RU173825U1 - Подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем - Google Patents

Подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем Download PDF

Info

Publication number
RU173825U1
RU173825U1 RU2017109076U RU2017109076U RU173825U1 RU 173825 U1 RU173825 U1 RU 173825U1 RU 2017109076 U RU2017109076 U RU 2017109076U RU 2017109076 U RU2017109076 U RU 2017109076U RU 173825 U1 RU173825 U1 RU 173825U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
periphery
manufacture
semiconductor wafer
conductive layer
vacuum deposition
Prior art date
Application number
RU2017109076U
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Геннадьевич Дрюков
Николай Николаевич Никульченко
Олег Валерьевич Рувинский
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС")
Priority to RU2017109076U priority Critical patent/RU173825U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU173825U1 publication Critical patent/RU173825U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к области микроэлектроники и может быть использована в системах для обработки полупроводниковых пластин и, в частности, в системах для формирования токопроводящего покрытия методом вакуумного напыления с последующим электрохимическим осаждением металла при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем (МИС). Технический результат - повышение степени совместимости технологических процессов, улучшение электрофизических характеристик и увеличение процента выхода годных МИС. Данная полезная модель позволяет формировать покрытие, обеспечивающее электрический контакт ко всей поверхности полупроводниковой пластины, в том числе и к периферии. Подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ МИС содержит фаску по внешнему диаметру для его размещения в штатном механизме крепления вакуумной установки и пазы по внутреннему диаметру для точного позиционирования пластины относительно источника испарения, при этом открытая область подложкодержателя, через которую проходит поток распыляемого материала на лицевую сторону пластины, имеет выборки по периметру области. 2 ил.

