PL89521B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL89521B1
PL89521B1 PL1973166330A PL16633073A PL89521B1 PL 89521 B1 PL89521 B1 PL 89521B1 PL 1973166330 A PL1973166330 A PL 1973166330A PL 16633073 A PL16633073 A PL 16633073A PL 89521 B1 PL89521 B1 PL 89521B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
resistor
collector
terminal
emitter
Prior art date
Application number
PL1973166330A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Rca Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corporation filed Critical Rca Corporation
Publication of PL89521B1 publication Critical patent/PL89521B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3083Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
    • H03F3/3084Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type one of the power transistors being controlled by the output signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)
  • Television Receiver Circuits (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz malej czestotliwosci, zwlaszcza do odbiorników telewizyj¬ nych, gdzie napiecie zasilajace wzmacniacz jest uzyskiwane z ukladu odchylania poziomego.Stosowanie ukladu odchylania poziomego jako pomocniczego zródla zasilania zwlaszcza dla ob¬ wodów tranzystorowych odbiornika - jest znane i jest ono szczególnie korzystne w tych typach od¬ biorników telewizji kolorowej i czarno-bialej, któ¬ re nie zawieraja w zasilaczu transformatora sie¬ ciowego.Obwody wzmacniacza malej czestotliwosci pobie¬ raja zmienna moc, zalezna od odbieranego sygna¬ lu akustycznego. Gdy wzmacniacz malej czestotli¬ wosci jest zasilany z ukladu odchylania poziome¬ go, zmiana mocy pobieranej przez wzmacniacz mo¬ ze wplynac na sprawnosc dzialania ukladów odchy¬ lania poziomego. Zmiana poboru mocy przez wzma¬ cniacz malej czestotliwosci w tym przypadku mo¬ ze powodowac zmiane szerokosci pola obrazu wy¬ twarzanego na kineskopie, to znaczy zmiane ampli¬ tudy sygnalu odchylania poziomego.Z amerykanskiego opisu patentowego nr 3 824 333 znany jest uklad wzmacniacza czestotliwosci pas¬ ma akustycznego, który moze znalezc korzystne zastosowanie jako wzmacniacz fonii w odbiorni¬ ku telewizyjnym. Uklad ten jest zasilany z ukla¬ du odchylania poziomego lampy obrazowej.Wzmacniacz zawiera stopien wejsciowy, zrealizo¬ wany w ukladzie o wspólnym emiterze, stopien posredni, zrealizowany w ukladzie wtórnika emi- terowego i stopien koncowy, zawierajacy dwa za¬ laczone szeregowo tranzystory. Obciazenie w posta¬ ci urzadzenia odtwarzajacego dzwiek jest zalaczo¬ ne miedzy kolektorem i emiterem pierwszego tranzystora koncowego, którego baza jest bezpo¬ srednio polaczona z emiterem wtórnika emitero- wego.. .Obwód obciazenia jest odsprzezony 'wzgledem skladowej stalej pradu zasilania pobieranego ze zródla zasilania za pomoca kondensatora, zalaczo¬ nego szeregowo z urzadzeniem odtwarzajacym.Emiter pierwszego tranzystora koncowego jest po¬ laczony z kolektorem drugiego tranzystora konco¬ wego, którego emiter poprzez zalaczone szeregowo rezystor, bezpiecznik topikowy i drugi rezystor jest polaczony z jednym wyprowadzeniem podgrzewa¬ cza katody lampy obrazowej, a poprzez trzeci re¬ zystor — z drugim, wyprowadzeniem podgrzewa¬ cza katody lampy obrazowej, polaczonym ze wspól¬ nym punktem ukladu.Równolegle do zalaczonych szeregowo podgrze¬ wacza katody lampy obrazowej i drugiego rezy¬ stora, zalaczonych w obwodzie emitera drugiego tranzystora koncowego jest zalaczona pierwsza dioda