RU127194U1 - Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников - Google Patents

Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников Download PDF

Info

Publication number
RU127194U1
RU127194U1 RU2012138883/28U RU2012138883U RU127194U1 RU 127194 U1 RU127194 U1 RU 127194U1 RU 2012138883/28 U RU2012138883/28 U RU 2012138883/28U RU 2012138883 U RU2012138883 U RU 2012138883U RU 127194 U1 RU127194 U1 RU 127194U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sample
software
analog
experiment
temperature
Prior art date
Application number
RU2012138883/28U
Other languages
English (en)
Inventor
Андрей Юрьевич Алейников
Василий Сергеевич Захвалинский
Игорь Вадимович Каменев
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет"
Priority to RU2012138883/28U priority Critical patent/RU127194U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU127194U1 publication Critical patent/RU127194U1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Abstract

Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников, включающий аналогово-цифровой преобразователь, контроллер USB, управляющий микроконтроллер и программное обеспечение, отличающийся тем, что дополнительно содержит термоконтроллер, связанный с компьютером через дополнительно установленный преобразователь интерфейса USB, и изменяющий температуру образца в криогенной камере в соответствии с заданными в начале эксперимента параметрами, источник стабильного тока для пропускания тока через образец, гальваническую развязку, разделяющую управляющий микроконтроллер и аналогово-цифровой преобразователь, снабженный аналоговым мультиплексором и дифференциальными входами с коэффициентом подавления синфазной составляющей не менее 100 дБ и сопротивлением более 100 МОм, прецезионный источник опорного напряжения; а также программное обеспечение, позволяющее управлять проведением эксперимента посредством изменения температурного режима образца в заданном интервале и с заданной дискретностью, а также регистрировать результаты измерений в автоматическом режиме.

