PL94946B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL94946B1 PL94946B1 PL18448575A PL18448575A PL94946B1 PL 94946 B1 PL94946 B1 PL 94946B1 PL 18448575 A PL18448575 A PL 18448575A PL 18448575 A PL18448575 A PL 18448575A PL 94946 B1 PL94946 B1 PL 94946B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- resonant
- circuit
- parallel
- amplifier
- transistors
- Prior art date
Links
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest jednorezonansowy szerokopasmowy wzmacniacz posredniej czestotliwosci,
znajdujacy zastosowanie szczególnie do wzmacniania sygnalów radiolokacyjnych, w torze posredniej czestotli¬
wosci.
Znane tranzystorowe wzmacniacze szerokopasmowe posredniej czestotliwosci zawieraja badz zlozone
obwody wielorezonansowe, badz tez obwody sprzezone, co ma miejsce zwlaszcza w ukladach stosowanych
w odbiorczej technice radiolokacyjnej, wymagajacych krótkich stanów przejsciowych po dzialaniu silnych sygna¬
lów.
Wymienione wzmacniacze sa bardziej skomplikowane od wzmacniaczy jednorezonansowych zarówno
w wykonaniu jak i strojeniu. Uzyskanie symetrycznej charakterystyki przenoszenia, ukladu zawierajacego obwo¬
dy sprzezone wymaga ze wzgledu na znaczny rozrzut konduktancji wejsciowej wzmacniacza, oprócz dostrajania
obwodów sprzezonych równiez doboru ich rezystorów tlumiacych, co znacznie wydluza czas strojenia i ze
wzgledu na duza ilosc stosowanych elementów — pogarsza niezawodnosc ukladu.
Wzmacniacz wedlug wynalazku sklada sie z „n" stopni tranzystorowych, pracujacych w ukladzie o wspól¬
nym emiterze. Pomiedzy poszczególnymi stopniami wzmacniajacymi znajduja sie równolegle obwody rezonanso¬
we, polaczone zjednej strony z kolektorami tranzystorów stopni poprzedzajacych, z drugiej strony z bazami
tranzystorów stopni nastepujacych. Kazdy obwód rezonansowy zawiera dwa rezystory tlumiace, z których jeden
jest wlaczony równolegle do obwodu, a drugi jest polaczony szeregowo z cewka stanowiaca indukcyjnosc obwo¬
du.
Dla tego rodzaju wzmacniacza, który moze byc traktowany jako wzmacniacz wizyjny szerokopasmowy
z korekcja charakterystyki czestotliwosciowej, mozna uzyskac znacznie wiekszy iloczyn wzmocnienia i szero¬
kosci pasma niz dla klasycznego wzmacniacza z równoleglym obwodem rezonansowym, posiadajacym równole¬
gly rezystor tlumiacy.2 94946
We wzmacniaczu wedlug wynalazku symetria charakterystyki przenoszenia jest zagwarantowana odpowie¬
dnim doborem rezystorów tlumiacych. Strojenie ukladu jest dokonywane jedynie poprzez dobór indukcyjnosci
cewek obwodów rezonansowych, bez potrzeby doboru rezystorów tlumiacych. Dokladnosc ustalenia indukcyj¬
nosci cewek jest malo krytyczna.
Wynalazek jest pokazany na przykladzie wykonania odtworzonym na rysunku przedstawiajacym schemat
ideowy dwóch stopni wzmacniajacych wzmacniacza, zrealizowanych na tranzystorach Tt i T2, pracujacych
w ukladzie o wspólnym emiterze. W obwodach kolektorowych tranzystorów Tj i T2 znajduja sie rezystory
tlumiace, odpowiednio: Rx i R3. Równolegle do tych rezystorów sa dolaczone galezie, w których znajduja sie
inne rezystory tlumiace, odpowiednio R2 i R4, szeregowo polaczone z cewkami, odpowiednio L! i L2.
Szeregowa galaz R2Lj tworzy z pojemnoscia Cj2 i rezystancja Rt2 tranzystora T2 oraz z rezystorem
tlumiacym i\L, równolegly obwód rezonansowy A- Analogicznie, z elementów R4L2, parametrów Gr/3 i Rj3
tranzystora T3 stopnia nastepujacego oraz z rezystora R3 jest utworzony drugi obwód rezonansowy B, znajduja¬
cy sie pomiedzy kolektorem tranzystora T2 a baza tranzystora T3.
