RU1718461C - Способ дуговой обработки изделий - Google Patents

Description

(Л

с

Изобретение относитс  R дуговой обработке деталей дл  удалени  с их поверхности окисной пленки и загр знений , закалки поверхностнрго сло , удалени  заусенец и т.д.

Целью изобретени   вл етс , повышение качества обработки металлических изделий.;

Предлагаемый способ по сн етс  фиг.1 и 2: на фиг.1 - схема устройства дл  осуществлени  обработки прот женного издели , например стержн ; на фиг.2 - схема устройства дл  обработки участка листового издели , ; .

Предлагаемый способ осуществл етс  следующим образом.

. В вакуумной камере на изделии J, представл ющем собой металлическую пластину со сваренным швом 2, создав ют поверхность равного потенциала,.

дл  чего подсоедин ют симметрично то- коиодподы 3, которые защищают элект- роизолированиыми экранами 4. Электро- изолированные экраны 4 устанавливают дл  защиты токоподводов 3 при обработке участков издели  1. Около издели  1 помещают анод 5 с токоподводом 6, защищенным электронзолированным экраном 7. Токоподводом 3 изделие 1 подсоедин ют к отрицательному выводу источника 8 тока через нагрусочное сопротивление 9, а анод 5 - к положительному выводу источника 8 тока. Че-- рез нагрузочное сопротивление Ю к источнику 8 тока подсоедин ют также поджигающий электрод 11. Анод 5 соедин ют с сиетёмрй 12 его перемещени . После этого вакуумную камеру герме- тиче-ски закрвтают и откачивают из нее воздух до остаточного давлени  ниже

41

00

О)

10 f тор. При таком давлении зажигают поджигающим электродом 11 дугу в режиме , характеризуемом.падающим участком вольт-амперной характеристики. В это врем  на катоде издели  1 формируетс  большое количество п тен, перемечающихс  вблизи торца анода 5. Перемещают анод 5 по заданной программе , т.е. с запрограммированной скоростью, что приводит к перемещению комплекса катодных п тен с той же скоростью.

Пример 1. Очищали от окалины пластину из стали марки Х18Н10Т. Толщина окалины см, толщина пластины 0,1 см, ширина пластины 4,5 см. - Схема создани  на изделии поверхности ранного потенциала соответствовала схеме фиг.1. Ток разр да составл л 320 Л. Анод перемещали вдоль очищаемого участка со скоростью 6 см/с, Осуществл ли равномерное перемещение анода. Катодные п тна перемещались по изделию со скоростью перемещени  анода . Результат очистки оценивали ви уапьно. Окапина была полностью удалена с поверхности пластины. Врем  j затраченное на процесс очистки первого метра составило 17 Ј. Скорость очистки по сравнению со скоростью электрохимического травлени  в 1,5 раза больше.

П р и м е р 2. Осуществл ли съем материала толщиной 0,08 мм с листа из стали марки 60Г. Поверхность равного потенциала на игзделии создавали в соответствии с фиг.2. Анод располагали так, что его торец располагалс  над центром кольцевого контакта токо- подвода. Ток разр да составл л 160 А. Анод перемещали по поверхности издели  со скоростью 15 см/с вместе с кольцевым контактом токоподвода. Врем  обработки составило 12 мин, по сравнению с временем 25 мин по способу электрохимического травлени  мы имеем увеличение производительности в 2 раза.

Пример 3. Проводили очистку от окалины и полировку стержн  из

0

5

0

0

5

0

5

стали марки сталь 45. Толщина окалины вдоль стержн  составл ла пор дка 10 ем, что соответствовало окалине, образованной на изделии при закалке ее маслом после СВЧ-обработки. Поверхность равного потенциала на стержне создавали в соответствий со схемой фиг.1. Вначале проводили очистку при токе разр да 230 А и скорости перемещени  анода 4 см/с. Затем при том же токе разр да увеличивали - скорость перемещени  анода до 15 см/с и перемещали анод равномерно вдоль всей поверхности стержн  до достижени  желаемой степени полировки-. Результат оценивали визуально. Положительным результатом обработки  вл етс  то, что имеющиес  на поверхности издели  едва видимые заусеницы удал ютс  разр дом. .

Пример 4. Проводили очистку от окалины и полировку длинной пилы (диск диаметром 32 см с зубь ми по краю) примен ющейс  в хлопкоочистительной промышленности. Материал - сталь 65Г, толщина окалины 0,01 - 0,015 см. Поверхность равного потенциала .на изделии создавали подсоединением к. диску пилы токоподвода в его центре. Вначале проводили очистку от окалины при токе разр да 230 А. Анод вращали равномерно по кругу над обрабатываемой поверхностью со скоростью перемещени  7 см/с. После удалени  окалины при том же токе разр да увеличивали скорость перемещени  анода до 1200 см/с путем увеличени  числа оборотов и проводили обработку в течение 10 мин, пока не сгладилс  рельеф поверхности.

Симметричное подключение токопод- водов к изделию обеспечивает получение на обрабатываемом участке поверхность равного потенциала, что позвол ет при перемещении анода со скоростью 10° - 10 см/с получать более высокое качество обработанной поверхности за счет, того, что перемещение комплекса катодных п тен будет управл емым и более упор доченным.

J 4 / 2

Фиъ.2