RU1306175C - Device for liquid-phase epitaxy - Google Patents
Device for liquid-phase epitaxy Download PDFInfo
- Publication number
- RU1306175C RU1306175C SU3849671A RU1306175C RU 1306175 C RU1306175 C RU 1306175C SU 3849671 A SU3849671 A SU 3849671A RU 1306175 C RU1306175 C RU 1306175C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- holder
- container
- pusher
- melts
- substrates
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур, и может быть использовано при производстве светоизлучающих приборов. The invention relates to electronic equipment, in particular to devices for liquid-phase epitaxy of multilayer semiconductor structures, and can be used in the manufacture of light-emitting devices.
Цель изобретения - увеличение производительности. The purpose of the invention is to increase productivity.
На чертеже изображено предлагаемое устройство в продольном разрезе, общий вид. The drawing shows the proposed device in longitudinal section, General view.
Устройство содержит графитовый корпус 1 с крышкой 2 и выступами 3. Внутри корпуса размещен контейнер 4 с емкостями 5 для исходных расплавов 6 и пазов 7 для направления толкателя 8 поршней 9. Каждый поршень 9 имеет скошенную поверхность 10, а емкости 5 снабжены каналами 11 для подачи расплава. The device contains a graphite body 1 with a
На контейнере 4 размещен многосекционный держатель 12 с ячейками для подложек 13, установленных вертикально рабочими сторонами друг к другу, между которыми образованы камеры роста 14. Держатель 12 снабжен толкателем 15, который жестко соединен с толкателем 8 поршней. В верхней части устройства с левой стороны установлена емкость 16 для отработанного расплава. С толкателями и корпусом соединены штоки 17 и 18 для управления. On the
Работу с устройством осуществляют следующим образом. Work with the device as follows.
В емкости 5 контейнера 4 загружают исходные материалы для расплавов 6. При выращивании гетероструктур для лазеров или светодиодов на основе твердых растворов Ga1-xAlxAs растворы-расплавы формируют на основе Ga, Al, Ga, As (для насыщения расплавов мышьяком) и легирующих компонентов - Те, Sn для получения слоев n-типа проводимости, Zn, Ge, Si для получения слоев р-типа проводимости. Количество емкостей 5 в устройстве определяется необходимостью получения определенного количества слоев.Initial materials for
Затем устанавливают поршни 9 с определенным расположением скошенных поверхностей 10 по отношению к толкателю 8 (как показано на чертеже). Эти операции осуществляют при перевернутом контейнере 4 на плоскости, закрывающей каналы 11 для подачи расплава. Затем контейнер накрывают корпусом 1 и переворачивают. Сверху контейнера устанавливают загруженный подложками 13 держатель 12, причем подложки 13 размещают попарно рабочей стороной друг к другу, что резко увеличивает производительность устройства. Исходное положение держателя и толкателей 8 и 15 крайнее левое. Корпус закрывают крышкой 2 таким образом, что самый левый выступ ее над первым расплавом занимает относительно подложкодержателя правок положение (на чертеже показано аналогичное положение для третьего расплава). Then install the
Толкатели 8 и 15, жестко соединенные между собой, зацепляют штоком 17 и устанавливают в исходное положение. Штоком 18 устройство подают в реактор. Реактор герметизируют и на него надвигают печь до тех пор, пока устройство не оказывается в зоне рабочей температуры. После выдержки и гомогенизации расплавов толкатели 8 и 15 штоком 17 подают вперед (на чертеже вправо) на определенный шаг. При этом поршень 9 первой емкости 5 под воздействием толкателя 8, скользящего по пазу 7 на скошенную поверхность, поднимается вверх, выдавливая расплав в канал 11, а подложкодержатель перемещаясь по контейнеру 4, совмещается поочередно камерами роста 14 с каналом 11. Камеры роста заполняют расплавом, причем продольное перемещение всех ростовых камер относительно канала 11 соответствует полному перемещению поршня. При этом соответствующий выступ 3 крышки удаляет сначала отработанный расплав, а затем излишки нового расплава в емкость 16, увеличивающуюся по мере перемещения подложкодержателя вправо. Такая конструкция позволяет произвести полное очищение ростовых камер от отработанного расплава и предотвратить смешивание каких-либо расплавов. Pushers 8 and 15, rigidly connected to each other, engage the
После наращивания всех слоев печь откатывают, реактор охлаждают и разгерметизируют, устройство с готовыми структурами извлекают из реактора. After building up all the layers, the furnace is rolled back, the reactor is cooled and depressurized, the device with the finished structures is removed from the reactor.
