PL95322B1 - Przetwornik miedzypalczasty,sposob wykonywani ikow miedzypalczastych oraz urzadzenie do wyk zetwornikow miedzypalczastych - Google Patents
Przetwornik miedzypalczasty,sposob wykonywani ikow miedzypalczastych oraz urzadzenie do wyk zetwornikow miedzypalczastych Download PDFInfo
- Publication number
- PL95322B1 PL95322B1 PL1974168364A PL16836474A PL95322B1 PL 95322 B1 PL95322 B1 PL 95322B1 PL 1974168364 A PL1974168364 A PL 1974168364A PL 16836474 A PL16836474 A PL 16836474A PL 95322 B1 PL95322 B1 PL 95322B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- bar
- needle
- metal layer
- base
- making
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- WBPWDGRYHFQTRC-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxycyclohexan-1-one Chemical compound CCOC1CCCCC1=O WBPWDGRYHFQTRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- QFJAZXGJBIMYLJ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid;ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCN.OC(=O)C(O)C(O)C(O)=O QFJAZXGJBIMYLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- CWCCJSTUDNHIKB-UHFFFAOYSA-N $l^{2}-bismuthanylidenegermanium Chemical compound [Bi]=[Ge] CWCCJSTUDNHIKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTZGYUUQQRXJMY-UHFFFAOYSA-N $l^{2}-bismuthanylidenesilicon Chemical compound [Bi]=[Si] OTZGYUUQQRXJMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000832 Ayote Nutrition 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- 241000219122 Cucurbita Species 0.000 description 1
- 235000009854 Cucurbita moschata Nutrition 0.000 description 1
- 235000009804 Cucurbita pepo subsp pepo Nutrition 0.000 description 1
- 208000001840 Dandruff Diseases 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282887 Suidae Species 0.000 description 1
- 240000006909 Tilia x europaea Species 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 235000015136 pumpkin Nutrition 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest przetwornik miedzy¬
palczasty, sposób wykonywania przetworników
miedzypalczastych oraz urzadzenie do wykonywa¬
nia pa^etworników miedzypalczastych.
Przetwornik miedzypalczasty przeznaczony jest do
generacji i odbioru akustycznych fal powierzchnio¬
wych.
Przetwornik miedzypalczasty jest ukladem elek¬
trod umieszczonych na podlozu piezoelektrycznym.
Elektrody te wykonane sa z bardzo cienkiej war¬
stwy metalu. 'Konfiguracja elektrod, zazwyczaj
dwóch, ma postac ukladu pasków równoleglych przy
czym jedna elektrode realizuje sie przez wspólne po¬
laczenie elektryczne co drugiego paska, druga zas
przez wspólne polaczenie pozostalych pasków. W
ukladach praktycznie realizowanych konfiguracja
elektrod jest czesto bardziej zlozona niz omówiona
powyzej jednak przedstawiona zasada laczenia pa¬
sków jest ogólnie stosowana.
Przetwornik miedzypalczasty, jest sitruktura mo¬
nolityczna, której czescia integralna jest podloze
z materialu piezoelektrycznego. Typowymi materia¬
lami stosowanymi na podloza sa: niobian litu, tan-
talan litu, ceramika PZT i tlenikiii: bizmutowo-germa-
nowy i bizmutowo-krzemowy. Poniewaz, do wyko¬
nywania przetworników, stosowana jest fotolitogra¬
fia, to materialy podlozowe nie moga ulegac reakcji
chemicznej z substancjami fotochemicznymi.
Ten wymóg ogranicza liczbe materialów podlozo¬
wych do materialów o nienajlepszych wlasnosciach
piezoelektrycznych i o skomplikowanej technologii
produkcji.
Typowym przykladem zastosowania przetwornika
miedzypalczastego jest jego wykorzystanie w fil¬
trach opartych na zjawisku rozchodzenia sie fal po¬
wierzchniowych. Zagadnienie realizacji tego typu fil¬
trów jest przedmiotem szeregu wynalazków przed-
stawiionych miedzy innymi w amerykanskich opisach
patentowych No: 3.609.710; 3.582.840; 3.582.887 oraz
3.350.045. Poza tym przetworniki miedzypalcza&te
stosowane sa w urzadzeniach takich jak: limie opó¬
znilajace, linie dyspersyjne, wzmacniacze na falach
powierzchniowych, oscylatory, uklady nieliniowe, ko¬
dowe linie opózniajace i inne.