Pomiedzy równoleglymi galeziami obwodów rezonansowych A i B, zawierajacymi rezystory tlumiace,
znajduja sie szeregowo wlaczone kondensatory, odpowiednio Cj iC2, sluzace do rozdzielania napiec stalych
i stanowiace zwarcie dla czestotliwosci pracy fQ wzmacniacza.
Wzmacniacz wedlug wynalazku ma postac wzmacniacza szerokopasmowego wizyjnego skorygowanego
indukcyjnosciami Lj i L2, silnie przekompensowanego przy czestotliwosci pracy f0. Przy odpowiednim dobraniu
wspólczynnika korekcji, co jest dokonywane przy pomocy rezystorów tlumiacych, uzyskuje sie wiekszy iloczyn
wzmocnienia i szerokosci pasma oraz symetryczny przebieg charakterystyki przenoszenia wokól czestotliwosci
pracy f0, z uwzglednieniem zmian parametrów tranzystora w funkcji czestotliwosci.
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Jednorezonansowy szerokopasmowy wzmacniacz posredniej czestotliwosci, skladajacy sie z „n" stopni tranzystorowych, pracujacych w ukladzie o wspólnym emiterze, posiadajacy równolegle obwody rezonansowe pomiedzy kolektorami tranzystorów stopni poprzedzajacych a bazami tranzystorów stopni nastepujacych, zna¬ mienny tym, ze kazdy równolegly obwód rezonansowy (A) i(B) zawiera dwa rezystory tlumiace, z których jeden (Rj) i (R3) jest wlaczony równolegle do obwodu, a drugi (R2) i (R4) jest polaczony szeregowo z cewka (Li) i (L2), stanowiaca indukcyjnosc obwodu rezonansowego (A i (B). Prac, Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 10 zl
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18448575A PL94946B1 (pl) | 1975-11-04 | 1975-11-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18448575A PL94946B1 (pl) | 1975-11-04 | 1975-11-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL94946B1 true PL94946B1 (pl) | 1977-09-30 |
Family
ID=19974132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL18448575A PL94946B1 (pl) | 1975-11-04 | 1975-11-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL94946B1 (pl) |
-
1975
- 1975-11-04 PL PL18448575A patent/PL94946B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60106326T2 (de) | Frequenzmultiplizierende Schaltung und integrierte Halbleiterschaltung | |
| US4291276A (en) | Equalizer amplifier | |
| PL94946B1 (pl) | ||
| GB2298982A (en) | Controllable filter arrangement | |
| US3436670A (en) | Variable bandwidth filter system | |
| JP3596361B2 (ja) | ダイオードによる増幅器バイパス回路 | |
| US3234480A (en) | Shielded superwide-band high-frequency transistor amplifier | |
| US2120998A (en) | Coupled circuits | |
| US2453081A (en) | Wide band amplifier | |
| US2751493A (en) | Noise squelch system | |
| GB484404A (en) | Improvements in or relating to radio receivers | |
| US2106229A (en) | Preselector system | |
| US1788197A (en) | Radiofrequency circuits | |
| US2247155A (en) | Selectivity control circuits | |
| JPS5531368A (en) | Transmission amount control circuit | |
| US4297601A (en) | Monostable multivibrator circuit and FM detector circuit employing predetermined load resistance and constant current to increase response rate of differential transistor pair | |
| DE830967C (de) | Zweistufen-Reflexempfaenger | |
| JPS6017933Y2 (ja) | ベ−ス接地形トランジスタ増幅回路 | |
| JPS5846592Y2 (ja) | Am−fmラジオ受信機のバンド切換回路 | |
| EP0100145A3 (en) | Electrical filter comprising resonant circuits | |
| DE4214971A1 (de) | Begrenzungsverstaerker | |
| JPS646602Y2 (pl) | ||
| SU1633501A1 (ru) | Входное устройство радиоприемника | |
| US1665847A (en) | Radio receiving system | |
| JPS6148239A (ja) | Am受信機 |