Таким образом, техническим преимуществом данного устройства по сравнению с прототипом является резкое повышение производительности труда за счет применения многосекционного подложкодержателя с попарным расположением подложек в ростовых камерах лицевой поверхностью друг к другу. Thus, the technical advantage of this device compared to the prototype is a sharp increase in labor productivity due to the use of a multi-section substrate holder with a pair of substrates in the growth chambers facing each other.
Наличие выступов на крышке позволяет произвести полное очищение всех ростовых камер от отработанного и излишков нового расплавов, сохраняя при этом качество структур. The presence of protrusions on the lid allows the complete purification of all growth chambers from the spent and excess new melts, while maintaining the quality of the structures.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3849671 RU1306175C (en) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | Device for liquid-phase epitaxy |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3849671 RU1306175C (en) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | Device for liquid-phase epitaxy |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1306175C true RU1306175C (en) | 1995-02-27 |
Family
ID=30440212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU3849671 RU1306175C (en) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | Device for liquid-phase epitaxy |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1306175C (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2638575C1 (en) * | 2016-11-08 | 2017-12-14 | Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех" | Method of producing semiconductor structures by liquid phase epitaxy with high uniformity on thickness of epitaxial layers |
-
1985
- 1985-01-28 RU SU3849671 patent/RU1306175C/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N 768050, кл. C 30B 19/06, 1979. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2638575C1 (en) * | 2016-11-08 | 2017-12-14 | Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех" | Method of producing semiconductor structures by liquid phase epitaxy with high uniformity on thickness of epitaxial layers |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3741825A (en) | Method of depositing an epitaxial semiconductor layer from the liquidphase | |
RU1306175C (en) | Device for liquid-phase epitaxy | |
US3755011A (en) | Method for depositing an epitaxial semiconductive layer from the liquid phase | |
US3767481A (en) | Method for epitaxially growing layers of a semiconductor material from the liquid phase | |
DE1922892B2 (en) | METHOD OF GROWING EPITACTIC FILMS FROM A III B V COMPOUNDS | |
US3648653A (en) | Liquid phase crystal growth apparatus | |
US4338877A (en) | Apparatus for making semiconductor devices | |
US4397260A (en) | Boat for the epitaxial growth of several layers from the liquid phase | |
US4427464A (en) | Liquid phase epitaxy | |
US4393806A (en) | Boat for the epitaxial growth from the liquid phase | |
US4574730A (en) | Melt dispensing liquid phase epitaxy boat | |
JPH0538063Y2 (en) | ||
DE3431738A1 (en) | Device for cooling a support for at least one component | |
JPS5812230B2 (en) | epitaxial epitaxy | |
US4033291A (en) | Apparatus for liquid-phase epitaxial growth | |
RU2515316C1 (en) | Device for liquid phase epitaxy of multilayer semiconductor structures | |
JPS6128635B2 (en) | ||
JPS63131513A (en) | Liquid crystal growth method and apparatus | |
JPS6211223A (en) | Liquid phase epitaxial growth device | |
CS226325B1 (en) | Apparatus for preparing multilayer epitaxial structures by growing from liquid phase | |
JPS59190294A (en) | Process for liquid-phase epitaxial growth of semiconductor crystal | |
DE2111945A1 (en) | Device for growing crystals | |
Bolkhovityanov et al. | A Multipurpose Graphite Boat for LPE Growth of Multilayer Heterostructures | |
SU556118A1 (en) | Device for electrochemical staining of continuous glass ribbon | |
KR890004544B1 (en) | Boat for epitaxical growing of semiconductor |