Zenera. Baza drugiego tranzystora konco¬ wego jest dolaczona do wspólnego punktu polacze¬ nia zalaczonych szeregowo rezystora i drugiej dio¬ dy Zenera, tworzacych dzielnik napiecia doprowa¬ dzanego ze zródla pradu stalego, otrzymanego z 8952189521 ukladu odchylania poziomego. W obwodzie bazy wtórnika emiterowego jest zalaczona dioda prze¬ znaczona do zabezpieczenia tranzystora koncowe¬ go przed przeciazeniem. Miedzy wejsciem stopnia wejsciowego a kolektorem drugiego tranzystora * koncowego zalaczony jest obwód sprzezenia zwrot¬ nego.Napiecie na emiterze drugiego tranzystora kon¬ cowego jest stale, poniewaz stale jest napiecie na jego bazie. 'Stad skladowa stala pradu kolektora 10 pierwszego tranzystora koncowego oraz prad prze¬ plywajacy przez podgrzewacz katody lampy obra¬ zowej sa stale. Wynika z tego jasno, ze takie roz¬ wiazanie korzystnie wplywa na przedluzenie czaso¬ kresu pracy lampy obrazowej z jednej strony, a 15 z drugiej czyni niezaleznym pobór pradu przez wzmacniacz fonii od poziomu sygnalu akustyczne¬ go, to znaczy od obciazenia stopnia koncowego wzmacniacza fonii.Jednakze stalosc warunków pracy ukladu jest zagwarantowana w danym przypadku staloscia pa¬ rametrów elementów stabilizujacych, to znaczy diod pólprzewodnikowych. A poniewaz parametry tych elementów zmieniaja sie w zaleznosci od zmiany temperatury otoczenia, zmieniaja sie pozio¬ my, na których ta stabilizacja sie dokonuje. Wyni¬ ka z tego, ze wraz ze zmiana temperatury uklad odchylania poziomego bedzie odczuwal zmiane w poborze pradu przez wzmacniacz fonii.Celem wynalazku jest opracowanie ukladu wzmacniacza malej czestotliwosci odznaczajacego sie stalym poborem pradu ze zródla zasilania w zmiennych warunkach temperaturowych i przy zmiennym obciazeniu ukladu koncowego.Zadanie zostalo rozwiazane w wyniku zaproje¬ ktowania stopnia koncowego wzmacniacza malej czestotliwosci zawierajacego co najmniej 'dwa za¬ laczone szeregowo tranzystory tak, ze emiter pierw¬ szego tranzystora jest polaczony z kolektorem dru- 40 giego tranzystora, kolektor pierwszego tranzystora jest zalaczony poprzez pierwszy rezystor do jedne¬ go zacisku zródla zasilania, do którego drugiego zacisku jest dolaczony emiter drugiego tranzysto¬ ra, a obciazenie jest zalaczone miedzy kolektorem 45 a emiterem pierwszego tranzystora poprzez kon7 densator odspnzegajacy obwód obciazenia wzgle¬ dem skladowej stalej pradu pobieranego przez sto¬ pien koncowy wzmacniacza ze zródla zasilania.Wedlug wynalazku stopien koncowy wzmacnia- 50 cza zawiera trzeci tranzystor, którego emiter jest polaczony z kolektorem pierwszego tranzystora, a klolektor poprzez drugi rezystor ograniczajacy jest polaczony z baza drugiego tranzystora polaczona poprzez trzeci rezystor z drugim zaciskiem zródla 55 zasilania, i którego baza jest polaczona poprzez obwód o parametrach zaleznych od temperatury z pierwszym zaciskiem zródla zasilania, a poprzez czwarty rezystor z drugim zaciskiem zródla za¬ silania wzmacniacza. eo Obwód q parametrach zaleznych od temperatury zalaczony miedzy pierwszym zaciskiem zródla za¬ silania, a baza trzeciego tranzystora zawiera co najmniej jeden element pólprzewodnikowy, korzy¬ stnie diode pólprzewodnikowa, wykonany z tego W samego materialu, z jakiego, jest wykonany trzeci tranzystor.Wzmacniacz malej czestotliwosci wedlug wyna¬ lazku jest szczególnie uzyteczny w ukladach za¬ silanych ze zródla o stosunkowo duzej impedancji.W ukladach takich zmiany obciazenia zródla mo¬ ga