RU142036U1 - Ультрафиолетовый излучающий диод - Google Patents

Ультрафиолетовый излучающий диод Download PDF

Info

Publication number
RU142036U1
RU142036U1 RU2014100302/28U RU2014100302U RU142036U1 RU 142036 U1 RU142036 U1 RU 142036U1 RU 2014100302/28 U RU2014100302/28 U RU 2014100302/28U RU 2014100302 U RU2014100302 U RU 2014100302U RU 142036 U1 RU142036 U1 RU 142036U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystal
ultraviolet
reflector
emitting
lens
Prior art date
Application number
RU2014100302/28U
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Екимович Удальцов
Алина Александровна Титова
Андрей Валерьевич Желаннов
Олег Григорьевич Фомин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Priority to RU2014100302/28U priority Critical patent/RU142036U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU142036U1 publication Critical patent/RU142036U1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

1. Ультрафиолетовый излучающий диод, содержащий излучающий кристалл с гетеропереходами, установленный на теплоотводящем керамическом основании, отражатель бокового излучения кристалла внутри сопряженного с ними полимерного купола, отличающийся тем, что отражатель и купол изготовлены из пластмассы с высоким коэффициентом пропускания ультрафиолетового излучения и вместе образуют линзу, имеющую полусферическую полость для размещения излучающего кристалла.2. Ультрафиолетовый излучающий диод по п. 1, отличающийся тем, что пространство полусферической полости, не занятое кристаллом, заполняется прозрачным для ультрафиолетового излучения гелем (компаундом).

Description

Полезная модель относится к оптоэлектронике, в частности к светодиодной технике и может быть использована для создания компактных устройств подсветки ультрафиолетовым излучением. Современные светоизлучающие диоды обладают высоким коэффициентом полезного действия, достигающим 50 и более процентов, благодаря высокому внутреннему квантовому выходу и специальным мерам, принимаемым для увеличения коэффициента вывода излучения. В ультрафиолетовой области спектра эти показатели в несколько раз ниже в силу объективных причин. В связи с этим при конструировании диодов с ультрафиолетовым излучением необходимо использовать передовые технологии и современные достижения оптической электроники и материаловедения с целью создания надежных приборов с увеличенной мощностью излучения.
Известна конструкция светодиода (см. RU 2207663, H01L 33/00, 27.06.2003), содержащего излучающие кристаллы с p-n-переходами, отражатель бокового излучения кристаллов, установленные на теплоотводящем основании внутри сопряженного с ними полимерного полусферического купола из эпоксидного компаунда с показателем преломления n=1,5-1,6, выполнен таким образом, что светоотражающая поверхность отражателя покрыта слоем кремнийорганического компаунда, который не смачивается эпоксидным компаундом полимерного купола. Вследствие эффекта несмачивания на границе раздела эпоксидного и кремнийорганического компаундов возникает тонкая воздушная прослойка, благодаря которой на поверхности эпоксидного компаунда, прилегающей к отражателю, действует эффект полного внутреннего отражения лучей, падающих на границу раздела под углом, большим критического для границы эпоксидного компаунда с воздухом. Эта граница 100-процентно зеркально отражает фотоны, падающие на нее под углом, большим критического. Проведенные исследования показали, что применение предлагаемого изобретения позволяет повысить световой поток на 20-30%.
Недостатком известной конструкции является ограничение ее использования для ультрафиолетового излучения из-за больших потерь на поглощение в применяемых материалах, а также относительно низкой теплопроводности металлостеклянного корпуса.
Задачей предлагаемой полезной модели является повышение удельной мощности светодиода и увеличение коэффициента вывода ультрафиолетового излучения.
Поставленная цель достигается тем, что в ультрафиолетовом излучающем диоде, содержащем излучающий кристалл с гетеропереходами, установленный на теплоотводящем керамическом основании, отражатель бокового излучения кристалла внутри сопряженного с ними полимерного купола, отражатель и купол изготовлены из пластмассы с высоким коэффициентом пропускания ультрафиолетового излучения и вместе образуют линзу, имеющую полусферическую полость для размещения излучающего кристалла. Причем пространство полусферической полости, не занятое кристаллом, может быть заполнено прозрачным для ультрафиолетового излучения гелем (компаундом).
На фиг. 1 представлена конструкция предлагаемого диода, где:
1 - основание; 2 - контактные площадки; 3 - отверстия установки штифтов оправы линзы; 4 - оправа линзы; 5 - линза; 6 - полусферическая полость; 7 - кристалл излучающего диода; 8 - выводы корпуса.
На основание 1 установлена оправа 4 линзы 5 с полусферической полостью 6, а также кристалл излучающего диода 7, контактные площадки которого соединены с контактными площадками основания и выводами корпуса 8.
Светодиод, содержащий излучающий кристалл с гетеропереходами, отражатель бокового излучения кристалла, установленного на теплоотводящем основании внутри сопряженного с ними полимерного купола излучает и формирует за счет эффектов полного внутреннего отражения и преломления лучей направленный поток ультрафиолетового излучения. Теплоотводящее основание прибора выполнено из керамики с высокой удельной теплопроводностью (более 150 Вт/(м·K)), снабжено металлизированными контактными площадками для пайки или разварки выводов кристалла диода, а также контактами для поверхностного либо навесного монтажа прибора. В основании имеются отверстия для штифтов, используемых для крепления оправы линзы путем их оплавления. Линза выполнена из пластмассы с высоким коэффициентом пропускания ультрафиолетового излучения, имеет полусферическую полость для размещения излучающего кристалла. Боковая поверхность линзы в виде усеченного конуса обеспечивает полное внутреннее отражение лучей, исходящих от кристалла. Конструкция прибора пригодна для монтажа по групповой технологии СОВ (чип на плате), с последующим разделением кадров оснований и установкой линзы.
Разработана конструкция высокоэффективного излучающего диода по предполагаемому варианту. Применен кристалл с ультрафиолетовым излучением на основе p-n-гетероструктуры в системе GaAlN фирмы "Нитридные кристаллы" размером 1,0×1,0 мм, с длиной волны излучения 360 нм и с мощностью излучения более 20 мВт при токе 350 мА. При пропускании электрического тока через кристалл генерируемое ультрафиолетовое излучение направляется как на поверхность отражателя, так и на световыводящую поверхность линзы. Боковое излучение кристаллов за счет внутреннего отражения на конической поверхности эффективно используется и после фокусировки на сферической поверхности линзы выводится из корпуса.
Предлагаемая конструкция позволяет повысить удельную мощность светодиода и увеличить коэффициент вывода ультрафиолетового излучения.

