PL97312B1 - Uklad elektrooptyczny zwlaszcza do ultraszybkiej migawki swietlnej - Google Patents
Uklad elektrooptyczny zwlaszcza do ultraszybkiej migawki swietlnej Download PDFInfo
- Publication number
- PL97312B1 PL97312B1 PL16948174A PL16948174A PL97312B1 PL 97312 B1 PL97312 B1 PL 97312B1 PL 16948174 A PL16948174 A PL 16948174A PL 16948174 A PL16948174 A PL 16948174A PL 97312 B1 PL97312 B1 PL 97312B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- electro
- crystal
- light shutter
- ultra
- cell
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest uklad elektrooptyczny zwlaszcza do ultraszybkiej migawki swietlnej, zawie¬
rajacy krysztal, którego dwójlomnosc wymuszana jest przylozonym polem elektrycznym, znany pod nazwa
komórki Pockelsa.
Pole elektryczne powoduje zmiane stanu polaryzacji przechodzacego przez komórke promieniowania
swietlnego, dzieki czemu znajduje ona zastosowanie w ukladach optycznych, takich jak modulator swiatla,
migawka swietlna lub przelacznik dobroci komory rezonansowej lasera impulsowego. Rozwój techniki gene¬
racji krótkotrwalych pojedynczych impulsów swietlnych o czasie trwania rzedu jednej nanosekundy wiaze
sie z zastosowaniem ultraszybkiej migawki elektrooptycznej.
Znana jest konstrukcja komórki Pockelsa z patentu francuskiego nr 1578801, skladajaca sie z dwóch
krysztalów elektrooptycznych rozmieszczonych symetrycznie wzgledem elektrody srodkowej i docisnietych
do niej dwiema elektrodami bocznymi, obudowy wykonanej z izolatora oraz dwóch zlacz wspólosiowych.
Do elektrody srodkowej, doprowadzone jest napiecie sterujace z przewodu wewnetrznego jednego ze zlacz
wspólosiowych, natomiast dwie elektrody boczne polaczone sa z obudowa zlacza wspólosiowego. Konstrukcja
ta charakteryzuje sie mala wartoscia indukcyjnosci rozproszonej i dobrym dopasowaniem impedancji komórki
do linii wspólosiowej, jest jednak wrazliwa na przebicie wysokiego napiecia wzdluz powierzchni krysztalu,
laczacej plaszczyzny elektrod. Zastosowanie dwu krysztalów zamiast jednego utrudnia dzialanie lasera w przy¬
padku zastosowania komórki jako migawki wewnetrznej umieszczonej wewnatrz komory rezonansowej lasera.
Inne rozwiazanie znane jest z patentu amerykanskiego nr 3659917, gdzie opisana jest komórka Pockelsa,
zawierajaca krysztal elektrooptyczny, umieszczony w obudowie izolacyjnej, wypelnionej cieklym dielektry¬
kiem. Dwie elektrody sa docisniete do przeciwleglych scian krysztalu i kazda z nich laczy sie z odcinkiem
przewodnika elektrycznego, sluzacego do doprowadzenia napiecia. Uklad konstrukcyjny jest symetryczny
wzgledem plaszczyzny przechodzacej przez srodek komórki i prostopadlej do jej osi. Takakonstrukcja komórki
Pockelsa jest odporna na przebicie powierzchniowe lecz ma symetryczne doprowadzenia napiecia do elektrod,2 97 312
co przy nasilaniu linia wspólosiowa powoduje wzrost indukcyjnosci rozproszonej i nieprzydatnosc do przenosze¬
nia ultraszybkich impulsów napieciowych.
W znanych rozwiazaniach komórek Pockelsa brak jest takich, które by jednoczesnie umozliwialy sterowa¬
nie wysokim napieciem - dwa razy wiekszym od napiecia otwarcia komórki, oraz charakteryzowaly sie mala
indukcyjnoscia rozproszona doprowadzen.