powodowac, niepozadane wzajemne oddzialywa¬ nia z innymi ukladami zasilanymi z tego samego zródla. Wzmacniacz wedlug wynalazku nie powo¬ duje niepozadanych oddzialywan wzajemnych i z tego wzgledu jest szczególnie przydatny w stopniu wyjsciowym malej czestotliwosci odbiornika tele¬ wizyjnego czerpiac moc zasilania z ukladu odchy¬ lania poziomego odbiornika. Wzmacniacz zapewnia takze dodatkowe korzysci w postaci stabilnosci temperaturowej i niezawodnosci dzialania.Wynalazek jest blizej objasniony w przykladzie wykonania uwidocznionym na rysunku, który przedstawia schemat Meowy wzmacniacza, w po¬ wiazaniu ze schematem blokowym odbiornika te¬ lewizyjnego.Fala nosna, modulowana sygnalami telewizyj¬ nymi jest doprowadzona poprzez antene 8 do ob¬ wodów odbiorczych sygnalu telewizyjnego i obwo¬ dów przetwarzania tego sygnalu, które zawieraja typowa glowice wejsciowa 10, wzmacniacz posre¬ dniej czestotliwosci i detektor 20, wzmacniacz wi¬ zji 30, uklady synchronizacji 50, uklad odchylania pionowego 60 i uklad odchylania poziomego 70 po¬ laczony z kineskopem 40.Wyjscie ze wzmacniacza posredniej czestotliwos¬ ci 20 jest doprowadzone w znany sposób do wzma¬ cniacza posredniej czestotliwosci, fonii i detektora dla uzyskania sygnalu malej czestotliwosci.Wyjscie detekcyjne wzmacniacza posredniej cze¬ stotliwosci, fonii i detektora 25 jest polaczone z przedwzmacniaczem malej czestotliwosci 80. Przed- wzmacniacz 80 zawiera tranzystory 84, 86, 89 i 91. Tranzystory 84, 86 oraz 89, 91 przedwzmacnia- cza 80 sa dobierane parami tak, ze dwa tranzysto- . ry kazdej pary maja rózny typ przewodnictwa.Dzieki temu .mozliwe jest wyeliminowanie pewnej liczby elementów odsprzegajaeo-sprzegajacych w postaci rezystorów, kondensatorów badz transfor¬ matorów.Przedwzmacniacz 80 jest zrealizowany w jednym ze znanych ukladów tranzystorowych wzmacnia¬ czy napiecia malej czestotliwosci, zapewniajacych nieznieksztalcone przenoszenie sygnalów zawieraja¬ cych informacje dzwiekowa.Punkt polaczenia kolektora koncowego tranzy¬ stora 91 przedwzmacniacza 80 i rezystora 93 Jest bezposrednio polaczony z koncówka A, stanowia¬ ca wyjscie przedwzmacniacza 80. Koncówka A jest bezposrednio polaczona z wejsciem wzmacniacza wyjsciowego malej czestotliwosci 100. Wzmacniacz wyjsciowy 100 zawiera tranzystory 101, 105, 106.Kolektor tranzystora 101 jest polaczony poprzez rezystor 102 ze zródlem napiecia stalego +V, które jest uzyskiwane z ukladu odchylania poziomego 70, na przyklad poprzez prostowanie impulsów po¬ wrotu odchylania poziomego. Emiter tranzystora 101 jest bezposrednio polaczony z kolektorem tran¬ zystora 105, a emiter tranzystora 105 jest bezpg-* . srednio polaczony z masa,kondensator 103 jest polaczony z punktem po¬ laczenia kolektora tranzystora 101 i rezystora 102 oraz z jedna koncówka glosnika 104. Druga kon¬ cówka glosnika 104 jest polaczona z punktem po¬ laczenia emitera tranzystora 101 z kolektorem tran¬ zystora 105. Napiecie ustalajace punkt pracy tran¬ zystora 105 jest pobierane z tranzystora 106, któ¬ rego emiter jest polaczony z punktem polaczenia rezystora 102 z kolektorem tranzystora 101. Pola¬ czenie pomiedzy kolektorem tranzystora 106 a ba¬ za tranzystora 105 jest zrealizowane za pomoca ograniczajacego prad rezystora 107. Baza tranzy¬ stora 105 jest polaczona z masa poprzez rezystor 108. Punkt polaczenia rezystorów 107 i 108 jest bezposrednio polaczony z baza tranzystora 105. Ba¬ za tranzystora 106 jest bezposrednio polaczona z punktem polaczenia