Przedmiotem wynalazku jest uklad przemiany czestotliwosci ze znoszeniem sie sygnalów niepoza¬ danych przeznaczony do tranzystorowych superhe- terodynowych odbiorników radiofonicznych i tele¬ wizyjnych.Zlbyt male tlumienie sygnalów wejsciowych o czestotfliwasjci posredniej ariaz przenikanie sygnalów wejsciowych wielkiej czestotliwosci i napiecia he¬ terodyny do wzmacniacza czestotliwosci posred¬ niej, jak równiez duza wrazliwosc na zaklócenia odbioru wywolane intenmodulacja i modulacja skrosna sa powaznymi wadami odbiorników ra¬ diowych z przemiana czestotliwosci. Ze wzgledu na bardzo ograniczony zakres napiec wejsciowych, przy których elementy pólprzewodnikowe pracuja liniowo, wspomniane wyzej zjawiska sa szczegól¬ nie dokuczliwe w odbiornikach tranzystorowych, przy czym bardzo istotny wplyw na wlasciwosci calego odbiornika ma zastosowany w nim uklad przemiany czestotliwosci.Celem wynalazku jest zmniejszenie zaklócen od¬ bioru wywolanych modulacja skrosna oraz popra¬ wa jakosci radiowych odbiorników superheterody- nowych przez lineairyzacje pracy stopnia przemia¬ ny czestotliwosci.Znane dotychczas pólprzewodnikowe uklady prze¬ miany czestotliwosci o zwiekszonej odpornosci na modulacje skrosna zbudowane sa badz na poje¬ dynczym tranzystorze polowym dwubramkowym z izolowanymi bramkami, badz tez jak w ukladzie wedlug polskiego opisu patentowego nr 76 940, na dwóch symetrycznych, dwuforamkowych tranzysto¬ rach polowych, które sa starowane napieciem syg^ nalów wejsciowych w sposób róznicowy, zas na¬ pieciem heterodyny w sposób równolegly, przy czym napiecie wyjsciowe posredniej czestotliwosci jest napdecdem pobieranym w sposób róznicowy z impedancji obciazenia wlaczonej miedzy dreny, wzglednie miedzy zródla zastosowanej pary syme¬ trycznych tranzystorów polowych.Istota wynalazku jest to, ze w ukladzie prze¬ miany czestotliwosci zbudowanym na dwóch'ta¬ kich samych elementach przemiany czestotliwosci elementy te sterowane sa w sposób róznicowy za¬ równo napieciem sygnalów wejsciowych jak i na¬ pieciem heterodyny, a napiecie wyjsciowe posled¬ niej czestotliwosci pobierane jest ze wspólnej im- pedancji obciazenia dolaczonej równolegle do elek¬ trod wyjsciowych obu elementów przemiany cze¬ stotliwosci.Uklad przemdany czestotliwosci bedacy przed¬ miotem niniejszego wynalazku moze byc Wykonany w postaci monolitycznego lub hybrydowego ukla¬ du scalonego. Zalety omówionego wyzej ukladu przemiany czestotliwosci wedlug wynalazku pre- dystynuja ten uklad do stosowania w odbiornikach radiofonicznych i telewizyjnych jak równiez w in¬ nych urzaldzeniach elektronicznych, których zasada dzialania wymaga stosowania przemiany czestotli¬ wosci, »1V3391933 4 Przedmiot wynalazku przedstawiony jest na ry¬ sunku, na którym fig. 1 przedstawia ogólny uklad wyjasniajacy zasade dzialania wynalazku, a fig. 2 przyklad rozwiazania wynalazku z zastosowaniem tranzystorów (bipolarnych.'W ukladzie wyjasniajacym zasade dzialania wy¬ nalazku podanym na fig. 1 oznaczenia A i B przedstawiaja dwa takie same elementy przemia¬ ny czestotliwosci, la i Ib — elektrody wejsciowe odpowiednio elementów przemiany A i B, 2a i 2b — elektrody.wyjsciowe tych elementów, 3a i 3b — wspólne wejscio^p-wyjsciowe elektrody elemen¬ tów przemiany A i B, S — uklad symetryzujacy zródlo napiecia sygnalu uzytecznego, ls i 2s — wyprowadzenia wejsciowe ukladu symetryzujacego S, 3s i 4s — symetryczne wyjscia tego ukladu, a 5s — jego wyjsciowe wyprowadzenie zerowe, H — uklad symetryzujacy zródlo napiecia heterodyny, przy ozym lh i 2h oznaczaja wyprowadzenia wej- saiowe ukladu symetryizujaoego H, 3h i 4h — sy¬ metryczne wyjscia tego ukladu, a 5h stanowi je¬ go zerowe wyprowadzenie wyjsciowe. Zp jest im- pedancja obciazenia ukladu, gdzie lp i 2p przed¬ stawiaja wyprowadzeinia' wyjsciowe ukladu prze¬ miany czestotliwosci.W ukladzie tym róznicowe sterowanie elemen¬ tów przemiany A i B zarówno napieciem sygnalu uzytecznego jak i napieciem heterodyny zrealizo¬ wano odpowiednio przez polaczenie symetrycznych wyjsc 3s i 4s ukladu symetryizujacego zródlo na¬ piecia sygnalu uzytecznego S odpowiednio z wej¬ sciami la i Ib elementów przemiany czestotliwosci A i *B oraz Rolajczenie symetrycznych wyprowa¬ dzen:.wyjsciowych 3h i 4h ukladu symetryzujacego zrMlpj napiecia heterodyny H odpowiednio ze wspóLnyimi v, /wejsciowo-wyjisciowymi elektrodami elementów: przemiany A i B, to jest z wyprowa¬ dzeniami 3a oraz 3b. Napiecie posredniej czesto¬ tliwosci wystepuje tu na impedancji Zp, która dzieki wlaczeniu jej miedzy wyprowadzenia 2p i lp jest dolaczona .równolegle do elektrod wyj¬ sciowych elementów przemiany A i B i stanowi ich wspólna impedancje obciazenia. W ukladzie tym przez wlaczenie dwóch jednakowych impe¬ dancji odpowiednio miedzy, wyprowadzeniami 3a i 3h oraz 3b i 4h mozna linearyzowac wejsciowe charakterystyki elementów A i B. W omawianym ukladzie, przez wlaczenie regulowanej rezystancji miedzy wyprowadzenia 5}i i lp mozna zrealizowac reigulacje wzmocnienia przemiany czestotliwosci.. Przyklad ujkladu przemiany czestotliwosci we¬ dlug wynalazku przedstawiony jest na fig. 2. W ukladzie tym do. przemiany czestotliwosci zasto¬ sowano dwa jednakowe, tranzystory bipolarne A i B, a do symetryzacji zródla napiecia sygnalu u- zyltecznego Us i zródla napiecia heterodyny Uh sluza odpowiednio transformatory symetryzujace S i H. Symetryczne wejscia 3s i 4s transforma¬ tora S dolaczone sa odpowiednio do bazy la tran¬ zystora A i do baz^lb tranzystora B, natomiast symetryczne wyjscia 3h i 4h transformatora H polaczone sa z emiterami 3a i 3b tranzystorów A, i B poprzez dwa jednakowe rezystory Ra i Rb, linearyzujace wejsciowe charakterystyka tranzy- storów A i B. Impedancja obciazenia Zp w po¬ staci równolegleigo obwodu rezonansowego LC do¬ strojonego do czestotliwosci posredniej dolaczona jest jednym wyprowadzeniem 2p do polaczonych razem w punkcie 2 kolektorów 2a i 2b tranzysto¬ rów A i B, natomiast drugie wyprowadzenie lp impedancji Zp zwarte jest przez kondensator C3 z masa ukladu 1, z która poprzez kondensatory Cl i C2 zwarte sa równiez wyprowadzenia zerowe 5s i 5h transformatorów symetryzujacych S i H.Rezystory Rl, R2 i R3 doprowadzaja ze zródla na¬ piecie zasilania UBat, napiecie stale zapewniajace odpowiednia polaryzacje tranzystorów A i B. PL