RU174126U1 - Алмазный диод с барьером шоттки - Google Patents
Алмазный диод с барьером шоттки Download PDFInfo
- Publication number
- RU174126U1 RU174126U1 RU2016151509U RU2016151509U RU174126U1 RU 174126 U1 RU174126 U1 RU 174126U1 RU 2016151509 U RU2016151509 U RU 2016151509U RU 2016151509 U RU2016151509 U RU 2016151509U RU 174126 U1 RU174126 U1 RU 174126U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- type
- layer
- schottky
- diode
- Prior art date
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 56
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых диодов с барьером Шоттки, и может быть использована в сильнотоковой высоковольтной и твердотельной высокочастотной электронике. Алмазный диод с барьером Шоттки содержит сильнолегированную бором монокристаллическую алмазную подложку типа p+, контактирующую со слаболегированным бором гомоэпитаксиальным монокристаллическим алмазным слоем типа p-, защитный диэлектрический слой, расположений на поверхности слаболегированного слоя, катод в виде электрода с металлическим контактом, формирующим барьер Шоттки, расположенным частично на поверхности слаболегированного слоя и частично на поверхности защитного диэлектрического слоя, и анод в виде омического контакта, размещенного на сильнолегированной алмазной подложке. Между слаболегированным монокристаллическим слоем и контактом Шоттки выполнены функциональные зоны из алмаза n-типа проводимости, характеризующегося объемной концентрацией свободных носителей заряда не менее 10смпри комнатной температуре, причем функциональные зоны из монокристаллического алмаза n-типа проводимости выполнены с суммарной площадью, не превышающей 50% площади контакта Шоттки. Технический результат заключается в понижении не менее чем в 2 раза прямого падения напряжения на диоде при протекании прямого тока плотностью не менее 20 А/смза счет инжекции неосновных носителей заряда из областей n-типа проводимости при сохранении остальных характеристик диода на прежнем уровне. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
Description
Настоящая полезная модель относится к области электронной техники, в частности к конструкциям и технологиям изготовления полупроводниковых диодов с барьером Шоттки, и может быть использована в сильнотоковой высоковольтной и твердотельной высокочастотной электронике.
В настоящее время, несмотря на значительные успехи электроники на основе кремния или широкозонных полупроводниковых материалов (карбид кремния, нитрид алюминия), существующие диоды не в состоянии удовлетворить растущие потребности электронной техники. Синтетический алмаз по сочетанию важнейших параметров для электронных приборов является одним из самых перспективных широкозонных материалов:
- величина критической напряженности электрического поля для алмаза (107 В/см) превышает почти на порядок соответствующие показатели для карбида кремния, что позволяет получать более высокие блокирующие напряжения;
- большая ширина запрещенной зоны материала позволяет создавать больший по сравнению с приборами на основе карбида кремния барьер Шоттки, что в свою очередь приводит к чрезвычайно малым токам утечки в широком диапазоне рабочих температур;
- высокая теплопроводность снижает тепловое сопротивление диодной структуры и позволяет уменьшать размеры силовых приборов;
- химическая инертность и механическая твердость алмаза позволяет создавать надежные приборы для жестких условий эксплуатации;
- радиационная стойкость алмаза позволяет использовать приборы на его основе в условиях естественного космического и искусственного излучений без применения специальных защитных корпусов.
Известны способы изготовления полупроводникового диода с барьером Шоттки на основе эпитаксиальной слоистой алмазной структуры (патент США №6833027 МПК С30В 25/2, H01L 21/04, дата приоритета 2002.09.26; патент США №5352908 МПК H01L 29/872, H01L 29/16 дата приоритета 1993.11.03). При реализации подобных способов выполняют следующие операции. Подготавливают рабочую подложку р-типа проводимости из синтетического монокристалла алмаз сильно легированного бором. Далее с помощью метода химического осаждения из газовой фазы на одной из сторон алмазной подложки формируют слой (пленку) слабо легированного (или высокочистого) монокристаллического алмаза. На обратной стороне алмазной подложки формируют анод в виде омического контакта, например, с использованием подслоя из карбидообразующих переходных металлов (титан, тантал, молибден, ванадий и т.д.). На выращенной пленке слабо легированного алмаза формируют катод в виде контакта с барьером Шоттки, например, с использованием благородных металлов (золото, платина, палладий).