Description

Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников относится к области измерительной техники для исследования характеристик элементов электронной техники и может быть использован для выявления механизмов электропроводности полупроводниковых материалов, выявления их границ, построения температурных зависимостей сопротивления, а также расчета на основе этих зависимостей таких характеристик, как ширина запрещенной зоны, коэффициент Холла, удельное сопротивление и прочих.
Известно многофункциональное устройство для исследования физико-технических характеристик полупроводников, диэлектриков и электроизоляционных материалов по патенту РФ №2348045 (публ. 27.02.2009), которое предназначено для исследования под действием электрических полей, ультразвуковых вибраций и электромагнитных излучений в широком диапазоне температур и частот таких физико-технических характеристик полупроводников, диэлектриков и электроизоляционных материалов, как диэлектрические потери, комплексная диэлектрическая проницаемость, сопротивление и удельная электропроводность, электрическая емкость, напряженность электрического поля, термостимулированные токи деполяризации и поляризации, термостимулированная люминесценция. Устройство включает стальное основание, электроды равновеликой массы, в нижнем из которых выполнены полости, при этом электрический ввод осуществляется через пластинку из плавленого кварца, в нижний полый электрод введен сменный ультразвуковой преобразователь, создающий в образце ультразвуковые вибрации, верхний электрод прижат к образцу, расположенному на нижнем электроде, при помощи тонкой пластинчатой пружины и пластинки из плавленого кварца, а в вакуумном экранирующем колпаке (камере) выполнено два окна для облучения образца и регистрации его излучения.
Недостатком аналога является необходимость присутствия оператора в течение всего эксперимента, длительность которого, в среднем, при проведении измерений в диапазоне температуры от 10К до 300К может составлять от 10 и более часов.
Наиболее близким по своим признакам, принятым за прототип, является аппаратно-программный комплекс, включающий модуль АЦП/ЦАП ZET 210 с программным обеспечением для компьютера. []
Прототип включает: аналогово-цифровой преобразователь (далее АЦП), два цифро-аналогового преобразователя (ЦАП), управляющий микроконтроллер в виде сигнального процессора, контроллер интерфейса USB, разъемы DB-15 и DB-25, программное обеспечение для компьютера (далее ПО). Аппаратно-программный комплекс ZET 210 предназначен для измерений параметров сигналов в широком частотном диапазоне (с частотой дискретизации до 400 кГц), поступающих с различных первичных преобразователей.
Данный аппаратно-программный комплекс ZET 210 имеет ряд недостатков:
- входные каналы ZET 210 имеют малое входное сопротивление,
- схема обработки данных в комплексе ZET 210 подвержена влиянию помех, наличие которых возможно как на цепи питания, так и на сигнальных цепях со стороны компьютера
- отсутствует возможность производить амплитудные измерения при разных сочетаниях входных линий.
Указанные недостатки приводят к ограничению применения ZET 210 при исследовании электрофизических свойств полупроводников, например, для измерения малых напряжений в условиях помех и для исследования структур с большим внутренним сопротивлением.
Общим недостатком аналога и прототипа является необходимость присутствия оператора в течение всего эксперимента из-за отсутствия функции задания изменения температурного режима образца в заданном интервале и с заданной дискретностью.
Задачей предлагаемого технического решения является устранение недостатков присущих прототипу.
Технический результат:
1. Возможность измерения малых напряжений в условиях помех за счет использования АЦП с дифференциальными входными каналами;
2. Возможность исследовать структуры с большим внутренним сопротивлением за счет того, что использовано АЦП с высоким сопротивлением входных каналов;
3. Поддержка функции автоматического изменения температурного режима образца в заданном интервале и с заданной дискретностью благодаря использованию термоконтроллера, который управляется программным обеспечением, установленном на компьютере, и связан с компьютером через дополнительно установленный преобразователь интерфейса USB, что обеспечивает проведение эксперимента без присутствия оператора;
4. Снижение влияния помех, наличие которых возможно как на цепи питания так и на сигнальных цепях со стороны компьютера, благодаря наличию гальванической развязки между микроконтроллером и схемой преобразования аналоговых данных, включающей АЦП;
5. Возможность производить амплитудные измерения при разных сочетаниях входных линий, за счет использования АЦП снабженного аналоговым мультиплексором с программным управлением.
Поставленная задача решается за счет введения в структуру комплекса, включающего АЦП, контроллер USB, управляющий микроконтроллер, и ПО, новых признаков:
- термоконтроллера, связанного с компьютером через дополнительно установленный преобразователь интерфейса USB, и изменяющий температуру образца в криогенной камере в соответствии с заданными в начале эксперимента параметрами,
- источника стабильного тока для пропускания тока через образец,
- АЦП, снабженного аналоговым мультиплексором и дифференциальными входами с коэффициентом подавления синфазной составляющей не менее 100дБ и с сопротивлением более 100 МОм, что позволяет соответственно производить измерения при различных комбинациях входов, а также производить измерения малых напряжений в условиях помех, исследовать образцы с высоким сопротивлением;
- гальваническую развязку, разделяющую управляющий микроконтроллер и аналогово-цифровой преобразователь (АЦП), что позволяет уменьшить влияние помех амплитудой порядка 2кВ, наличие которых возможно как на цепи питания, так и на сигнальных цепях со стороны компьютера;
- прецезионный источник опорного напряжения для выполнения аналогово-цифрового преобразования с высокой точностью;
- программного обеспечения, позволяющего управлять проведением эксперимента посредством изменения температурного режима образца в заданном интервале и с заданной дискретностью, а также регистрировать результаты измерений в автоматическом режиме.
Полезная модель охарактеризована на следующих фигурах:
- Фигура 1 - структурная схема аппаратно-программного комплекса;
- Фигура 2 - интерфейс программы с заданными начальными условиями;
- Фигура 3 - график, построенный по данным, полученным по окончании эксперимента.