rezystora 111 z katoda diody 110. Druga koncówka rezystora 111 jest polaczona z masa. Anoda diody 110 jest polaczona z katoda diody 109. Anoda diody 109 jest dolaczona do zró¬ dla napiecia +V.Dzialanie wzmacniacza przedstawia sie nastepu¬ jaco. Zdetekowany sygnal ze wzmacniacza posred¬ niej czestotliwosci fonii i detektora 25 jest wzma¬ cniany za pomoca przedwzmacniacza 80 i dopro¬ wadzany do wejscia wzmacniacza wyjsciowego 100.Wzmocnienie przedwzmacniacza 80 powinno byc wystarczajace do wysterowania wzmacniacza wyj¬ sciowego 100.Wzmacniacz' wyjsciowy 100 pracuje ze stalym pradem pobieranym z zasilacza w nastepujacy spo¬ sób. Zlacza kolektor-emiter tranzystorów 101, 105 wzmacniacza sa polaczone szeregowo pomiedzy ma¬ sa a zródlem napiecia +V, uzyskiwanego ze sto¬ pnia odchylania poziomego. Napiecie stale na ba¬ zie tranzystora 101 jest dobierane odpowiednio do polowy napiecia zasilacza mocy +V przez wste¬ pna polaryzacje z koncowego tranzystora 91 przed¬ wzmacniacza 80. Tranzystor 105 pobiera staly prad Iq dobierany przez rezystor 102.Tranzystor 106 jest zasilany pradem bazy po¬ przez rezystor 111. Szeregowo polaczone diody 109, 110 stabilizuja napiecie bazy tranzystora 106 na poziomie odpowiadajacym napieciu zródla zasila¬ nia +V minus suma spadków napiecia na diodach 109 i 110. Gdy tranzystor 106 i diody 110, 109 sa przyrzadami podobnego typu, spadek napiecia na diodzie 110 jest w przyblizeniu równy spadkowi napiecia na zlaczu baza-emiter tranzystora 106.Wówczas spadek napiecia na rezystorze 102 jest równy spadkowi napiecia na diodzie 109. Prad Iq jest okreslony spadkiem napiecia na diodzie 109 podzielonym przez wartosc rezystancji rezystora 102. Kolektor tranzystora 106 stanowi zródlo pra¬ du, które dostarcza prad wzbudzenia dla tranzy¬ stora 105 poprzez rezystor 107. Rezystor 107 ogra¬ nicza prad kolektora 106, a rezystor 108 zapewnia odpowiednio mala rezystancje pomiedzy baza tran¬ zystora 105 a masa.Przy braku sygnalów fonicznych prad plynacy poprzez rezystor 102 dzieli sie na dwa prady: je¬ den glówny, plynacy poprzez zlacze kolektor-emi¬ ter tranzystorów 101, 105 do masy i drugi prad plynacy poprzez zlacze emiter-kolektor tranzysto¬ ra 106 i zlacze baza-emiter tranzystora 105 do 6 masy. Skladowa pradu plynaca przez rezystor 102 i zlacza kolektor-emiter tranzystorów 101 i 105 do masy przeplywa równiez iprzez rezystor 102 i jest utrzymywana na stalym poziomie przez tranzystoi 106.Wzrost pradu Iq powoduje wzrost spadku na¬ piecia na rezystorze 102, co z kolei powoduje zmniejszenie sie skladowej pradu plynacego przez tranzystor 106 do bazy tranzystora 105, a to z ko¬ lei zmniejsza wartosc pradu I0. Podobnie zmniej¬ szenie spadku napiecia na rezystorze 102 powoduje zmniejszenie sie pradu Jo, a to powoduje zmniej¬ szenie pradu bazy tranzystora 105. A wiec zmiana Iq powoduje zmiane spadku napiecia na rezystorze 102, i jest kompensowana przez odpowiednia zmia¬ ne pradu bazy tranzystora 105.Z zalozenia, ze glosnik 104 nie jest dolaczony do ukladu a prad plynacy przez tranzystor 106 jest do pominiecia, wynika, ze prad Iq przeplywa z zasilacza +V poprzez zlacza kolektor-emiter tran¬ zystorów 101, 105 do masy, i ze jego wartosc nie zalezy od potencjalu bazy tranzystora 101. Gdy glosnik 104 jest dolaczony do tranzystora 101 i sa doprowadzone sygnaly o czestotliwosci akustyczne do bazy tranzystora 101 zasadniczo staly prad Iq dzieli sie na skladowe: zmienna ix plynaca przez kondensator 103 i glosnik 104, i zmienna (I0—ii) plynaca przez tranzystor 101. Te skladowe zmienne dodaja sie w obwodzie kolektora tranzystora 105: (Jo — h) + U = lo- A wiCc Pr3d plynacy przez tran¬ zystor 105 jest równy lo i jest niezalezny od pra¬ du ij.Prad Iq nie jest modulowany przez prad ib po- niewaz prad tranzystora 105 jest ustalony na za¬ sadniczo stalym poziomie przez wartosci rezystan¬ cji rezystora 102, diod 109, 110 i tranzystora 106 i jako taki jest niezalezny od sygnalów malej czestotliwosci doprowadzanych do tranzystora 101. 