Данные способы позволяют получить диоды с барьером Шоттки на основе синтетического алмаза с пробивными напряжениями не выше 20-50 В и величиной токов утечки более 10 мА. Кроме того, падение напряжения в открытом состоянии у подобных диодов составляет десятки вольт, что ограничивает диапазон рабочих прямых токов до десятых долей ампер.
Недостатки, связанные с низкими пробивными напряжениями и высокими обратными токами, устраняет способ изготовления диода с барьером Шоттки выбранного за прототип (патент RU 2488912 МПК H01L 21/329, дата заявки 07.06.2011). В данном способе подготовленную и отполированную подложку из синтетического монокристалла алмаза с высокой степенью легирования бором перед осаждением алмазной пленки с низкой степенью легирования бором дополнительно подвергают операции ионно-плазменного травления для удаления поверхностного слоя толщиной минимум 10 мкм. После осаждения алмазной пленки полученную эпитаксиальную слоистую алмазную структуру отжигают. При этом понижение падения напряжения диода в прямом направлении обусловлено уменьшением толщины переходной области вблизи границы подложка-пленка и удалением примесного водорода из структуры. Увеличение напряжения пробоя и уменьшение токов утечки достигают формированием защитной структуры в виде расширенного электрода специального профиля. Для этого защитный диэлектрический слой формируют из нескольких нанесенных последовательно слоев диэлектриков, отличающихся скоростью травления в процессе формирования окна с помощью литографии, что приводит к формированию расширенного электрода с углом наклона стенки электрода к плоскости алмазной пленки менее 20°.
Описанное техническое решение обладает существенным недостатком, который заключается в высоком значении прямого падения напряжения, составляющим не менее 8 В при прямом токе 20 А/см2. Это приводит к высоким резистивным потерям энергии на диодном элементе в момент протекания прямого тока.
Задача, на решение которой направлено заявленное техническое решение, заключается в создании алмазного диода с барьером Шоттки на основе полислойных структур из синтетического монокристалла алмаза характеризующегося пониженным не менее чем в два раза падением напряжения при протекании тока в прямом направлении.
Данная задача решается за счет того, что алмазный диод с барьером Шоттки, содержит сильнолегированную бором монокристаллическую алмазную подложку типа р+, контактирующую со слаболегированным бором гомоэпитаксиальным монокристаллическим алмазныным слоем типа p-, защитный диэлектрический слой, расположенный на поверхности слаболегированного слоя, катод в виде электрода с металлическим контактом, формирующим барьер Шоттки, расположенный частично на поверхности слаболегированного слоя и частично на поверхности защитного диэлектрического слоя, и анод, в виде омического контакта, размещенного на сильнолегированной алмазной подложке, причем между слаболегированным монокристаллическим слоем и контактом Шоттки выполнены функциональные зоны в виде концентрических колец или протяженных полос из алмаза n-типа проводимости характеризующегося объемной концентрацией свободных носителей заряда не менее 1017 см-3 при комнатной температуре.
Функциональные зоны n-типа проводимости, образуют серии p-n переходов, чередующихся с обычным барьером вида «металл-полупроводник». При небольшом прямом напряжении p-n переходы неактивны, и прямой ток обеспечивает только контакт Шоттки. Таким образом, параметры открытого режима (включающее напряжение и время выключения) остаются сравнимыми обычным диодом с барьером Шоттки.
При этом важно обеспечить, чтобы не менее 50 процентов площади контакта Шоттки находилось на низколегированной области p-типа, т.к. в противном случае значительно уменьшится ток через интерфейс Шоттки при малых прямых напряжениях. Поэтому, функциональные зоны из монокристаллического алмаза n-типа проводимости должны быть выполнены с суммарной площадью, не превышающей 50 процентов площади контакта Шоттки.
