второго тензотранзистора последовательно алюминиевой металлизированной дорожкой от коллекторной области n-типа проводимости первого тензотранзистора, третьим тензорезистором, алюминиевой металлизированной дорожкой между третьим тензорезистором и четвертым тензорезистором, четвертым тензорезистором и алюминиевой металлизированной дорожкой от коллекторной области n-типа проводимости второго тензотранзистора, эмиттерная область n+-типа проводимости первого тензотранзистора соединяется с эмиттерной областью n+-типа проводимости второго тензотранзистора алюминиевой металлизированной дорожкой, и на оборотной механической стороне чувствительного элемента сформирован в квадратной кремниевой мембране дополнительный жесткий центр, и границы между утолщенной частью, утоненной частью и жестким центром мембраны являются местами концентрации напряжений, где первый тензотранзистор, второй и третий тензорезистор расположены вдоль границы концентрации напряжений между жестким центром и утоненной частью мембраны, а второй тензотранзистор, первый и четвертый тензорезисторы расположены вдоль границы концентрации напряжений между утолщенной частью и утоненной частью мембраны.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017112392U RU174159U1 (ru) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного транзистора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017112392U RU174159U1 (ru) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного транзистора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU174159U1 true RU174159U1 (ru) | 2017-10-06 |
Family
ID=60041158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017112392U RU174159U1 (ru) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного транзистора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU174159U1 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU187531U1 (ru) * | 2018-12-26 | 2019-03-12 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Чувствительный элемент давления с повышенной механической прочностью |
| RU195159U1 (ru) * | 2019-06-13 | 2020-01-16 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Интегральный высокочувствительный элемент преобразователя давления на основе вертикального биполярного транзистора |
| RU195160U1 (ru) * | 2019-06-13 | 2020-01-16 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе вертикального биполярного транзистора с термокомпенсацией |
| RU202558U1 (ru) * | 2020-12-09 | 2021-02-24 | Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им.Н.Л.Духова» (ФГУП «ВНИИА») | Датчик давления с интегральным преобразователем температуры сверхнизкого энергопотребления |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU491059A1 (ru) * | 1973-07-10 | 1975-11-05 | Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт | Микроэлектронный преобразователь давлени |
| US4558238A (en) * | 1982-10-01 | 1985-12-10 | Hitachi, Ltd. | Pressure transducer using integrated circuit elements |
| SU1749731A1 (ru) * | 1989-09-16 | 1992-07-23 | Научно-исследовательский институт физических измерений | Интегральный преобразователь давлени |
| SU1765730A1 (ru) * | 1989-11-09 | 1992-09-30 | Научно-исследовательский технологический институт приборостроения | Интегральный тензопреобразователь давлени |
| RU2469437C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Федеральное Государственное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Московского Государственного Института Электронной Техники" | Интегральный преобразователь давления с одним жестким центром |
| RU2469436C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Федеральное Государственное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Московского Государственного Института Электронной Техники" | Интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами |
| RU167464U1 (ru) * | 2016-08-11 | 2017-01-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления с датчиком температуры |
-
2017
- 2017-04-12 RU RU2017112392U patent/RU174159U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU491059A1 (ru) * | 1973-07-10 | 1975-11-05 | Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт | Микроэлектронный преобразователь давлени |
| US4558238A (en) * | 1982-10-01 | 1985-12-10 | Hitachi, Ltd. | Pressure transducer using integrated circuit elements |
| SU1749731A1 (ru) * | 1989-09-16 | 1992-07-23 | Научно-исследовательский институт физических измерений | Интегральный преобразователь давлени |
| SU1765730A1 (ru) * | 1989-11-09 | 1992-09-30 | Научно-исследовательский технологический институт приборостроения | Интегральный тензопреобразователь давлени |
| RU2469437C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Федеральное Государственное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Московского Государственного Института Электронной Техники" | Интегральный преобразователь давления с одним жестким центром |
| RU2469436C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Федеральное Государственное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Московского Государственного Института Электронной Техники" | Интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами |
| RU167464U1 (ru) * | 2016-08-11 | 2017-01-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления с датчиком температуры |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU187531U1 (ru) * | 2018-12-26 | 2019-03-12 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Чувствительный элемент давления с повышенной механической прочностью |
| RU195159U1 (ru) * | 2019-06-13 | 2020-01-16 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Интегральный высокочувствительный элемент преобразователя давления на основе вертикального биполярного транзистора |
| RU195160U1 (ru) * | 2019-06-13 | 2020-01-16 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа") | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе вертикального биполярного транзистора с термокомпенсацией |
| RU202558U1 (ru) * | 2020-12-09 | 2021-02-24 | Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им.Н.Л.Духова» (ФГУП «ВНИИА») | Датчик давления с интегральным преобразователем температуры сверхнизкого энергопотребления |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU174159U1 (ru) | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного транзистора | |
| RU167464U1 (ru) | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления с датчиком температуры | |
| US10775248B2 (en) | MEMS strain gauge sensor and manufacturing method | |
| CN104764547B (zh) | 一种浮雕式岛膜应力集中结构微压传感器芯片及制备方法 | |
| CN104729784B (zh) | 一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法 | |
| US20070238215A1 (en) | Pressure transducer with increased sensitivity | |
| US9252355B2 (en) | Low offset and high sensitivity vertical hall effect sensor | |
| JP2018504588A5 (ru) | ||
| Basov | High sensitive, linear and thermostable pressure sensor utilizing bipolar junction transistor for 5 kPa | |
| RU187746U1 (ru) | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного транзистора с термокомпенсацией | |
| US11852698B2 (en) | Magnetic sensor packaging structure with hysteresis coil | |
| RU187760U1 (ru) | Интегральный высокочувствительный элемент преобразователя давления на основе биполярного транзистора | |
| RU167463U1 (ru) | Радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления | |
| JP2013124947A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US3161844A (en) | Semiconductor beam strain gauge | |
| RU2422943C1 (ru) | Планарный магнитотранзисторный преобразователь | |
| JP2004257864A (ja) | 圧力検出装置 | |
| JP5866496B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US9557230B2 (en) | SiC high temperature pressure transducer | |
| RU195159U1 (ru) | Интегральный высокочувствительный элемент преобразователя давления на основе вертикального биполярного транзистора | |
| RU2730890C1 (ru) | Датчик давления с интегральным преобразователем температуры пониженного энергопотребления | |
| RU195160U1 (ru) | Интегральный чувствительный элемент преобразователя давления на основе вертикального биполярного транзистора с термокомпенсацией | |
| JP5407438B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06207871A (ja) | 圧力センサ | |
| RU2278447C2 (ru) | Интегральный преобразователь давления |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20210413 |