Description

Полезная модель относится к области микроэлектроники и может быть использована в системах для обработки полупроводниковых пластин (подложек) и, в частности, в системах для напыления металла на полупроводниковые пластины при формировании токопроводящих слоев для последующего электрохимического осаждения металла при создании СВЧ монолитных интегральных схем (МИС).
Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением монолитных интегральных схем, которые представляют собой функционально законченные устройства.
Изготовление МИС включает в себя несколько технологических этапов, одними из которых являются вакуумное напыление и последующее электрохимическое осаждение основного слоя металлизированного покрытия, которое выполняет функцию проводника и является верхним уровнем металлизации МИС.
Осажденный электрохимическим методом металлизированный слой должен обладать высоким показателем электропроводности, равномерностью и однородностью по всей поверхности пластины (как правило, для этих целей применяется золото).
Современные установки электрохимического осаждения для обеспечения высокой равномерности толщины осажденных металлов имеют подложкодержатели с многоточечными зажимами, размещенными по периферии пластины.
При производстве МИС для повышения качества и процента выхода годных одним из важных условий является совместимость подложкодержателей различных типов используемого оборудования для сквозного прохождения пластины по технологическому маршруту.
Для проведения операции электрохимического осаждения золота необходимо формирование на поверхности пластины токопроводящего слоя методом вакуумного напыления. В процессе вакуумного напыления необходимо обеспечить крепление полупроводниковых пластин. Одним из способов является закрепление пластины к подложкодержателю прижимными скобами [1 - RU 2380786, Приспособление для закрепления пластины, 2008]. Данный способ позволяет производить запыление всей поверхности пластины, в том числе и периферии, токопроводящим слоем, что необходимо для проведения процесса электрохимического осаждения золота на установках с многоточечными зажимами. Недостатком данного способа является возникновение механических напряжений в точках прижима, что приводит к появлению дефектов вплоть до раскола пластины. Кроме того, прижимные скобы экранируют часть поверхности пластины от напыляемого материала, что приводит к неравномерности пленки по толщине.
В [2 - US 5,703,493, Wafer holder for semiconductor applications, 1997] описан подложкодержатель для полупроводниковых пластин, используемый для транспортировки и промежуточных электрофизических измерений полупроводниковых пластин. Недостатками данного аналога является невозможность покрытия периферии пластины (~1,5-2 мм) токопроводящим слоем и возникновение механических напряжений при фиксации полупроводниковых пластин.
В [3 - ЕР0 339279 B1, Method for making a wafer holder for use in rapid thermal processing equipment, 1989] описан подложкодержатель для полупроводниковых пластин, используемый при проведении процессов быстрой термической обработки. Данный аналог позволяет покрыть периферию пластины (~1,5-2 мм) токопроводящим слоем. Однако, недостатком является невозможность применения данного аналога в установках вакуумного формирования металлизированных слоев.
В [4 - US 8,481,344 В2, Methods of evaporating metal onto a semiconductor wafer in a test wafer holder, 2013] описана обработка полупроводниковых пластин, включающая в себя нанесение тонкой пленки металла на подложку путем напыления, которое осуществляется нагревом испаряемого металла, образованием металлического пара и последующей конденсации металла на пластине, для получения металлизированных слоев. Пленка может быть использована в различных целях. Также, в данной работе описан подложкодержатель для полупроводниковых пластин, который принят за прототип. Недостатком данного прототипа является невозможность покрытия периферии пластины (~1,5-2 мм) токопроводящим слоем, что не позволяет впоследствии обеспечить электрический контакт многоточечных зажимов установки электрохимического осаждения к пластине, что, в свою очередь, исключает возможность совместимости технологического оборудования и влечет за собой ухудшение качества металлизированного покрытия, ухудшение равномерности толщины гальванического металла по пластине, ухудшение надежности, а также снижение воспроизводимости параметров и, соответственно, снижение процента выхода годных изготавливаемых МИС.
Задачей полезной модели является разработка и изготовление подложкодержателя для установки вакуумного напыления металлов, который позволяет секторально формировать металлизированный слой по периферии полупроводниковой пластины, необходимый для обеспечения точечных контактов при гальваническом осаждении металла и обеспечивающий стыковку технологического оборудования вакуумного напыления и электрохимического осаждения металлов.
Для решения поставленной задачи предлагается подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем, содержащий фаску по внешнему диаметру для его размещения в штатном механизме крепления вакуумной установки и пазы по внутреннему диаметру для точного позиционирования пластины относительно источника испарения. Согласно полезной модели открытая область подложкодержателя, через которую проходит поток распыляемого материала на лицевую сторону полупроводниковой пластины, имеет выборки по периметру области.
Технический результат - повышение степени совместимости технологических процессов, улучшение электрофизических характеристик и увеличение процента выхода годных МИС.
Совокупность отличительных признаков и свойств предлагаемого подложкодержателя из литературы не известна, поэтому полезная модель соответствует критериям новизны.
На фигуре 1 изображен чертеж разработанного подложкодержателя, использование которого, при формировании токопроводящего слоя, позволяет проводить операции электрохимического осаждения металла на установке с трехточечными краевыми зажимами на полупроводниковых пластинах при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем.
На фигуре 2 представлен чертеж разработанного подложкодержателя, использование которого, позволяет проводить операции электрохимического осаждения металла на установке с четырехточечными краевыми зажимами на полупроводниковых пластинах при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем.
Подложкодержатель (фиг. 1, 2)выполнен из нержавеющей стали, содержащий фаску 1 по внешнему диаметру. Диаметр подложкодержателя должен совпадать с диаметром отверстия в штатном механизме крепления вакуумной установки, удерживающим подложкодержатель при вращении. Для точного позиционирования пластины относительно источника испарения подложкодержатель содержит пазы 2 по внутреннему диаметру. Во избежание механических напряжений и экранирования части поверхности пластины от напыляемого материала на пластине в процессе напыления полупроводниковые пластины не закрепляются зажимами, а укладываются в пазы 2 подложкодержателя и удерживаются в нем под собственным весом. Открытая область подложкодержателя, через которую проходит поток распыляемого материала на лицевую сторону полупроводниковой пластины, имеет выборки 3 по периметру области. Выборки 3 в подложкодержателе необходимы для обеспечения формирования токопроводящего слоя на периферии пластины в местах контакта многоточечного зажима установки электрохимического осаждения металла. Количество и размер выборок 3 определяются конструкцией электродов конкретной установки электрохимического осаждения.
Принцип действия заявленного устройства состоит в следующем: полупроводниковая пластина укладывается в подложкодержатель, имеющий выборки 3 по периметру открытой области, который помещается в штатный механизм крепления вакуумной установки. В процессе напыления осуществляется нагрев испаряемого металла, образование металлического пара и впоследствии конденсация металла на пластине, в том числе по периметру открытой области подложкодержателя, в местах, имеющих соответствующие выборки 3. Образованный по периферии токопроводящий слой позволяет обеспечить электрический контакт многоточечных зажимов установки электрохимического осаждения металлов к пластине.
Предлагаемый подложкодержатель обеспечивает:
- формирование токопроводящего слоя металла, обеспечивающего электрический контакт к периферии пластины;
- формирование верхнего уровня металлизации методом электрохимического осаждения металла на установках с многоточечными краевыми зажимами.