40 Prad tranzystora 101 zmienia sie od zera do 2Iq (gdy —ix = I0) i dlatego prad wywolany sygnalem plynacym przez glosnik 104 moze zmieniac sie od +I0 do —10 przy zmianie poziomu sygnalu aku¬ stycznego. 45 Wzmacniacz 100 jest zdolny do wytwarzania ma¬ ksymalnego pradu sygnalowego o wartosci szczy¬ towej równej I0 niezaleznie od impedancji glos¬ nika 104 i napiecia zasilania +V, gdy to napiecie nie jest mniejsze od sumy spadku napiecia na re- 50 zystorze 102 i napiec odpowiadajacych stanu na¬ sycenia tranzystorów 101 i 105. Minimalna wartosc tego napiecia wynosi w przyblizeniu 1,5 V. Dla uzyskania wysokiej sprawnosci przy ustalonej war¬ tosci napiecia zasilania +V, wartosc natezenia pra- 55 du I0 i impedancja glosnika 104, przy odpowied¬ niej duzej pojemnosci kondensatora 103, korzystnie powinny byc tak dobrane, aby przy maksymalnym pradzie sygnalowym, którego wartosc szczytowa wynosi I0, maksymalne napiecie sygnalu wystepo- 60 walo odpowiednio na tranzystorze 101 i na 105.Maksymalna amplituda napiecia sygnalowego ja¬ ka mozna otrzymac w tym ukladzie wynosi: na¬ piecie +V minus suma spadków napiec na zla¬ czach kolektor-emiter tranzystorów 101, 105 beda- 65 cych w stanie nasycenia i spadek napiecia na re-§952i zystorze 102. Stad maksymalna uzyskiwana ampli¬ tuda napiecia sygnalu wynosi +V —1,5 V (warto¬ sci szczytowej).Jak wyjasniono uprzednio, staly prad I0 przeply¬ wajacy przez rezystor 102 jest utrzymywany na stalym poziomie przez tranzystor 106 i diody 109 i 110. Stabilnosc temperaturowa pradu I0 jest za¬ pewniana przez diody 109 i 110 zalaczone w ob¬ wodzie bazy tranzystora 106. Wzrost temperatury otoczenia wywoluje zmniejszenie napiecia emiter- -baza tranzystora 106, co powoduje zwiekszenie pradu I0. Poniewaz napiecie przewodzenia np. dio¬ dy krzemowej zmienia sie z temperatura w przy¬ blizeniu o te sama wartosc, jak napiecie emiter- -baza tranzystora krzemowego, dioda 110 kompen¬ suje zmiany napiecia emiter-baza tranzystora 106, spowodowane zmiana temperatury. Druga dioda 109 zapewnia ujemny wspólczynnik temperaturowy pradu I0 równy w przyblizeniu 0,002/uC. Jezeli re¬ zystor 102 ma parametry niezalezne od tempera¬ tury, prad I0 zmniejsza sie nieznacznie przy zwie¬ kszeniu temperatury otoczenia i zwieksza sie nie¬ znacznie przy obnizeniu temperatury otoczenia. Ta¬ ki ujemny wspólczynnik temperaturowy I0 jest po¬ zadany ze wzgledu na prace tranzystorów 101 i 105.Jeszcze dalsze poprawienie stabilnosci calkowi¬ tego pradu pobieranego moze byc uzyskiwane przez odpowiednia polaryzacje bazy tranzystora 101, gdy zmieniajacy sie prad bazy tranzystora 101 jest tak¬ ze uzyskiwany poprzez rezystor 102.Dalsza korzyscia jest to, ze przedstawiony wzmacniacz malej czestotliwosci jest zabezpieczo¬ ny przed zwarciem. W przypadku zwarcia zacis¬ ków glosnika maksymalny prad moze osiagac war¬ tosc nie wieksza od I0, przez co utrzymuje moc na stalym poziomie. 