Znanych jest szereg metod wykonywania prze¬
tworników miedzypalczastych miedzy innymi foto¬
litografia, rysowanie mechaniczne, wypalanie swia¬
tlem laserowym, naparowywanie przez maski Jedr-
naikze zadna z tych metod poza metoda fotolitografii
nie znalazla praktycznego szerszego zastosowania.
Sposób wykonywania przetworników miedzypal¬
czastych przy pomocy fotolitografii polega na tym,
ze wykonuje sie maski fotograficzne poprzez wielo¬
krotne pomniejszanie obrazów przetwornika, lub za
pomoca sterowanego naswietlania emulsji fotoczu-
lej, a nastepnie za pomoca tych masek, kopiuje sie
obraz przetwornika na emulsji fotoczulej naniesionej
na (lub pod) warstwe metalu nalozonego na podloze,
na którym ma byc wykonany praetwornik. Przy na¬
noszeniu emulsji na warstwe metalu, przetwornik
9532295 322
3 4
otrzymuje sie przez wytrawienie metalu, natomiast
przy nanoszeniu warstwy metalu na emulsje, prze¬
twornik otrzymuje sie przez wyplukanie emulsji.
Na zasadzie fotolitografii mozna wykonywac je¬
dynie przetworniki na podlozu nie reagujacym z sub- 5
stancjami fotochemicznymi, gdyz podczas wytra¬
wiania metalu lub wyplukiwania emulsji substancje
te ruszcza podloze, które reaguje z tymi substancja¬
mi i przetwornik odpada od podloza.
Istota wynalazku polega na tym, ze podloze piezo- 10
elektryczne przetwornika wykonane jest z materialu
reagujacego z substancjami fotochemicznymi. Pod¬
loze moze byc wykonane z substancji takich jak:
kwas jodowy, jodan, litu, winian etylenodwuaminy
i sól Sedgnetta. Substancje te charakteryzuja sie bar- 15
dzo dobrymi wlasnosciami piezoelektrycznymi, ze
szczególnym uwzglednieniem wysokiego wspólczyn¬
nika sprzezenia piezoelektrycznego. Równiez techno¬
logia produkcji tych materialów jest stosunkowo
prosta. 20
Sposób wykonywania przetworników polega na
tym, ze do warstwy metalu nalozonej na podloze
piezoelektryczne dociska sie ostrze igly, wykonanej z
materialu elektrycznie przewodzacego sila nieprze-
kraczajaca 1 G, po czyni do igly i warstwy metalu 25
przyklada sie napiecie o wartosci od 0,1 do 10 V. Na¬
stepnie przesuwa sie wzgledem siebie ostrze igly
i podloze w kierunkach wyznaczajacych zadany
ksztalt przetwornika miedzypalczastego. Powstaje w
ten sposób nieprzewodzaca sciezka w postaci mean- 30
dra w przewodzacej warstwie metalu, realizujaca
zadany ksztalt elektrod przetwornika miedzypalcza¬
stego.
Urzadzenie do wykonywania przetwornika miedzy¬
palczastego sklada sie z usytuowanych obok siebie 35
na jednej listwie licznych dzwigni, z podstawy, na
której ulozone sa plytki z naniesiona warstwa me¬
talu, w którym wycina sie przetworniki oraz ze zró¬
dla napiecia wlaczonego miedzy podstawe i listwe.
Dzwignie posiadaja ramiona wygiete w przeciwnych 46
kierunkach w plaszczyznie poziomej, z których jedno
ramie ma zamocowana na koncu igle, a drugie ra¬
mie jest tak wywazone, ze ma regulowany nacisk
igly na metalowa warstwe plytki. Dzwignia posiada
dwa punkty podparcia, lezace na wspólnej osi, sta- 45
nowiaoej os obrotu dzwigni. Punkty podparcia sta¬
nowia dwa bolce zamocowane trwale w listwie od¬
legle od siebie o 20—50 mm. Z podstawa polaczony
jest lacznlilkiem pret, zapobiegajacy spadlaniu dzwi¬
gni z bolców. Listwa, na której zamocowane sa bolce 50
zawiera ponadto elementy do przesuwania tej pod¬
stawy w kierunku prostopadlym do tej plaszczyzny
poziomej. Podstawa, na której ulozone sa plytki za¬
wiera dwa elementy, umozliwiajace przesuwanie sie
podstawy w plaszczyznie poziomej w dwóch prosto- 55
padlych do siebie kierunkach.
