PL94014B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL94014B1
PL94014B1 PL16984574A PL16984574A PL94014B1 PL 94014 B1 PL94014 B1 PL 94014B1 PL 16984574 A PL16984574 A PL 16984574A PL 16984574 A PL16984574 A PL 16984574A PL 94014 B1 PL94014 B1 PL 94014B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
housings
pressing
casings
plastic
low
Prior art date
Application number
PL16984574A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16984574A priority Critical patent/PL94014B1/pl
Publication of PL94014B1 publication Critical patent/PL94014B1/pl

Links

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania obudów z tworzyw sztucznych, przeznaczonych do hermetyzacji mikroukladów.Znane sa obudowy ceramiczno-metalowe i meta- lowo-szklane. Wykonywanie obudów zwiazane jest 5 z wieloma trudnosciami i niedogodnosciami. Konie¬ czne jest stosowanie wysokich temperatur przy ob¬ róbce, obróbka jest pracochlonna i dlugotrwala, istnieja trudnosci w zachowaniu tolerancji wymia¬ rowych ksztaltek ceramicznych. Montaz tego typu 10 obudów jest zmudny i wymaga skomplikowanych szablonów, których zywotnosc jest krótkotrwala.Obudowy tego typu sa coraz czesciej zastepowane przez obudowy wykonane z róznego typu tworzyw sztucznych. Obudowy z tworzyw charakteryzuja 15 sie wystarczajaca wytrzymaloscia mechaniczna do zabezpieczenia mikroukladu przed uszkodzeniem.Bardzo dobra jest ich odpornosc na szoki termiczne oraz na dlugotrwala wilgoc. Ponadto masa obu¬ dów z tworzyw sztucznych jest znacznie mniejsza 20 w porównaniu z obudowami ceramicznymi, co wplywa na obnizenie koncowej masy urzadzen, w których mikrouklady w tych obudowach sa stoso¬ wane.Obudowy z tworzyw sztucznych wytwarza sie 25 róznymi technikami, np. przez zalewanie w for¬ mach, impregnacje, maczanie, a takze metoda ni- skocisnieniowego prasowania przetlocznego, stoso¬ wana glównie przy masowej produkcji. Wykonywa¬ nie obudów technika niskocisnieniowego prasowa- 30 nia przetlocznego polega na umieszczeniu w za¬ montowanej na prasie formie odpowiednio przygo¬ towanych wyprowadzen (azurów) drutowych (z ko¬ waru lub mosiadzu), a nastepnie zaprasowanie ich tloczywem niskocisnieniowym, w taki sposób, ze niewielka czesc (koncowa) wyprowadzen drutowych (azurów) pozostaje wewnatrz uformowanej z two¬ rzywa obudowy (sa to tak zwane koncówki we¬ wnetrzne) natomiast glówna — pozostala czesc wy¬ prowadzen wychodzi na zewnatrz uformowanej obudowy (sa to tak zwane koncówki zewnetrzne).Szczególnie istotne jest, aby koncówki wewnetrzne byly czyste, poniewaz warunkuje to mozliwosc po¬ laczenia ich metoda termokompresji z montowa¬ nymi wewnatrz obudowy elementami czynnymi.Podczas zaprasowywania tloczywami koncówki we¬ wnetrzne ulegaja na ogól zabrudzeniu lub wrecz zalaniu przez tloczywo, przez co obudowa taka staje sie bezuzyteczna.Sposób wytwarzania obudów z tworzyw sztucz¬ nych wykonywanych metoda niskocisnieniowego prasowania przetlocznego wedlug wynalazku pole¬ ga na pokryciu przed operacja prasowania wypro¬ wadzen wewnetrznych warstwa ochronna. Po wy¬ konaniu zapraski warstwe te usuwa sie mechanicz¬ nie lub za pomoca znanych rozpuszczalników.Obudowy wykonane w ten sposób posiadaja za¬ dowalajaca opornosc miedzy sasiednimi wyprowa¬ dzeniami rzedu 1012 Q. Caly proces jest prosty, nie powstaja braki i w pelni nadaje sie do produkcji 94 0143 94 014 4 obudów róznego ksztaltu i wielkosci w produkcji masowej.Przykladowy sposób postepowania wedlug wyna¬ lazku przedstawia sie nastepujaco. Do ogrzanej do temperatury 170°C formy z odpowiednimi gniazda¬ mi formujacymi wklada sie azury z zabezpieczo¬ nymi kauczukiem silikonowym koncowymi elemen¬ tami wewnetrznych wyprowadzen drutowych, sta¬ nowiacych koncówki wewnetrzne. Nastepnie zamy¬ ka sie forme i dozuje sie odpowiednia ilosc tloczy¬ wa epoksydowego. Po wytworzeniu cisnienia kG/cm2, utrzymuje calosc w temperaturze 170°C przez 2 minuty. Nastepnie otwiera sie forme, wyj¬ muje zaprasowane ksztaltki i usuwa zabezpieczenie wewnetrznych koncówek. W celu calkowitego oczy¬ szczenia koncówek przemywa sie je rozpuszczalni¬ kiem octanowym. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania obudów z tworzyw sztucz¬ nych do mikroukladów, metoda niskocisnieniowego prasowania przetlocznego, znamienny tym, ze przed operacja prasowania na wewnetrzna czesc wypro¬ wadzen drutowych naklada sie warstwe ochronna, która po zakonczeniu cyklu prasowania usuwa sie za pomoca znanych rozpuszczalników. OZGraf. Lz. 1692 (120 egz.) Cena 10 zl PL
PL16984574A 1974-03-26 1974-03-26 PL94014B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16984574A PL94014B1 (pl) 1974-03-26 1974-03-26