При увеличении прямого напряжения происходит открытие p-n переходов и прямой ток значительно повышается за счет инжекции неосновных носителей заряда из алмазных зон n-типа проводимости. При приложении обратного напряжения область обеднения, расположенная под p-n переходами, расширяется так, что значительно понижает ток утечки из-за большей величины потенциального барьера, создаваемого p-n переходами.
Это в свою очередь позволяет увеличить уровень легирования слабо легированного слоя p- и понизить последовательное сопротивление диода в открытом состоянии при сохранении тока утечки на прежнем уровне. Требование о концентрации свободных носителей не менее 1017 см-3 заряда при комнатной температуре в областях n-типа возникает из необходимости обеспечить достаточный уровень инжекции для двукратного повышения тока диода при приложении высокого прямого напряжения.
При выполнении функциональных зон в виде концентрических колец позволяет выполнить конструкцию диода таким образом, что край металлического контакта Шоттки полностью расположен на последней функциональной зоне n-типа. Это приводит к уменьшению краевого усиления электрического поля и, следовательно, позволяет дополнительно понизить ток утечки диода в закрытом состоянии.
Выполнение функциональных зон из алмаза n-типа проводимости, характеризующиеся объемной концентрацией свободных носителей заряда не менее 1017 см-3 при комнатной температуре (в совокупности с другими признаками) позволяет достигать технического уровня поставленной задачи.
Технический результат, обеспечиваемый приведенной совокупностью признаков, заключается в понижении не менее чем в 2 раза прямого падения напряжения на диоде при протекании прямого тока плотностью не менее 20 А/см2 за счет инжекции неосновных носителей заряда из функциональных зон n-типа проводимости при сохранении остальных характеристик диода на прежнем уровне.
Для пояснения сущности предлагаемого технического решения приведена фиг., на которой дана схема алмазного диода с барьером Шоттки.
На сильнолегированной бором монокристаллической алмазной подложке 4 типа р+ размещен слаболегированный гомоэпитаксиальный монокристаллический алмазный слой 3 типа p-. На поверхности гомоэпитаксиального слоя р-3 расположена защитная структура 2 из диэлектрика. Катод 1 в виде электрода с металлическим контактом, формирующим барьер Шоттки, размещен частично на поверхности слоя p-3 и частично на поверхности защитной структуры 2. Анод 5 в виде трехслойного омического контакта (Ti/Pt/Au) размещен на сильнолегированной подложке р+4. На поверхности гомоэпитаксиального слоя р-3 под контактом Шоттки 1 выполнены функциональные зоны 6 в виде концентрических колец или протяженных полос из алмаза n-типа проводимости характеризующегося объемной концентрацией свободных носителей заряда не менее 1017 см-3 при комнатной температуре.
Устройство работает следующим образом. Расположенные под контактом Шоттки функциональные зоны n-типа проводимости, образуют серии р-n переходов, чередующихся с обычным барьером вида «металл-полупроводник». При небольшом прямом напряжении р-n переходы неактивны, и прямой ток обеспечивает только контакт Шоттки. Таким образом, параметры открытого режима (включающее напряжение и время выключения) остаются сравнимыми обычным диодом с барьером Шоттки. Однако при увеличении прямого напряжения происходит открытие p-n переходов и прямой ток значительно повышается за счет инжекции неосновных носителей заряда из алмазных зон n-типа проводимости. При приложении обратного напряжения область обеднения, расположенная под p-n переходами, расширяется так, что значительно понижает ток утечки из-за большей величины потенциального барьера, создаваемого p-n переходами. Это в свою очередь позволяет увеличить уровень легирования слабо легированного слоя р- и понизить последовательное сопротивление диода в открытом состоянии при сохранении тока утечки на прежнем уровне.