Przetwornik wykonany sposobem wedlug wyna¬
lazku stanowi jednolita calosc z podlozem piezoelek¬
trycznym takim jak kwas jodowy, jodan litu, wi¬
nian etylenodwuaminy, sól Seignetta lub tez zwiazki 60
pierwiastków grupy II (i IV o strukturze wurcytu.
Podstawowa zaleta sposobu wedlug wynalazku
jest mozliwosc wykonywania przetworników mie-
dzypalczastych na podlozach reagujacych z substan¬
cjami fotochemicznymi. W odróznieniu bowiem od 65
sposobu opartego na fotohtografiii nie stosuje sie w
wyzej opisanym sposobie zadnych zwiazków chemi¬
cznych reagujajcych z podlozem, które powoduja ni¬
szczenie podloza i odpadanie przetwornika.
Ponadto technologia wykonywania tych przetwor¬
ników nie jest uzalezniona od idealnej czystosci po¬
wierzchni. Niewielkie zanieczyszczenia powierzchni
warstwy metalu nie wplywaja na jakosc wykony¬
wanych przetworniiików. Konstrukcja urzadzenia do
stosowania sposobu wedlug wynalazku daje mozli¬
wosc jednoczesnego wykonywania duzej ilosci prze¬
tworników. W zaleznosci od rodzaju elementów
przesuwajacych podstawy, na przyklad przy zasto¬
sowaniu sterowania cyfrowego, wszystkie czynnosci
zwiazane z technologia wykonywania przetworników
moga byc calkowicie zautomatyzowane.
Urzadzenie do wykonywania przetworników mie-
dzypalczastych jest przedstawione w przykladzie
wykonania na rysunku, na którym fig. 1 — przed¬
stawia widok z góry urzadzenia, a fig. 2 — jego wi¬
dok z boku.
Urzadzenie sklada sie z usytuowanych obok sie¬
bie na jednej listwie 10 licznych dzwigni 2, z pod¬
stawy 5, na której ulozone sa plytki 1 z materialu
piezoelektrycznego z naniesiona warstwa metalu, w
której wycina sie elektrody przetworników, oraz ze
zródla napiecia 8 wlaczonego miedzy podstawe 9
i listwe 10. Podstawa 9 i listwa 10 sa ulozone po¬
ziomo.
Dzwignie 2 posiadaja ramiona wygiete w przeci¬
wnych kierunkach w plaszczyznie poziomej, z któ¬
rych jedno ramie ma zamocowana na koncu igle 4.
Dzwignia 2 posiada dwa punkty podparcia 12 leza¬
ce na wspólnej osi stanowiacej os obrotu dzwigni.
Dzwiignia 2 podparta jest na dwóch bokach 3 za¬
mocowanych trwale w listwie 10 w odleglosci 30 mm.
Z podstawa 9 polaczony jest lacznikiem 11 pret 13
zapobiegajacy spadaniu dzwigni 2 z bolców 3. Pod¬
stawa 9 wyposazona jest w elementy 5, 6 sluzace do
jej przesuwania w plaszczyznie poziomej w dwu pro¬
stopadlych do siebie kierunkach.
Listwa 10 wyposazona jest w element 7, umozli¬
wiajacy jej przesuwanie w kierunku prostopadlym
do jej plaszczyzny poziomej.
Sposób wedlug wynalazku zostanie szczególowo
objasniony na przykladzie opisu dzialania urzadze-
niia przedstawionego powyzej.
Za pomoca elementu 7 podnosi sie listwe 10 urza¬
dzenia z dzwigniami 2. Plytki 1, skladajace sie z pod¬
loza stanowiacego jodan litu i napylonej prózniowo
na podlozu warstwy zlota o grubosci 800 A, uklada
sie na podstawie 9 w odleglosciach wyznaczonych
rozmieszczeniem dzwigni 2 na listwie 10. Nastepnie
listwe 10 opuszcza sie tak, ze igla 4 dociskana jest
do warstwy zlota. Sila docisku igly 4 do warstwy
zlota wynosi 1 G. Miedzy podstawe 9 i listwe 10
wlacza sie zródlo napiecia stalego 8 o wartosci 3 V.