8 ,,., PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Wzmacniacz malej czestotliwosci skladajacy sie ze stopnia wejsciowego zrealizowanego w do- 5 wolnym znanym ukladzie tranzystorowego wzmac¬ niacza napiecia malej czestotliwosci oraz stopnia koncowego zawierajacego co najmniej dwa zalaczo¬ ne szeregowo tranzystory tak, iz emiter pierwsze¬ go tranzystora jest polaczony z kolektorem dru- 10 giego tranzystora, kolektor pierwszego tranzysto¬ ra jest zalaczony poprzez pierwszy rezystor do je¬ dnego zacisku zródla zasilania, do którego drugie¬ go zacisku jest dolaczony emiter drugiego tranzy¬ stora, a obciazenie jest zalaczone miedzy kolekto- 15 rem a emiterem pierwszego tranzystora, poprzez kondensator odsprzegajacy obwód obciazenia, wzgledem skladowej stalej pradu pobieranego przez stopien koncowy wzmacniacza ze zródla zasilania, znamienny tym, ze stopien koncowy (100) zawiera 20 trzeci tranzystor (106), którego emiter jest pola¬ czony z kolektorem pierwszego tranzystora (101), a kolektor poprzez drugi rezystor ograniczajacy (107) jest polaczony z baza drugiego tranzystora (105) polaczona poprzez trzeci rezystor (108) z dru- 25 gim zaciskiem zródla zasilania, i którego baza jest polaczona poprzez obwód o parametrach, zaleznych od temperatury, z pierwszym zaciskiem zródla za¬ silania, a poprzez czwarty rezystor (111) z drugim zaciskiem zródla zasilania wzmacniacza. 30
  2. 2. Wzmacniacz wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze obwód o parametrach zaleznych od temperatu¬ ry, zalaczony miedzy pierwszym zaciskiem zródla zasilania a" baza trzeciego tranzystora (106), za¬ wiera co najmniej jeden element pólprzewodni- 35 kowy, korzystnie diode pólprzewodnikowa (109 lub 110), wykonana z takiego samego materialu pól¬ przewodnikowego, z jakiego jest wykonany trzeci tranzystor (106).89521 1 109 CZYTEL NIA "»** Pal PL
PL1973166330A 1972-11-13 1973-11-05 PL89521B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB5236272A GB1460569A (en) 1972-11-13 1972-11-13 Amplifier having constant current consumption

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL89521B1 true PL89521B1 (pl) 1976-11-30

Family

ID=10463628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1973166330A PL89521B1 (pl) 1972-11-13 1973-11-05

Country Status (20)

Country Link
US (1) US3868582A (pl)
JP (1) JPS5331575B2 (pl)
AR (1) AR198011A1 (pl)
AT (1) AT349548B (pl)
BE (1) BE807210A (pl)
BR (1) BR7308817D0 (pl)
CA (1) CA1000812A (pl)
DD (1) DD107557A5 (pl)
DE (1) DE2351676B2 (pl)
DK (1) DK144579C (pl)
ES (1) ES420490A1 (pl)
FI (1) FI57501C (pl)
FR (1) FR2206626B1 (pl)
GB (1) GB1460569A (pl)
IT (1) IT999341B (pl)
NL (1) NL7315225A (pl)
NO (1) NO139285C (pl)
PL (1) PL89521B1 (pl)
SE (1) SE393505B (pl)
SU (1) SU617028A3 (pl)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2113495B (en) * 1981-11-10 1985-02-27 Whitmore Adkin F Low supply voltage amplifier
JPS58184786U (ja) * 1982-06-03 1983-12-08 ニコオン株式会社 信号ケ−ブル用コネクタ
JPS5996076U (ja) * 1983-11-22 1984-06-29 株式会社三共 弾球遊技機の打球供給装置
US5030922A (en) * 1990-04-03 1991-07-09 Thomson Consumer Electronics, Inc. Supply current compensation circuitry
DE19807393C1 (de) * 1998-02-21 1999-06-02 Mannesmann Vdo Ag Verfahren und Schaltungsanordnung zur Übertragung von Signalen
JP2008053959A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB857643A (en) * 1958-08-20 1961-01-04 Gen Electric Improvements in push-pull power amplifier
GB1199540A (en) * 1969-04-24 1970-07-22 Pye Ltd Circuit Arrangements Employing Complementary Pairs of Transistors.