В качестве варианта реализации предлагаем устройство со следующей структурой. В качестве сильнолегированной монокристаллической алмазной подложки р+ выбрана пластина размерами 4×4×0.4 мм кристаллической ориентации (001) из синтетического монокристалла алмаза типа IIb с концентрацией легирующей примеси бора 1018 см-3. На поверхности подложки размещен гомоэпитаксиальный монокристаллический алмазный слой р- толщиной 20 мкм, полученный в установке для газофазного осаждения с использованием ВЧ плазмы. Концентрация бора в алмазном слое р- составляет 4×1015 см-3. Между слаболегированным монокристаллическим слоем и контактом Шоттки выполнены функциональные зоны в виде протяженных полос из алмаза n-типа проводимости шириной 0.5 мкм и расстоянием между функциональными зонами 5 мкм путем имплантации ускоренных ионов фосфора с энергией 180 кэВ и дозой 2×1015 см-2. Для восстановления радиационного повреждения кристаллической структуры функциональных алмазных зон n-типа проводимости, вызванного имплантацией, проведен высокотемпературный отжиг при температуре 1400°С в течение 1 часа. Высокотемпературный отжиг производился в вакуумной камере для исключения графитизации поверхности алмазных слоев за счет взаимодействия кислородом.
На всей поверхности сильнолегированной подложки р+ размещен анод в виде омического трехслойного контакта размером 4×4 мм, путем последовательного вакуумного магнетронного напыления слоя титана (30 нм, 200 Вт, 10 мин) с отжигом при 800°С в вакууме, слоя платины (50 нм, 100 Вт, 5 мин) и слоя золота (150 нм, 100 Вт, 5 мин). На поверхности слаболегированного слоя р- расположена защитная структура и катод в виде металлического контакта размером 3×3 мм формирующего барьер Шоттки, полученный путем вакуумного магнетронного напыления никеля (50 нм, 150 Вт, 5 мин).
Описанная реализация алмазного диода с барьером Шоттки характеризуется прямым падением напряжения 3.9 В при протекании прямого тока 1.8 А что соответствует плотности тока 20 А/см2. Таким образом, достигнуто более чем двукратное понижение прямого падения напряжения по сравнению с алмазным диодом с барьером Шоттки выбранного в качестве прототипа.
Claims (2)
1. Алмазный диод с барьером Шоттки, содержащий сильнолегированную бором монокристаллическую алмазную подложку типа р+, контактирующую со слаболегированным бором гомоэпитаксиальным монокристаллическим алмазным слоем типа р-, защитный диэлектрический слой, расположенный на поверхности слаболегированного слоя, катод в виде электрода с металлическим контактом, формирующим барьер Шоттки, расположенный частично на поверхности слаболегированного слоя и частично на поверхности защитного диэлектрического слоя, и анод в виде омического контакта, размещенного на сильнолегированной алмазной подложке, отличающийся тем, что между слаболегированным монокристаллическим слоем и контактом Шоттки выполнены функциональные зоны из алмаза n-типа проводимости, характеризующегося объемной концентрацией свободных носителей заряда не менее 1017 см-3 при комнатной температуре, причем функциональные зоны из монокристаллического алмаза п-типа проводимости выполнены с суммарной площадью, не превышающей 50% площади контакта Шоттки.