Celem wynalazku jest konstrukcja ukladu elektrooptycznego do stosowania zwlaszcza w ultraszybkiej
migawce elektrooptycznej, a wiec takiej, która laczylaby wysoka wytrzymalosc elektryczna z mozliwie bez-
lndukcyjnym doprowadzeniem.
Uklad elektrooptyczny wedlug wynalazku zawiera krysztal elektrooptyczny w ksztalcie walca lub prosto¬
padloscianu o podstawach prostopadlych do jego osi optycznej, umieszczony w hermetycznej obudowie meta-
lowej. Jednorodne pole elektryczne wprowadzone jest do krysztalu poprzez elektrody, docisniete do jego
podstaw. Okragle otwory w elektrodach umozliwiaja przenikanie swiatla przez krysztal. Jedna z elektrod po¬
laczona jest z wysokim napieciem doprowadzonym krótkim przewodem z gniazda wspólosiowego umocowanego
w scianie bocznej obudowy komórki, natomiast druga elektroda jest polaczona galwanicznie z obudowa komórki.
Na obu scianach czolowych obudowy komórki umieszczone sa szklane okienka, które umozliwiaja przenikanie
swiatla poprzez krysztal. Wnetrze obudowy jest cale wypelnione cieklym dielektrykiem o duzej wytrzymalosci
elektrycznej i przezroczystosci w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni, który jest ponadto ciecza imersyj-
na. Izolator zlacza wspólosiowego jest caly zanurzony w cieklymdielektryku. <
Uklad wedlug wynalazku umozliwia przejscie ze wspólosiowej linii zasilania na symetryczna konfiguracje
elektrod w komórce o jednym krysztale. Ma to znaczenie w przypadku migawki elektrooptycznej umieszczonej
wewnatrz komory laserowej, gdzie komórka o dwóch krysztalach moglaby wplynac niekorzystnie na dzialanie
lasera. Dzieki temu, ze dielektryk oplywa powierzchnie boczna krysztalu i izolator zlacza wspólosiowego,
uklad elektrooptyczny wedlug wynalazku charakteryzuje sie wysoka wytrzymaloscia elektryczna. Umozliwia
to stosowanie go nie tylko, jako klasycznej migawki elektrooptycznej, otwieranej w czasie trwania sterujacego
ja impulsu napiecia, lecz równiezjako ultraszybkiej migawki otwieranej w czasie narastania dlugotrwalego impul¬
su napiecia o dwukrotnie wiekszej amplitudzie. Dzieki zastosowaniu krótkich doprowadzen napiecia do elektro¬
dy oraz odpowiedniemu uksztaltowaniu wnetrza obudowy, rozwiazanie wedlug wynalazku cliarakteryzuje
sie minimalnymi wartosciami indukcyjnosci wlasnej, dzieki czemu wnoszone przez nia znieksztalcenia bardzo
szybko narastajacych impulsów napiecia sa minimalne.
Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku w przekroju osiowym.
Krysztal 1 elektrooptyczny w ksztalcie walca umieszczony jest w hermetycznym korpusie metalowym sklada¬
jacym sie z obudowy 2 i pokrywy 3. Dwie pierscieniowe elektrody 4 i 5 z miekkiego metalu docisniete sa do
scian czolowych krysztalu i wraz z nim do wewnetrznej sciany obudowy, za pomoca wykonanej z dielektryka
prowadnicy 7. Elektroda 5 polaczona jest galwanicznie z przewodem centralnym gniazda wspólosiowego 6.
Wnetrze obudowy wypelnione jest calkowicie ciecza, która oplywa izolator gniazda wspólosiowego 6 oraz
krysztal 1 ze wszystkich stron poza pierscieniowymi fragmentami scian czolowych, zaslonietymi przez elektro¬
dy. Ciecz doplywa do obszaru w sasiedztwie elektrody 4 przez otwory 8 we wnetrzu obudowy.
