PL94825B1 - Fotorezystor cienkowarstwowy z chlodzona warstwa fotoczula - Google Patents
Fotorezystor cienkowarstwowy z chlodzona warstwa fotoczula Download PDFInfo
- Publication number
- PL94825B1 PL94825B1 PL16603473A PL16603473A PL94825B1 PL 94825 B1 PL94825 B1 PL 94825B1 PL 16603473 A PL16603473 A PL 16603473A PL 16603473 A PL16603473 A PL 16603473A PL 94825 B1 PL94825 B1 PL 94825B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- wall
- area
- photosensitive layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest fotorezystor cien¬
kowarstwowy z chlodzona warstwa fotoczula prze¬
znaczony do detekcji promieniowania podczerwo¬
nego.
Znane fotorezystory cienkowarstwowe z chlodzo- 5
na warstwa fotoczula skladaja sie z obudowy wy¬
konanej w postaci naczynia Dewara z umieszczo¬
nym na dnie zewnetrznej jej scianki oknem dla
promieniowania podczerwonego, warstwy fotoczulej
osadzonej we wnetrzu obudowy na sciance zbiorni- 10
ka czynnika chlodzacego naprzeciw okna oraz elek¬
trod zbierajacych sygnal elektryczny z warstwy fo¬
toczulej i doprowadzen laczacych uklad elektrod
z przepustami elektrycznymi wyprowadzonymi na
zewnatrz obudowy. 15
Fotorezystor cienkowarstwowy wedlug wynalaz¬
ku charakteryzuje sie tym, ze podloze ukladu elek¬
trod i warstwy fotoczulej bedace czescia scianki
obudowy zbiornika czynnika chlodzacego stanowi
plaski obszar usytuowany na czesci kulistej tego 2o
zbiornika, na której sa umocowane doprowadzenia
elektryczne. Doprowadzenia elektryczne w postaci
folii metalowej sa wtopione w scianke zbiornika na
obszarze jej czesci kulistej, stycznie do powierzch¬
ni tak, aby zachowane bylo plynne przejscie mie- 25
dzy powierzchnia podloza i powierzchnia folii. Kat
miedzy powierzchnia folii i maskujaca ja warstwa
materialu jest nie wiekszy od 10°. Wtopione konce
doprowadzen sa skierowane w kierunku obszaru
plaskiego scianki zbiornika. Folia metalowa moze 30
2
byc wstepnie mocowana do scianki na przyklad
przy pomocy perelek szklanych.
Rozwiazanie takie, w którym uklad elektrod jest
naparowywany na plaski obszar, a jego kontakty
i zamocowania doprowadzen nie leza w plaszczyz¬
nie tego obszaru zapewnia dobre przyleganie maski
do podloza i w rezultacie otrzymanie wyraznych,
pozbawionych rozmyc krawedzi elektrod.
Wtopienie konca doprowadzenia elektrycznego w
podloze i zrealizowanie plynnego przejscia miedzy
powierzchnia podloza i powierzchnia doprowadze¬
nia zapewnia pewne i trwale polaczenie kontaktu
elektrody z odprowadzeniem nienarazone na prze¬
rwanie w miejscu styku doprowadzenia z podlo¬
zem.
Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy¬
kladzie wykonania na rysunku schematycznym za¬
wierajacym przekrój osiowy czesci obudowy foto-
rezystora zawierajacej element fotoczuly.
Warstwa fotoczula 1 wykonana z tellurku olowiu
jest osadzona na elektrodach 2 polaczonych z dopro¬
wadzeniami elektrycznymi 3.
Podloze ukladu elektrod Z i warstwy fotoczulej 1
stanowi plaski obszar 4a usytuowany na czesci ku¬
listej 4b zewnetrznej scianki 4 szklanego zbiornika
cieklego azotu 5. Doprowadzenie elektryczne 3 wy¬
konane z cienkich tasiemek platynowych sa umo¬
cowane za pomoca szklanych perelek 6 do czesci
kulistej zbiornika, a ich konce 3a skierowane w
strone obszaru plaskiego sa wtopione stycznie
9482594 825
w material podloza przy czym kat 7 jaki tworza ze
soba folia doprowadzen 3a i maskujaca je warstwa
szkla 8 jest w granicach 2—5 stopni. Cienkowar¬
stwowe elektrody 2 sa naparowane prózniowo na
plaski obszar podloza 4a, a ich kontakty 2a — na
czesci obszaru powierzchni kulistej 4b zawierajacej
wtopione doprowadzenie 3.
