RU120811U1 - Устройство для приготовления длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения с помощью лазерной абляции - Google Patents

Устройство для приготовления длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения с помощью лазерной абляции Download PDF

Info

Publication number
RU120811U1
RU120811U1 RU2012100094/07U RU2012100094U RU120811U1 RU 120811 U1 RU120811 U1 RU 120811U1 RU 2012100094/07 U RU2012100094/07 U RU 2012100094/07U RU 2012100094 U RU2012100094 U RU 2012100094U RU 120811 U1 RU120811 U1 RU 120811U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
long
generation
laser ablation
preparation
holder
Prior art date
Application number
RU2012100094/07U
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Васильевич Антоненко
Наталия Викторовна Антоненко
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом", федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Priority to RU2012100094/07U priority Critical patent/RU120811U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU120811U1 publication Critical patent/RU120811U1/ru

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

Устройство для приготовления длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения с помощью лазерной абляции, включающее держатель подложек, размещенный на выдвижном вращающемся модуле, отличающееся тем, что на держателе жестко зафиксирован цилиндр с основанием с закрепленными на его боковой поверхности длинномерными лентами-подложками.

Description

Полезная модель относится к вакуумной напылительной технике, а именно к устройствам для приготовления высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) пленок.
Известен держатель плоских коротких образцов, используемый в установках для приготовления ВТСП пленок с помощью лазерной абляции [1]. Он позволяет проводить напыление на плоские короткие образцы, размеры, которых ограничены нагревателем (номинально диаметром до 50 мм).
Недостатками держателя плоских коротких образцов являются:
- размер подложки ограничен размерами нагревателя;
- отсутствие крепления ленты-подложки может приводить к ее деформации, изгибу и из-за этого к ухудшению качества наносимой пленки или даже при сильном изгибе к невозможности ее нанесения. Так как лента лежит свободно в держателе, то из-за разницы коэффициентов термического расширения материала нагревателя и ленты при нагреве могут возникнуть заметные термические деформации, которые вызовут изгиб или коробление ленты. Помимо этого, при напылении пленки на ленту из-за разницы коэффициентов термического расширения материала ленты и растущей пленки при нагреве могут возникать дополнительно заметные сжимающие или растягивающие термические напряжения.
Технический результат направлен на создание устройства, которое позволит приготавливать пленки ВТСП второго поколения на протяженные ленты-подложки и минимизировать их термические деформации при малых затратах и тем самым повысить его эффективность.
Технический результат достигается тем, что на держателе подложек, размещенный на выдвижном вращающемся модуле, жестко зафиксирован цилиндр с основанием с закрепленными на его боковой поверхности длинномерными лентами-подложками. При этом появляется возможность приготовления пленок ВТСП второго поколения на протяженные ленты-подложки и минимизирование их термических деформаций.
Это достигается тем, что:
- используется цилиндр держатель с основанием;
- ленты-подложки закреплены на цилиндре держателе;
- цилиндр держатель жестко укреплен на вращающемся выдвижном модуле для размещения фиксатора подложек.
На фиг.1 представлена схема устройства для приготовления длинномерных ВТСП лент второго поколения с помощью лазерной абляции с закрепленными лентами-подложками. На этой схеме: 1 - цилиндр с основанием, который жестко укреплен на вращающемся выдвижном модуле 5 для размещения держателя подложек 2. Ленты-подложки 3 закреплены на цилиндре держателе зажимами 4.
Устройство работает следующим образом. На стальной цилиндр с основанием 1 закрепляют длинномерные ленты-подложки 3 зажимами 4. Затем цилиндр жестко крепят к вращающемуся выдвижному модулю 5 для размещения держателя подложек 2, после чего проводят напыление ВТСП пленки.
Таким образом, устройство позволяет приготавливать пленки ВТСП второго поколения на протяженные ленты-подложки и минимизировать их термические деформации при малых затратах.
Список использованных источников:
1. Корпорация PVD Products «Система импульсного лазерного осаждения MBE/PLD-2000. Проект 183. Эксплуатация и обслуживание. Документ №J5000001-36. 231 Andover Street Wilmington MA, 01887. http://www.pvdproducts.com/products/pld_2000_3000.aspx.