Claims (1)
1. Uklad elektrooptyczny zwlaszcza do ultraszybkiej migawki swietlnej, zawierajacy krysztal elektrooptyczny w ksztalcie walca lub prostopadloscianu z dwiema elektrodami, obudowe hermetyczna wypel¬ niona cieklym dielektrykiem oraz zlacze wspólosiowe, znamienny t y m, ze do elektrody (5) dolaczone jest napiecie sterujace natomiast elektroda (4) jest polaczona galwanicznie z obudowa (2) przewodzaca prad elektryczny. 2, Uklad elektrooptyczny wedlug zastrz, 1, znamienny t y m, ze zlacze wspólosiowe (6) ma izo¬ lator zanurzony w cieklym dielektryku.97 312 \
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16948174A PL97312B1 (pl) | 1974-03-05 | 1974-03-05 | Uklad elektrooptyczny zwlaszcza do ultraszybkiej migawki swietlnej |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16948174A PL97312B1 (pl) | 1974-03-05 | 1974-03-05 | Uklad elektrooptyczny zwlaszcza do ultraszybkiej migawki swietlnej |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL97312B1 true PL97312B1 (pl) | 1978-02-28 |
Family
ID=19966440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16948174A PL97312B1 (pl) | 1974-03-05 | 1974-03-05 | Uklad elektrooptyczny zwlaszcza do ultraszybkiej migawki swietlnej |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL97312B1 (pl) |
-
1974
- 1974-03-05 PL PL16948174A patent/PL97312B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2104760T3 (es) | Conectador de cable coaxial. | |
| JPH1038914A (ja) | 装置と試験リードとの接続装置 | |
| EP4318012A1 (en) | Diamond magneto-optical sensor | |
| CN108693663A (zh) | 光控制元件模块 | |
| US20180076502A1 (en) | Device for exposing at least one object to an electromagnetic field having a low input reflection coefficient | |
| PL97312B1 (pl) | Uklad elektrooptyczny zwlaszcza do ultraszybkiej migawki swietlnej | |
| Fattinger et al. | Observation of electromagnetic shock waves from propagating surface-dipole distributions | |
| ES2323405T3 (es) | Dispositivo de inyeccion para unidad de filtrado de hiperfrecuencia con resonadores dielectricos y unidad de filtrado que incluye dicho dispositivo. | |
| GB2083945A (en) | Excess Voltage Arresters | |
| CN205900774U (zh) | 一种收发一体的太赫兹天线和太赫兹测量系统 | |
| US2221944A (en) | Transparent electrostatic shield | |
| Chrétiennot et al. | New efficient high power microwave applicator enabling optimal E-field coupling and homogeneity in biological sample | |
| SU1686495A1 (ru) | Узел ввода коаксиального кабел | |
| JPH074600Y2 (ja) | 広帯域測定用セル | |
| JPH03123871A (ja) | 広帯域測定用セル | |
| US4759028A (en) | Double helix RF line for CO2 laser | |
| STARK | An analytical and experimental investigation of cable responses to a pulsed electromagnetic field(Investigation of antenna cable responses to pulsed electromagnetic field) | |
| JP3273075B2 (ja) | 低電流測定用治具 | |
| Leveque et al. | Generators and applicators for nanosecond pulsed electric field | |
| US4229700A (en) | Buried reed, extra-short pulse width pulser | |
| Liang et al. | Terahertz all-dielectric EMXT waveguide to planar microstrip transition structure | |
| US3368162A (en) | Microwave generator having pulsed ferrite body | |
| SU527692A1 (ru) | Измеритель временных интервалов между электрическими сигналами | |
| SU1109675A1 (ru) | Устройство дл калибровки магнитных антенн | |
| Merla et al. | Cells and electropulsation microchambers modeling for linear and nonlinear optical microspectroscopy |