Rozwiazanie konstrukcyjne fotorezystora wedlug
wynalazku stosowane jest w cienkowarstwowych
detektorach promieniowania podczerwonego wyko¬
nywanych z tellurku olowiu wykorzystywanych
w automatyce i kontroli procesów przemyslowych,
a zwlaszcza w termografii jako elementy przyrza¬
dów przydatnych w elektronicznej technice pomia¬
rowej.
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Fotorezystor ciekowarstwowy z chlodzona warstwa fotocziula skladajacy sie z obudowy w postaci naczynia Dewara, warstwy fotoczulej i elektrod z doprowadze¬ niami znamienny tym, ze podloze ukladu elek¬ trod (2) i warstwy fotoczulej (1) stanowi plaski ob¬ szar (4a) usytuowany na czesci kulistej (4b) ze- 5 wnetrznej scianki (4) zbiornika czynnika chlodza¬ cego (5) wykonanego korzystnie ze. szkla, a kon¬ takty ukladu elektrod (2a) sa naniesione na dopro¬ wadzenia elektryczne (3) wykonane z cienkiej folii metalowej korzystnie z platyny wtopione stycznie do powierzchni w obszar czesci kulistej (4b) podlo¬ za tak, ze konce wtopione (3a) sa skierowane w strone obszaru plaskiego podloza (4a) i kat (7) jaki tworza ze soba wtopione czesci folii (3a) i ma¬ skujaca ja warstwa (8) materialu scianki- (4) jest nie wiekszy od kilku stopni korzystnie •2°^-5p, przy czym folia metalowa jest badz nie jest wstepnie przymocowana do czesci kulistej zbiornika za po¬ moca perelek (6) wykonanych korzystnie z tego sa¬ mego materialu co scianka (4). j 15 PZG Bydg. zam. 2333/77, nakl. 115+20 Cena 10 zl
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16603473A PL94825B1 (pl) | 1973-10-23 | 1973-10-23 | Fotorezystor cienkowarstwowy z chlodzona warstwa fotoczula |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16603473A PL94825B1 (pl) | 1973-10-23 | 1973-10-23 | Fotorezystor cienkowarstwowy z chlodzona warstwa fotoczula |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL94825B1 true PL94825B1 (pl) | 1977-08-31 |
Family
ID=19964539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16603473A PL94825B1 (pl) | 1973-10-23 | 1973-10-23 | Fotorezystor cienkowarstwowy z chlodzona warstwa fotoczula |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL94825B1 (pl) |
-
1973
- 1973-10-23 PL PL16603473A patent/PL94825B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4350660A (en) | Ammonia gas sensors | |
| EP0164316A2 (en) | Electrical inclination sensor and method for its manufacture | |
| US3754201A (en) | Heat sensitive detector | |
| JP3983304B2 (ja) | 加熱素子 | |
| US4394572A (en) | Photodetector having an electrically conductive, selectively transmissive window | |
| US4724428A (en) | Thermocouple jacket monitor | |
| GB1433962A (en) | Formation of adherent precipitates on surfaces immersed in liquids | |
| JPS5621023A (en) | Pyroelectric detector | |
| DE3470099D1 (en) | Mass flow meter | |
| US3412359A (en) | Thermoprobe assembly | |
| US3787718A (en) | Spherical electronic components | |
| AU647749B2 (en) | Self-supporting thin-film filament detector, process for its manufacture and its applications to gas detection and gas chromatography | |
| PL94825B1 (pl) | Fotorezystor cienkowarstwowy z chlodzona warstwa fotoczula | |
| US3910118A (en) | Probe for controlling the level of electrically conductive liquids | |
| GB2201001A (en) | Fluid flow measurement | |
| US3683307A (en) | Spherical electronic components | |
| JPS57139672A (en) | Detecting structure for leakage current | |
| US2096170A (en) | Light-sensitive device | |
| CN217687571U (zh) | 感温器、水箱以及具有其的热泵系统 | |
| CN109029763A (zh) | 一种可测量平面温度的ntc温度传感器 | |
| JPS5677730A (en) | Pyroelectric infrared-ray detector | |
| US4662975A (en) | Apparatus for determining the etch rate of nonconductive materials | |
| JPS56104241A (en) | Gas sensing element | |
| SU389458A1 (pl) | ||
| JPH0112211Y2 (pl) |