PL93039B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL93039B1
PL93039B1 PL16211873A PL16211873A PL93039B1 PL 93039 B1 PL93039 B1 PL 93039B1 PL 16211873 A PL16211873 A PL 16211873A PL 16211873 A PL16211873 A PL 16211873A PL 93039 B1 PL93039 B1 PL 93039B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
field effect
circuit
input
fet
resistor
Prior art date
Application number
PL16211873A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16211873A priority Critical patent/PL93039B1/pl
Publication of PL93039B1 publication Critical patent/PL93039B1/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad wejsciowy na tianzystorach polowych do urzadzen elektro¬ metrycznych.Znane sa elektrometryczne uklady wejsciowe stalopradowe na tranzystorach polowych, np. uklad wejsciowy urzadzenia do pomiaru pradów joniza¬ cyjnych opisany w publikacji: KATKIEWICZ W.: Wybrane zagadnienia wspólczesnej elektroniki do¬ zymetrycznej. Warszawa 1970, WNT, str. 63—65, rys. 3.48. Uklad ten sklada sie z dwóch tranzysto¬ rów polowych i osmiu rezystorów i stanowi syme¬ tryczny wzmacniacz na tranzystorach polowych.Uklad ma wyjscie symetryczne przez co nadaje sie do sterowania wzmacniacza symetrycznego lub do sterowania miernika wlaczanego bezposrednio pomiedzy jego wyjscia. Opisany uklad wejsciowy nie nadaje sie do wykorzystania w postaci wtór¬ nika charakteryzujacego sie równoscia napiec na wejsciu i wyjsciu bez uzycia dodatkowych ukla¬ dów, a wprowadzenie ukladów dodatkowych po¬ woduje, ze taki uklad wejsciowy staje sie rozbu¬ dowany i bardziej zawodny.Celem wynalazku jest opracowanie nowego ukla¬ du wejsciowego na tranzystorach polowych, który bedzie jednoczesnie prosty w budowie i uniwer¬ salny w zastosowaniu.Wytyczony cel zostal osiagniety w ukladzie wejs¬ ciowym na tranzystorach polowych, przeznaczonym do urzadzen elektrometrycznych, który stanowi ob- wcd elektryczny zbudowany z szeregowego pola¬ czenia kanalu pierwszego tranzystora polowego, rezystora, kanalu drugiego tranzystora polowego oraz drugiego rezystora, a rezystory te maja rezy¬ stancje jednakowa i jest wlaczony pomiedzy zacis¬ ki zrzdla zasilajacego ten uklad wejsciowy, przy czym wejscie tego ukladu znajduje sie na bramce pierwszego tranzystora polowego, a wyjscie tego ukladu znajduje sie na polaczeniu drugiego tran¬ zystora polowego z rezystorem i bramka tego dru¬ giego tranzystora polowego jest polaryzowana za pomoca dzielnika napiecia.Uklad wedlug wynalazku zapewnia stale napie¬ cie: wejscie — wyjscie w szerokim zakresie napiec podawanych na jego wejscie. Napiecie to nie za¬ lezy od temperatury i moze byc dowolnie usta¬ wiane za pomoca obwodu regulacji ukladu zródla pradu.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku, który jest sche¬ matem ideowym ukladu wedlug wynalazku.Napiecie wejsciowe Uwe jest podawane na bram¬ ke tranzystora polowego Tl zasilanego pradowo poprzez tranzystor polowy T2, którego prad jest ustalany za pomoca dzielnika rezystorowego, zbu¬ dowanego z rezystorów Rl i R2, polaczonego z bramka 4 tranzystora polowego T2. Tranzystory polowe Tl i T2 sa dowolnego lecz tego samego typu i tak dobrane, ze dla takich samych warun- 93 0393 93 039 4 ków pomiarowych prad kanalu tranzystora polo¬ wego Tl jest wiekszy od pradu kanalu tranzystora polowego T2. Rezystory R3 i R4 maja rezystancje jednakowa i sluza do wlasciwego spolaryzowania tranzystorów polowych Tl i T2. Napiecie wyjscio¬ we Uwy jest zbierane w polaczeniu rezystora R3 z tranzystorem polowym T2. Napiecia Uwe i Uwy sa okreslone wzgledem wspólnego potencjalu 3.Uklad wedlug wynalazku jest zasilany napieciem stalym w wyniku podlaczenia do zacisków 1 i 2 zródla zasilajacego ten uklad wejsciowy. Napiecia: wejsciowe Uwe i wyjsciowe Uwy moga byc okres¬ lane wzgledem dowolnych potencjalów, które nie- koniecznie^mu§za byc sobie równe. W przypadku zastosowania tranzystorów polowych Tl i T2 typu MOSFET pracujbcych w rezimie zubozeniowym, rezystory R3 i Rl mozna zastapic zworami. --- ¦.... ..¦¦,_, «*** i. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad wejsciowy na tranzystorach polowych do urzadzen elektrometrycznych, zawierajacy dwa tranzystory polowe w polaczeniu z rezystorami, znamienny tym, ze stanowi obwód elektryczny zbu¬ dowany z szeregowego polaczenia kanalu pierw¬ szego tranzystora polowego (Tl), rezystora (R3), ka¬ nalu drugiego tranzystora polowego (T2) oraz dru¬ giego rezystora (R4), a rezystory te maja rezystan¬ cje jednakowa i jest wlaczony pomiedzy zaciski (1) i (2) zródla zasilajacego ten uklad wejsciowy, przy czym wejscie tego ukladu znajduje sie na bramce pierwszego tranzystora polowego (Tl), a wyjscie tego ukladu znajduje sie na polaczeniu drugiego tranzystora polowego (T2) z rezystorem (R3) i bramka (4) tego drugiego tranzystora polo¬ wego (T2) jest polaryzowana za pomoca dzielnika napiecia. OZGrsf. Lz. 1146 (123+23) Cena 10 zl PL
PL16211873A 1973-04-21 1973-04-21 PL93039B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16211873A PL93039B1 (pl) 1973-04-21 1973-04-21