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16984574A PL94014B1 (pl) 1974-03-26 1974-03-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL94014B1 true PL94014B1 (pl) 1977-07-30

Family

ID=19966628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16984574A PL94014B1 (pl) 1974-03-26 1974-03-26

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL94014B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES453200A1 (es) Perfeccionamientos en conectores de fibra optica.
US3914858A (en) Method of making sealed cavity molded semiconductor devices
US3374536A (en) Incapsulation of electrical units
US20040201969A1 (en) Method for packaging small size memory cards
PL94014B1 (pl)
EP3211732A1 (en) Connector and method for producing a connector
NO149887C (no) Plateformet isolasjonselement og fremgangsmaate til dets fremstilling.
US3529073A (en) Flat-pack sub-assembly for integrated circuits and a method for making same
US3789341A (en) Circuit package
JP2870845B2 (ja) ホログラムの製造方法
IT1120149B (it) Perfezionamento nelle strutture di dispositivi elettronici a semiconduttore e procedimento di fabbricazione
JPH10163237A (ja) 改良した集積回路チップ・パッケージング方法
JPS5687830A (en) Sensing element for high temperature
JPS5942976B2 (ja) エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法
JPS5864728A (ja) リ−ドリレ−の製造方法
US3171875A (en) Cold molded resistor and method of fabricating same
JPH0317238B2 (pl)
SU1647924A1 (ru) Способ изготовлени металлической оболочки электронагревател
ES431160A3 (es) Metodo para fabricar una pluralidad de dispositivos semi- conductores encapsulados en plastico.
SU1167774A1 (ru) Способ установки радиоэлементов между смежными платами радиоэлектронных блоков и инструмент дл его осуществлени
DE1514418A1 (de) Verfahren zum serienmaessigen Herstellen von Halbleiterbauelementen in Kunststoffgehaeusen nach dem Bandmontageprinzip
JPS5515267A (en) Manufacturing method for small electronic part
CH455051A (de) Verfahren zum serienmässigen Anbringen von äusseren Anschlüssen an elektrische Bauelementanordnungen und zum Umhüllen dieser Bauelementanordnungen mit einer Vergussmasse
JPS54158171A (en) Resin-sealed type semiconductor device
PL157771B1 (en) Method for masking surfaces of objects fixed in plastics and a cover for a semiconducting device,especially of an intergrated circuit type eprom using this method