Za pomoca elementów 5 i 6 przesuwa sie podstawe 9
w kierunkach prostopadlych do siebie tak, ze igly 4
wycinaja w warstwie zlota plytek 1 przetworniki
o ksztalcie meandra. Dzwignie 2 w punktach pod¬
parcia 12 maja osadzone lozyska, w które wchodza
bolce 3. Pret 13, polaczony lacznikiem 11 z listwa 10
zapobiega spadaniu dzwigni 2 z bolców 3 podczas
podnoszenia listwy 10.95 322
Claims (8)
1. Przetwornik miedzypalczasty, skladajacy sie z podloza piezoelektrycznego oraz ukladu cienko¬ warstwowych metalowych elektrod wykonanych w postaci pasków odpowiednio polaczonych w konfigu¬ racje graebieniiJowa umieszczonych na tym podlozu, znamienny tym, ze podloze piezoelektryczne wykona¬ ne jest z materialu reagujacego z substancjami foto¬ chemicznymi.
2. Przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podloze piezolelektryczne wykonane jest z mate¬ rialu wybranego z grupy obejmujacej kwas jodo¬ wy, jodan litu, winian etylenodwuaminy, sól Seignet- ta, zwiazki pierwiastków grupy II i IV o struk¬ turze wurcytu.
3. Sposób wykonywania przetworników miedzypal- czastych w warstwie metalu nalozonej na podloze piezoelektryczne, znamienny tym, ze do warstwy me¬ talu dociska sie ostrze igly wykonanej z materia¬ lu elektrycznie przewodzacego, po czym do igly i warstwy metalu przyklada sie napiecie elektryczne a nastepnie przesuwa sie wzgledem siebie ostrze igly i podloze w kierunkach wyznaczajacych zadany ksztalt przetwornika miedzypalczastego.
4. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze sila docisku ostrza igly do warstwy metalu nie przekra¬ cza 1 G. 10 15 25
5. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze wartosc srednia stosowanego napiecia elektrycznego zawiera sie w granicach od 0,1 V do 10 V.
6. Urzadzenie do wykonywania przetworników nuedzypalczastych, znamienne tym, ze na listwie (10) ma usytuowane obok siebie liczne dzwignie (2) o ramionach wygietych w przeciwnych kierunkach wzgledem osi obrotu dzwigni w plaszczyznie pozio¬ mej, z których jedno ramie ma na koncu zamoco¬ wana igle (4), a drugie ramie jest tak wywazone, ze ma regulowany nacisk igly (4) na metalowa war¬ stwe plytki (1), przy czym kazda z dzwigni (Z) po¬ siada dwa punkty podparcia (12), lezace na wspól¬ nej osi, stanowiacej os obrotu dzwigni (2), a ponadto urzadzenie zawiera podstawe (9), na której usytu¬ owane sa plytki (1) oraz zródlo napiecia (8) wla¬ czone miedzy podstawe (9) i listwe (10).
7. Urzadzenie wedlug zastrz, 6, znamienne tym, ze listwa (10) posiada osadzone trwale bolce (3), pod¬ pierajace dzwignie (2) w punktach (12) odlegle od siebie o 20—50 mm i pret (13) polaczony lacznikiem (11) z listwa (10), zapobiegajacy spadaniu dzwigni (2) z bolców (3) oraz element (7) do przesuwania listwy (10) w kierunku prostopadlym do poziomej plaszczyzny tej listwy.