Claims (1)

  1. Устройство для приготовления длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения с помощью лазерной абляции, включающее держатель подложек, размещенный на выдвижном вращающемся модуле, отличающееся тем, что на держателе жестко зафиксирован цилиндр с основанием с закрепленными на его боковой поверхности длинномерными лентами-подложками.
    Figure 00000001
RU2012100094/07U 2012-01-10 2012-01-10 Устройство для приготовления длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения с помощью лазерной абляции RU120811U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012100094/07U RU120811U1 (ru) 2012-01-10 2012-01-10 Устройство для приготовления длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения с помощью лазерной абляции

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012100094/07U RU120811U1 (ru) 2012-01-10 2012-01-10 Устройство для приготовления длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения с помощью лазерной абляции

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU120811U1 true RU120811U1 (ru) 2012-09-27

Family

ID=47078909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012100094/07U RU120811U1 (ru) 2012-01-10 2012-01-10 Устройство для приготовления длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения с помощью лазерной абляции

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU120811U1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU178606U1 (ru) * 2017-11-13 2018-04-11 Закрытое акционерное общество "СуперОкс" (ЗАО "СуперОкс") Держатель для высокотемпературной сверхпроводящей ленты
RU199380U1 (ru) * 2020-02-10 2020-08-31 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Дагестанский федеральный исследовательский центр Российской академии наук" Узел нагрева и позиционирования подложек

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU178606U1 (ru) * 2017-11-13 2018-04-11 Закрытое акционерное общество "СуперОкс" (ЗАО "СуперОкс") Держатель для высокотемпературной сверхпроводящей ленты
RU199380U1 (ru) * 2020-02-10 2020-08-31 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Дагестанский федеральный исследовательский центр Российской академии наук" Узел нагрева и позиционирования подложек

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Influence of the growth temperature of AlN nucleation layer on AlN template grown by high-temperature MOCVD
Senaratne et al. Ge1-ySny (y= 0.01-0.10) alloys on Ge-buffered Si: Synthesis, microstructure, and optical properties
RU120811U1 (ru) Устройство для приготовления длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения с помощью лазерной абляции
EA201400222A1 (ru) Способ и устройство для формирования слоистой системы с низкой излучательной способностью
Niedermeier et al. Al-induced crystallization of amorphous SixGe1-x (0⩽ x⩽ 1): Diffusion, phase development and layer exchange
Asano et al. Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1− x− ySixSny on Ge (0 0 1) substrates
CN103954487B (zh) 用于透射电镜的原位拉伸试样的制备方法
Liu et al. Growth of relaxed GeSn film with high Sn content via Sn component-grade buffer layer structure
Klement et al. Formation of a strontium buffer layer on Si (001) by pulsed-laser deposition through the Sr/Si (001)(2× 3) surface reconstruction
Huang et al. The ultra-thin AlN epitaxy on monolayer WS2 by helicon sputtering at 400° C
Wei et al. Ultrafast Al (Si)-induced crystallisation process at low temperature
Son et al. Al-doped ZnO seed layer-dependent crystallographic control of ZnO nanorods by using electrochemical deposition
JP2009295685A (ja) 成膜装置
JP2001122692A (ja) 半導体結晶の製造方法およびこれを利用する製造装置
Al Taleb et al. Ultrasmooth graphene-coated metal thin films on sapphire grown by thermal laser epitaxy
Shishido et al. Ambient temperature epitaxial growth of MgB2 thin films with a Mg buffer layer
GB2508889A (en) Conductive atomic force microscope tips coated with graphene
Zhao et al. Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs (0 0 1) by molecular beam epitaxy
Storm et al. Suppression of Rotational Domains of CuI Employing Sodium Halide Buffer Layers
Yu et al. Wing tilt investigations on GaN epilayer grown on maskless grooved sapphire by MOCVD
Park et al. Synchrotron X-ray diffraction studies of heteroepitaxial ZnO films grown by pulsed laser deposition
Asaoka et al. Surface stress measurement of Si (111) 7× 7 reconstruction by comparison with hydrogen-terminated 1× 1 surface
Shengurov et al. Conditions of growth of high-quality relaxed Si 1–x Ge x layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire
Suzuki et al. RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN
Rajan et al. Novel method for reclaim/reuse of bulk GaN substrates using sacrificial ZnO release layers

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20190111