2. Алмазный диод с барьером Шоттки по п. 1, отличающийся тем, что функциональные зоны из монокристаллического алмаза n-типа проводимости выполнены в виде концентрических колец или протяженных полос.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016151509U RU174126U1 (ru) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Алмазный диод с барьером шоттки |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016151509U RU174126U1 (ru) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Алмазный диод с барьером шоттки |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU174126U1 true RU174126U1 (ru) | 2017-10-03 |
Family
ID=60041113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016151509U RU174126U1 (ru) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Алмазный диод с барьером шоттки |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU174126U1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115799344A (zh) * | 2023-02-03 | 2023-03-14 | 深圳平创半导体有限公司 | 一种碳化硅jfet元胞结构及其制作方法 |
| RU2816671C1 (ru) * | 2023-12-04 | 2024-04-03 | Общество с ограниченной ответственностью "Индустриальные Углеродные Технологии" | Способ изготовления алмазного диода Шоттки |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352908A (en) * | 1991-03-29 | 1994-10-04 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Diamond Schottky diode with oxygen |
| US5362975A (en) * | 1992-09-02 | 1994-11-08 | Kobe Steel Usa | Diamond-based chemical sensors |
| US6833027B2 (en) * | 2001-09-26 | 2004-12-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of manufacturing high voltage schottky diamond diodes with low boron doping |
| RU2488912C2 (ru) * | 2011-07-07 | 2013-07-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли РФ | Способ изготовления диода шоттки |
| US20150236097A1 (en) * | 2014-02-17 | 2015-08-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
2016
- 2016-12-27 RU RU2016151509U patent/RU174126U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352908A (en) * | 1991-03-29 | 1994-10-04 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Diamond Schottky diode with oxygen |
| US5362975A (en) * | 1992-09-02 | 1994-11-08 | Kobe Steel Usa | Diamond-based chemical sensors |
| US6833027B2 (en) * | 2001-09-26 | 2004-12-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of manufacturing high voltage schottky diamond diodes with low boron doping |
| RU2488912C2 (ru) * | 2011-07-07 | 2013-07-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли РФ | Способ изготовления диода шоттки |
| US20150236097A1 (en) * | 2014-02-17 | 2015-08-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115799344A (zh) * | 2023-02-03 | 2023-03-14 | 深圳平创半导体有限公司 | 一种碳化硅jfet元胞结构及其制作方法 |
| RU2816671C1 (ru) * | 2023-12-04 | 2024-04-03 | Общество с ограниченной ответственностью "Индустриальные Углеродные Технологии" | Способ изготовления алмазного диода Шоттки |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7349672B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード及びｐｎ接合部 | |
| CN109920857B (zh) | 一种肖特基二极管及其制备方法 | |
| JP5411422B2 (ja) | バイポーラ型半導体装置、その製造方法およびツェナー電圧の制御方法 | |
| WO2006122252A2 (en) | Silicon carbide junction barrier schottky diodes with suppressed minority carrier injection | |
| JP6991503B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
| Hao et al. | Improved vertical β-Ga 2 O 3 Schottky barrier diodes with conductivity-modulated p-NiO junction termination extension | |
| JP3848700B2 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置 | |
| EP3945607A1 (en) | Silicon carbide diode with reduced voltage drop, and manufacturing method thereof | |
| CN107978642A (zh) | 一种GaN基异质结二极管及其制备方法 | |
| EP3930010B1 (en) | Method for manufacturing a uv-radiation detector device based on sic, and uv-radiation detector device based on sic | |
| Grekhov et al. | Sub-nanosecond semiconductor opening switches based on 4H–SiC p+ pon+-diodes | |
| RU174126U1 (ru) | Алмазный диод с барьером шоттки | |
| CN112951905A (zh) | 一种SiC逆导型绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法 | |
| JP3817915B2 (ja) | ショットキーダイオード及びその製造方法 | |
| Huang et al. | High-voltage diamond Schottky rectifiers | |
| CN104835852B (zh) | 二极管 | |
| CN112531007A (zh) | 具有梯度深度p型区域的结势垒肖特基二极管及制备方法 | |
| CN210349845U (zh) | 一种碳化硅结势垒肖特基二极管 | |
| JP6335717B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| Agarwal et al. | The first demonstration of the 1 cm/spl times/1 cm SiC thyristor chip | |
| RU2816671C1 (ru) | Способ изготовления алмазного диода Шоттки | |
| Kong et al. | A Sidewall Enhanced Trench Poly-Si/SiC Heterojunction Diode with Energy Barrier Height Control Technology | |
| US20230326975A1 (en) | Silicon carbide diode with reduced voltage drop, and manufacturing method thereof | |
| Kundeti | The properties of SiC barrier diodes fabricated with Ti schottky contacts | |
| RU2805563C1 (ru) | КРИСТАЛЛ СИЛОВОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ И p-n ПЕРЕХОДАМИ |