Комплекс содержит криогенную установку 1 для размещения исследуемого образца полупроводника, персональный компьютер 2, связанный с управляющим микроконтроллером 3 через контроллер 4 интерфейса USB, а через преобразователь 5 интерфейса USB с термоконтроллером 6. Управляющий микроконтроллер 3 соединен с отладочным модулем 7, содержащим жидкокристаллический дисплей и однокнопочную клавиатуру, и с источником 8 стабильного тока, который в свою очередь подключен к криогенной установке 1. Гальваническая развязка 9 размещена между микроконтроллером 3 и аналогово-цифровым преобразователем (АЦП) 10, к которому подключен прецизионный источник опорного напряжения 11.
Пример осуществления полезной модели.
Образец полупроводника помещают в криогенную установку 1, в качестве которой была использована криогенная установка Jennis. Затем, для задач отладки программного обеспечения управляющего микроконтроллера 3 используют однокнопочную клавиатуру и жидкокристаллический дисплей модуля 7. Для пропускания тока через образец, расположенный в криогенной камере 1, используют источник 8 стабильного тока.
Программное обеспечение, установленное на компьютере 2, посредством управляющего микроконтроллера 3 позволяет задавать параметры проведения эксперимента:
1. Диапазон температур, в котором будут проводиться измерения;
2. Шаг изменения температуры;
3. Количество пропусков температуры;
4. Величину тока, пропускаемого через образец.
На фигуре 2 представлен пример отображения заданных в начале эксперимента параметров. Также программное обеспечение посредством термоконтроллера 6 позволяет управлять проведением эксперимента путем изменения температурного режима исследуемого образца, проводить измерения амплитудно-временных и температурных характеристик образцов полупроводниковых материалов, т.е. проводить эксперимент в автоматическом режиме. Текущие значения измеряемых параметров и количество проведенных измерений, соответствующих количеству точек в файле, отображаются в соответствующих полях интерфейса программы (фиг.2).
Основой аппаратной части комплекса является 8-и битный управляющий микроконтроллер 3 ATmega16. Он работает под управлением зашитой в его flash памяти программы, реализованной на языке “С” с использованием свободно распространяемых: компилятора WinAvr и среды разработки AVR Studio. Для выполнения вывода информации на жидкокристаллический дисплей, запроса состояния клавиатуры, обмена данными с персональным компьютером 2, оцифровки аналоговых величин посредством аналогово-цифрового преобразователя 10 в программе реализованы функции-задания. Они запускаются в фиксированные интервалы времени посредством соответствующих переменных таймеров.
Термоконтроллер 6, управляемый программным обеспечением, установленным на компьютере 2, обеспечивает изменение температурного режима образца, помещенного в криогенную установку 1, в заданном интервале и с заданной дискретностью, а также фиксирует текущую температуру.
Управляющий микроконтроллер 3 задает величину тока, пропускаемую через образец при помощи источника 8 стабильного тока, а через модуль гальванической развязки 9 посредством интерфейса SPI передает команды аналоговому мультиплексору, встроенному в АЦП 10, и получает с АЦП 10 данные о величинах напряжения, фиксирующихся при достижении необходимого значения температуры образца в соответствии с заданным шагом ее изменения.
Использование гальванической развязки 9 позволяет уменьшить влияние помех амплитудой порядка 2кВ, наличие которых возможно как на силовых проводах питания, так и на сигнальных цепях со стороны компьютера, за счет возможности применять самостоятельное питание для разных частей схемы. Для выполнения аналогово-цифрового преобразования с высокой точностью в схему введен прецизионный источник опорного напряжения 11, например, источник опорного напряжения 2.048В.
Управляющий микроконтроллер 3 работает на частоте 14,7456 MHz. Программирование микроконтроллера 3 осуществляется посредством интерфейса ICSP с помощью программатора AVRISP2. Соединение управляющего микроконтроллера 3 с контроллером 4 осуществляется через входы RXD и TXD. Частота работы контроллера 4 составляет 6 MHz.
В качестве АЦП 10 может быть использована микросхема AD7194 с разрядностью 24 бита, наличием дифференциальных входных каналов, обладающих сопротивлением более 100 МОм, что позволяет увеличить точность измерений и проводить измерения малых напряжений в условиях помех, встроенным в АЦП 10 аналоговым мультиплексором, обеспечивающим возможность проведения амплитудных измерений при разных сочетаниях входных линий. АЦП 10 работает на частоте встроенного генератора 4.92 MHz. Для питания АЦП 10 используется стабилизированное напряжение 5В, которое подается через RC фильтр низких частот. Аналоговые сигналы, получаемые с образца, также подаются через RC фильтры низких частот. Юстировка источника 11 опорного напряжения осуществляется посредством внешнего подстроечного резистора, в соответствии с рекомендациями фирмы изготовителя.
Например, при исследовании свойств образца полупроводника Cu2SnZnS4 в диапазоне температур от 300 до 20К с автоматическим шагом изменения температуры 5К (фиг.2) и измерением возникающих напряжений в четырех точках образца в разных комбинациях, были получены результаты, представленные на фиг 3 в виде построенного графика зависимости удельного сопротивления исследуемого полупроводника от температуры. Минимальные значения зарегистрированных напряжений составили порядка 0,013-0,014 В.
Начало эксперимента - 11:20:25, конец эксперимента - 17:42:37, все изменения температуры и регистрация измеряемых данных проводились автоматически, без участия оператора.
Фактически комплекс заменяет 4 измерителя напряжения высокого класса и устройство сопряжения с компьютером. При этом полученные характеристики комплекса сопоставимы с аналогичными современных измерительных приборов высокого класса.
Заявленный аппаратно-программный комплекс позволяет пропускать ток требуемой для эксперимента величины через образец, помещенный в криогенную установку, автоматически изменять температурный режим образца в соответствии с заданными параметрами, регистрировать возникающие напряжения в четырех-восьми точках образца в разных комбинациях, что позволяет по полученным данным выявлять механизмы электропроводности полупроводниковых материалов, границы электропроводности, и использовать их для построения температурных зависимостей сопротивления, а также расчета на основе этих зависимостей таких характеристик как ширина запрещенной зоны, коэффициент Холла, удельное сопротивление и прочих.