US3668541A (en) * 1970-03-23 1972-06-06 Teledyne Inc Current compensator circuit
NL7117711A (pl) * 1971-12-23 1973-06-26
GB1425829A (en) * 1972-04-26 1976-02-18 Rca Corp Vertical deflection circuit
DE2319824A1 (de) * 1972-04-26 1973-11-08 Rca Corp Gegentaktverstaerkerschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
JPS501615A (pl) 1975-01-09
FI57501B (fi) 1980-04-30
FR2206626A1 (pl) 1974-06-07
AU6228673A (en) 1975-05-08
DE2351676A1 (de) 1974-05-16
BE807210A (fr) 1974-03-01
AT349548B (de) 1979-04-10
SE393505B (sv) 1977-05-09
BR7308817D0 (pt) 1974-08-29
DK144579C (da) 1982-09-06
GB1460569A (en) 1977-01-06
FR2206626B1 (pl) 1976-12-03
US3868582A (en) 1975-02-25
NO139285C (no) 1979-01-31
JPS5331575B2 (pl) 1978-09-04
FI57501C (fi) 1980-08-11
NL7315225A (pl) 1974-05-15
NO139285B (no) 1978-10-23
DK144579B (da) 1982-03-29
AR198011A1 (es) 1974-05-24
DE2351676B2 (de) 1977-10-13
ATA956373A (de) 1978-09-15
CA1000812A (en) 1976-11-30
SU617028A3 (ru) 1978-07-25
DD107557A5 (pl) 1974-08-05
ES420490A1 (es) 1976-04-01
IT999341B (it) 1976-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4327319A (en) Active power supply ripple filter
EP0491488B1 (en) Low distortion, low noise, amplifier
US4402029A (en) Protective circuit for output transformer-less circuit
US3430155A (en) Integrated circuit biasing arrangement for supplying vbe bias voltages
US2896029A (en) Semiconductor amplifier circuits
US4473780A (en) Amplifier circuit and focus voltage supply circuit incorporating such an amplifier circuit
KR0148324B1 (ko) 가변 이득 증폭 회로
US3287653A (en) Neutralized direct-coupled differential amplifier including positive and negative feedback loops
US2981895A (en) Series energized transistor amplifier
US3114112A (en) Transistor amplifier having output power limiting
PL89521B1 (pl)
US4241314A (en) Transistor amplifier circuits
US3027518A (en) Automatic gain control system
US3825849A (en) Small signal amplifier
US3559088A (en) Transistor amplifier with automatic gain control
US3739292A (en) Amplifier circuit using complementary symmetry transistors
KR860008690A (ko) 증폭기 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US3764931A (en) Gain control circuit
US5534813A (en) Anti-logarithmic converter with temperature compensation
US3631356A (en) Controllable amplifier stage
KR0136886B1 (ko) 비디오 표시 구동장치 및 그 신호처리 시스템
CA2154814C (en) Amplifier for scanning beam velocity modulation
KR900002089B1 (ko) 증폭회로
US3176236A (en) Drift stabilized amplifier
US3512098A (en) Transistor electrical circuit with collector voltage stabilization