îNTREPRINDEREA DE CERCETARE SI PRODUCTIE MATERIALE SEMICONDUCTOARE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by îNTREPRINDEREA DE CERCETARE SI PRODUCTIE MATERIALE SEMICONDUCTOAREfiledCriticalîNTREPRINDEREA DE CERCETARE SI PRODUCTIE MATERIALE SEMICONDUCTOARE
Priority to RO128010ApriorityCriticalpatent/RO97805B1/ro
Publication of RO97805B1publicationCriticalpatent/RO97805B1/ro
Inventia s erefera la un procedeu de obtinere a siliciului monocristalin caracterizat prin aceea ca se topeste într-un creuzet din cuart la 1420 degree C o sarja de 0,5...30 kg siliciu policristalin si se creeaza deasupra topiturii, o atmosfera de argon îmbogatita cu bioxod de carbon sau monoxid de carbon, într-un raport volumic de 100 parti argon la 0,05...1 parti bioxid de carbon sau monoxid de carbon.
RO128010A1987-04-271987-04-27Procedeu de obtinere a siliciului monocristalin
RO97805B1
(ro)