8. Urzadzenie wedlug zastrz. 6, znamienne tym, ze podstawa (9) posiada elementy (5) i (6), umozliwia¬ jace przesuwanie sie podstawy w plaszczyznie po¬ ziomej w dwóch prostopadlych do siebie kierunkach. / 9 f
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL1974168364A PL95322B1 (pl) | 1974-01-26 | 1974-01-26 | Przetwornik miedzypalczasty,sposob wykonywani ikow miedzypalczastych oraz urzadzenie do wyk zetwornikow miedzypalczastych |
| GB129975A GB1455805A (en) | 1974-01-26 | 1975-01-13 | Method of making interdigital transducers device for making interdigital transducers and interdigital transducer |
| DE19752501826 DE2501826C3 (de) | 1974-01-26 | 1975-01-17 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von interdigitalen Wandlern |
| FR7501933A FR2259481B1 (pl) | 1974-01-26 | 1975-01-22 | |
| JP50010368A JPS50105394A (pl) | 1974-01-26 | 1975-01-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL1974168364A PL95322B1 (pl) | 1974-01-26 | 1974-01-26 | Przetwornik miedzypalczasty,sposob wykonywani ikow miedzypalczastych oraz urzadzenie do wyk zetwornikow miedzypalczastych |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL95322B1 true PL95322B1 (pl) | 1977-10-31 |
Family
ID=19965846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1974168364A PL95322B1 (pl) | 1974-01-26 | 1974-01-26 | Przetwornik miedzypalczasty,sposob wykonywani ikow miedzypalczastych oraz urzadzenie do wyk zetwornikow miedzypalczastych |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS50105394A (pl) |
| FR (1) | FR2259481B1 (pl) |
| GB (1) | GB1455805A (pl) |
| PL (1) | PL95322B1 (pl) |
-
1974
- 1974-01-26 PL PL1974168364A patent/PL95322B1/pl unknown
-
1975
- 1975-01-13 GB GB129975A patent/GB1455805A/en not_active Expired
- 1975-01-22 FR FR7501933A patent/FR2259481B1/fr not_active Expired
- 1975-01-24 JP JP50010368A patent/JPS50105394A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1455805A (en) | 1976-11-17 |
| FR2259481B1 (pl) | 1978-12-29 |
| FR2259481A1 (pl) | 1975-08-22 |
| DE2501826B2 (de) | 1976-01-15 |
| JPS50105394A (pl) | 1975-08-20 |
| DE2501826A1 (de) | 1975-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5459371A (en) | Multilayer piezoelectric element | |
| US7671519B2 (en) | Bond pad for use with piezoelectric ceramic substrates | |
| TWI327449B (en) | Component-embedded board fabrication method and apparatus for high-precision and easy fabrication of component-embedded board with electronic components embedded in wiring board | |
| JP5373815B2 (ja) | 超音波トランスデューサ用複合受動材料 | |
| EP0379229A2 (en) | Ultrasonic probe | |
| TW201306337A (zh) | 用於在壓電陣列上沈積材料之系統及方法 | |
| DE102004052952A1 (de) | Ausrichtungsverfahren zur Herstellung eines integrierten Ultraschalltransducerfeldes | |
| CN1243604A (zh) | 压电/电致伸缩器件 | |
| JP2002515178A (ja) | 電子多層素子の製造方法 | |
| EP0546696A1 (en) | Process for lithography on piezoelectric films | |
| GB2571361A (en) | Ultrasound array transducer manufacturing | |
| US20100065198A1 (en) | Electrical interconnect with maximized electrical contact | |
| US20050280336A1 (en) | Multilayer piezoelectric element | |
| KR20090047523A (ko) | 초음파 모터용 압전 액츄에이터 소자 | |
| US9431041B1 (en) | Comb structure for a disk drive suspension piezoelectric microactuator operating in the D33 mode, and method of manufacturing the same | |
| PL95322B1 (pl) | Przetwornik miedzypalczasty,sposob wykonywani ikow miedzypalczastych oraz urzadzenie do wyk zetwornikow miedzypalczastych | |
| US20050225210A1 (en) | Z-axis electrical connection and methods for ultrasound transducers | |
| TWI482255B (zh) | 藉由嵌入跡線界定之導電墊 | |
| DE60220473T2 (de) | Leiterplatte mit piezoelektrischem/elektrostritivem Element und deren Herstellungsverfahren | |
| JPS5822046A (ja) | 超音波探触子 | |
| JP6073932B2 (ja) | 多層デバイスの電気的接続部の生成方法および電気的接続部を有する多層デバイス | |
| CN112992673A (zh) | 制备半导体的方法 | |
| TW201115677A (en) | Method for centering a print track | |
| US20100308693A1 (en) | Piezoelectric Stack Actuator Assembly | |
| TWI694366B (zh) | 觸覺回饋模組及其製備方法及觸控裝置 |