Claims (1)

  1. Подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем, содержащий фаску по внешнему диаметру для его размещения в штатном механизме крепления вакуумной установки и пазы по внутреннему диаметру для точного позиционирования пластины относительно источника испарения, отличающийся тем, что открытая область подложкодержателя, через которую проходит поток распыляемого материала на лицевую сторону полупроводниковой пластины, имеет выборки по периметру области.
RU2017109076U 2017-03-17 2017-03-17 Подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем RU173825U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017109076U RU173825U1 (ru) 2017-03-17 2017-03-17 Подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017109076U RU173825U1 (ru) 2017-03-17 2017-03-17 Подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU173825U1 true RU173825U1 (ru) 2017-09-13

Family

ID=59894096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017109076U RU173825U1 (ru) 2017-03-17 2017-03-17 Подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU173825U1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU198976U1 (ru) * 2020-03-04 2020-08-05 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления
RU217267U1 (ru) * 2023-01-24 2023-03-24 Общество с ограниченной ответственностью "ДИЗАЙН-ЦЕНТР ОРБИТА" Многофункциональный подложкодержатель для пластин, используемый при изготовлении монолитных интегральных схем

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0339279A2 (en) * 1988-03-31 1989-11-02 Air Products And Chemicals, Inc. Method for making a wafer holder for use in rapid thermal processing equipment
RU2092930C1 (ru) * 1995-07-18 1997-10-10 Залевский Игорь Дмитриевич Подложкодержатель
US5703493A (en) * 1995-10-25 1997-12-30 Motorola, Inc. Wafer holder for semiconductor applications
JP2002280441A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Nec Kyushu Ltd 成膜装置
RU2380786C1 (ru) * 2008-11-18 2010-01-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Федеральный научно-производственный центр по радиоэлектронным системам и информационным технологиям имени В.И. Шимко" (ФГУП "Федеральный НПЦ "Радиоэлектроника" им. В.И. Шимко") Приспособление для закрепления пластины
JP2013049592A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Nichia Corp 結晶基板の製造方法及び基板保持具
US8481344B2 (en) * 2010-10-05 2013-07-09 Skyworks Solutions, Inc. Methods of evaporating metal onto a semiconductor wafer in a test wafer holder

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0339279A2 (en) * 1988-03-31 1989-11-02 Air Products And Chemicals, Inc. Method for making a wafer holder for use in rapid thermal processing equipment
RU2092930C1 (ru) * 1995-07-18 1997-10-10 Залевский Игорь Дмитриевич Подложкодержатель
US5703493A (en) * 1995-10-25 1997-12-30 Motorola, Inc. Wafer holder for semiconductor applications
JP2002280441A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Nec Kyushu Ltd 成膜装置
RU2380786C1 (ru) * 2008-11-18 2010-01-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Федеральный научно-производственный центр по радиоэлектронным системам и информационным технологиям имени В.И. Шимко" (ФГУП "Федеральный НПЦ "Радиоэлектроника" им. В.И. Шимко") Приспособление для закрепления пластины
US8481344B2 (en) * 2010-10-05 2013-07-09 Skyworks Solutions, Inc. Methods of evaporating metal onto a semiconductor wafer in a test wafer holder
JP2013049592A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Nichia Corp 結晶基板の製造方法及び基板保持具

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU198976U1 (ru) * 2020-03-04 2020-08-05 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления
RU217267U1 (ru) * 2023-01-24 2023-03-24 Общество с ограниченной ответственностью "ДИЗАЙН-ЦЕНТР ОРБИТА" Многофункциональный подложкодержатель для пластин, используемый при изготовлении монолитных интегральных схем

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103261477B (zh) 用于向基底上沉积层的设备和方法
US4144139A (en) Method of plating by means of light
RU173825U1 (ru) Подложкодержатель для вакуумного напыления с секторальным формированием токопроводящего слоя по периферии полупроводниковой пластины при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем
US2969296A (en) Thermal expansion fixture for spacing vaporized contacts on semiconductor devices
US10113245B2 (en) Electroplating contact ring with radially offset contact fingers
JP2008255435A (ja) 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法
US8932476B2 (en) Porous metal etching
TW201300555A (zh) 偵測沈積條件
US3437888A (en) Method of providing electrical contacts by sputtering a film of gold on a layer of sputtered molybdenum
US20220344282A1 (en) Stress and overlay management for semiconductor processing
RU169200U1 (ru) Устройство вакуумно-плазменной однородной модификации поверхности деталей
CN102817006B (zh) 利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法
CN108428611A (zh) 一种调节离子铣均匀性的方法
CN110983276A (zh) 一种氮化钽薄膜电阻器的制备方法及制备设备
US6214413B1 (en) Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
JPS58209111A (ja) プラズマ発生装置
US5068020A (en) Coated substrates and process
CN109659236B (zh) 降低vdmos恢复时间的工艺方法及其vdmos半导体器件
CN210657128U (zh) 一种金属有机化合物化学气相沉积机台
CN113555495B (zh) 一种薄膜压力传感器及其制备方法与应用
US3723178A (en) Process for producing contact metal layers consisting of chromium or molybdenum on semiconductor components
CN212451614U (zh) 一种新型载片盘及镀膜装置
TW201828402A (zh) 使用夾具的半導體製造用之部件製作方法及設備
US20160013032A1 (en) Cathode assembly, physical vapor deposition system, and method for physical vapor deposition
KR20200139260A (ko) 도금 동작들을 위한 기판 습윤성 개선

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20210318