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16211873A PL93039B1 (pl) 1973-04-21 1973-04-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL93039B1 true PL93039B1 (pl) 1977-05-30

Family

ID=19962364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16211873A PL93039B1 (pl) 1973-04-21 1973-04-21

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL93039B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6600362B1 (en) Method and circuits for parallel sensing of current in a field effect transistor (FET)
US20140347119A1 (en) Circuit arrangement
US9480193B2 (en) Load detection circuit and method
KR950010341A (ko) 온도 변화에 대해 일정하게 유지되는 출력 신호 진폭을 갖는 ic
KR870008243A (ko) 기준전압발생 회로
KR910003917A (ko) 증폭기 회로
KR950022092A (ko) 비교기 회로
JP2022137162A (ja) パワーモジュール及びdc-dcコンバータ
JPH039411A (ja) 半導体装置のための電圧発生回路
KR970067329A (ko) 전원 전환 회로
PL93039B1 (pl)
US20250093391A1 (en) Method and apparatus for sensing current in a back-to-back configuration
KR940020669A (ko) 바이어스 회로(bias circuit)
US20160126727A1 (en) Voltage clamping circuit
CN107735916A (zh) 一种可逆式电子断路器终端
EP2618487A3 (en) Switching circuit and power supply device
CN216490415U (zh) 一种具有高压输出能力的电压放大电路
SU1073784A1 (ru) Функциональный генератор
KR900015430A (ko) 유도성 전기부하의 전류측정 및 조종회로
SU1157677A1 (ru) Амплитудно-импульсный модул тор
SU551624A1 (ru) Компенсационный стабилизатор напр жени посто нного тока
JP2617625B2 (ja) 定電流充電回路
SU586447A1 (ru) Параметрический стабилизатор посто нного напр жени
PL96370B1 (pl) Uklad przelacznika analogowego,zwlaszcza do napiec bipolarnych
SU1458867A1 (ru) Стабилизатор двупол рного напр жени