Claims (2)

1. Ультрафиолетовый излучающий диод, содержащий излучающий кристалл с гетеропереходами, установленный на теплоотводящем керамическом основании, отражатель бокового излучения кристалла внутри сопряженного с ними полимерного купола, отличающийся тем, что отражатель и купол изготовлены из пластмассы с высоким коэффициентом пропускания ультрафиолетового излучения и вместе образуют линзу, имеющую полусферическую полость для размещения излучающего кристалла.
2. Ультрафиолетовый излучающий диод по п. 1, отличающийся тем, что пространство полусферической полости, не занятое кристаллом, заполняется прозрачным для ультрафиолетового излучения гелем (компаундом).
Figure 00000001
RU2014100302/28U 2014-01-09 2014-01-09 Ультрафиолетовый излучающий диод RU142036U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014100302/28U RU142036U1 (ru) 2014-01-09 2014-01-09 Ультрафиолетовый излучающий диод

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014100302/28U RU142036U1 (ru) 2014-01-09 2014-01-09 Ультрафиолетовый излучающий диод

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU142036U1 true RU142036U1 (ru) 2014-06-20

Family

ID=51218977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014100302/28U RU142036U1 (ru) 2014-01-09 2014-01-09 Ультрафиолетовый излучающий диод

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU142036U1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2584000C2 (ru) * 2014-09-11 2016-05-20 Акционерное общество "Государственный завод "Пульсар" Светодиодная лампа
CN109152854A (zh) * 2016-05-24 2019-01-04 飞利浦照明控股有限公司 消费者机器内的uv模块

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2584000C2 (ru) * 2014-09-11 2016-05-20 Акционерное общество "Государственный завод "Пульсар" Светодиодная лампа
CN109152854A (zh) * 2016-05-24 2019-01-04 飞利浦照明控股有限公司 消费者机器内的uv模块
CN109152854B (zh) * 2016-05-24 2022-02-25 昕诺飞控股有限公司 消费者设备内的uv模块

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI619268B (zh) 紫外光發光二極體的封裝結構
US7744236B2 (en) Underwater lamp
JP5178714B2 (ja) 照明装置パッケージ
JP5226077B2 (ja) 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
TW200616249A (en) A low thermal resistance LED package
US20060138443A1 (en) Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes
WO2014039833A4 (en) Integrated led based illumination device
CN101079464A (zh) 紫外线发光元件封装
RU2010109737A (ru) Оптический элемент, связанный с низкопрофильным светоизлучающим диодом бокового излучения
US20070114549A1 (en) Light-emitting diode
KR20130048159A (ko) 발광 다이오드
JP2015097256A (ja) 波長変換板、およびそれを用いた照明装置
JP2011014535A (ja) 照明装置
CN102844896A (zh) Led热量和光子提取装置
JP6730017B2 (ja) 発光素子パッケージ、及びこれを含む照明システム
RU142036U1 (ru) Ультрафиолетовый излучающий диод
JP6452054B2 (ja) 流体充填型led灯
TW201424045A (zh) 發光裝置及其製造方法
KR101206990B1 (ko) 이중 확산커버가 구비된 후배광형 엘이디 조명 장치
JP2016213453A (ja) Ledモジュール、および、それを用いたランプ
JP2009010048A (ja) 発光装置
KR20080079853A (ko) 체결 구조를 구비한 발광 다이오드
Brukilacchio et al. Beyond the limitations of today's LED packages: optimizing high-brightness LED performance by a comprehensive systems design approach
KR100887401B1 (ko) 발광 다이오드 모듈
RU47136U1 (ru) Светоизлучающий диод

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20150110