Claims (1)

  1. Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников, включающий аналогово-цифровой преобразователь, контроллер USB, управляющий микроконтроллер и программное обеспечение, отличающийся тем, что дополнительно содержит термоконтроллер, связанный с компьютером через дополнительно установленный преобразователь интерфейса USB, и изменяющий температуру образца в криогенной камере в соответствии с заданными в начале эксперимента параметрами, источник стабильного тока для пропускания тока через образец, гальваническую развязку, разделяющую управляющий микроконтроллер и аналогово-цифровой преобразователь, снабженный аналоговым мультиплексором и дифференциальными входами с коэффициентом подавления синфазной составляющей не менее 100 дБ и сопротивлением более 100 МОм, прецезионный источник опорного напряжения; а также программное обеспечение, позволяющее управлять проведением эксперимента посредством изменения температурного режима образца в заданном интервале и с заданной дискретностью, а также регистрировать результаты измерений в автоматическом режиме.
    Figure 00000001
RU2012138883/28U 2012-09-10 2012-09-10 Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников RU127194U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012138883/28U RU127194U1 (ru) 2012-09-10 2012-09-10 Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012138883/28U RU127194U1 (ru) 2012-09-10 2012-09-10 Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU127194U1 true RU127194U1 (ru) 2013-04-20

Family

ID=49153968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012138883/28U RU127194U1 (ru) 2012-09-10 2012-09-10 Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU127194U1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU169949U1 (ru) * 2016-11-10 2017-04-07 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") Устройство для исследования полупроводников и диэлектриков
RU181384U1 (ru) * 2017-11-13 2018-07-11 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный профессионально-педагогический университет" Устройство для лабораторных исследований удельного электрического сопротивления металлов в широком диапазоне температур

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU169949U1 (ru) * 2016-11-10 2017-04-07 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ") Устройство для исследования полупроводников и диэлектриков
RU181384U1 (ru) * 2017-11-13 2018-07-11 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный профессионально-педагогический университет" Устройство для лабораторных исследований удельного электрического сопротивления металлов в широком диапазоне температур

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100582808C (zh) 一种铁电材料电滞回线的测量方法
CN102193033B (zh) 一种具有快速响应的自电容变化测量电路
Schwall et al. High speed synchronous data generation and sampler system: application to on-line fast Fourier transform faradaic admittance measurements
Haberman et al. A noncontact voltage measurement system for power-line voltage waveforms
CN102914756A (zh) 一种二极管式微波功率探头的全自动校准补偿的方法
Rybski et al. A high-resolution PXI digitizer for a low-value-resistor calibration system
Haberman et al. Noncontact AC voltage measurements: Error and noise analysis
RU127194U1 (ru) Аппаратно-программный комплекс для автоматизированной регистрации электрофизических характеристик полупроводников
Boukamp A microcomputer based system for frequency dependent impedance/admittance measurements
Shenil et al. Evaluation of a digitizer designed to interface a non-intrusive AC voltage measurement probe
Kuklin Device for the field measurements of frequency-dependent soil properties in the frequency range of lightning currents
Yu et al. A reconfigurable tri-mode frequency-locked loop readout circuit for biosensor interfaces
JP2016102749A (ja) 測定装置
JP6416601B2 (ja) 測定装置
CN210401507U (zh) 一种时域中介电材料极化瞬态的测量装置
Prochazka et al. Verification of partial discharge calibrators
Dutta et al. Comparison of direct interfacing and ADC based system for gas identification using E-Nose
Kowalewski et al. Fast high-impedance spectroscopy method using sinc signal excitation
Rosu-Hamzescu et al. High Performance Low Cost Impedance Spectrometer for Biosensing
Wissenwasser et al. Multifrequency impedance measurement technique for wireless characterization of microbiological cell cultures
Pogliano et al. Reconfigurable unit for precise RMS measurements
Yang Construction principle and application test of 220kV self-healing optical voltage sensor
RU112776U1 (ru) Прибор магнитного каротажа лабораторный
Li et al. Uncertainty evaluation for a precision phase measurement system at power frequency
CN102636696A (zh) 一种开关电容型模数转换器输入阻抗的测试方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20160911