PL88805B2 - - Google Patents

Description

Opis patentowy opublikowano: 16.03.1977 88805 MKP G01r 31/00 G01r 31/26 G01r 27/26 lnt.aa. G01R 31/00 G01R 31/26 G01R 27/26 Twórcawynalazku: Czeslaw Frac Uprawniony z patentu tymczasowego: Zaklady Radiowe „Radmor", Gdynia (Polska) Urzadzenie do badania sprawnosci elementów elektrycznych Wynalazek dotyczy urzadzenia do badania sprawnosci elementów elektrycznych róznych typów zamonto¬ wanych w ukladzie elektronicznym bez ich wylutowywania.Znane sa sposoby i urzadzenia do badania tranzystorów bipolarnych, zamontowanych w ukladach elektronicznych, bez ich wylutowywania, za pomoca zgrubnego pomiaru jednego z parametrów tranzystora jak np. „Sposób i aparat do pomiaru parametru tranzystora" wedlug opisu patentowego Wielkiej Brytanii nr 1 039 260 przy uzyciu generatora sygnalów prostokatnych, zródla przedpiec, miernika pradu i krzywej korekcyjnej stosowanej w razie obciazenia badanego tranzystora przez elementy ukladu, w którym jest zamonto¬ wany wgranicach od 1000 do 100 ft oraz „Sposób i aparat do badania uplywnosci pólprzewodników zamontowanych w ukladzie wedlug opisu patentowego Wielkiej Brytanii nr 1 289 383 przy uzyciu generatora sygnalów sinusoidalnych 1 kHz, zródla pradu stalego, miernika pradu stalego, indykatora zera pradu zmiennego i ukladu mostkowego.Znany jest równiez, zpublikaqi L.Widomskiego „Radioamatorskie tranzystorowe przyrzady pomiarowe".Warszawa 1966 strony 182-184 i 200-226, sposób pomiaru parametrów tranzystora polegajacy na uzyciu tego tranzystora jako elementu czynnego generatora pomiarowego, natomiast w odniesieniu do elementów reaktancyj- nych - poprzez uzycie badanego elementu jako elementu biernego tego generatora Sposób ten jednak nadaje sie Jedynie do przypadków pomiaru elementów elektrycznych po uprzednim wymontowaniu ich z ukladu lub elementów jeszcze nie zamontowanych.Natomiast do pomiary elementów elektrycznych zamontowanych w ukladzie rozwiazanie to nie znajduje zastosowania, a to z powodu oddzialywania pozostalych elementów zawartych w ukladzie na wynik pomiaru.Opisany sposób nie zapewnia wyizolowania badanego elementu elektrycznego z ukladu, w którym jest on zamontowany.Przytoczone sposoby i urzadzenia nie moga byc uzyte do badania tranzystorów polowych.W urzadzeniu wedlug wynalazku jest wykorzystany generator o sprzezeniu transformatorowym zasilany ze zródla zasilania pradu stalego, którego elementem skladowym jest badany element elektryczny. Rozwiazanie2 88805 charakteryzuje sie tym, ze kolektor badanego tranzystora i kolektor tranzystora generatora sa podlaczone do uzwojenia pierwotnego transformatora polaczonego z jednym z biegunów zródla zasilania, zas emitery tych tranzystorów-do drugiego z biegunów zródla zasilania. Baza badanego tranzystora jest polaczona z emiterem tranzystora wtórnika emiterowego, którego kolektor jest polaczony bezposrednio z pierwszym biegunem zródla zasilania, natomiast baza z jednym z zacisków przelaczanych przelacznika. Zacisk staly tego przelacznika jest dolaczony poprzez opornik zbocznikowany kondensatorem do uzwojenia wtórnego transformatora, a drugi zacisk przelaczany jest polaczony z baza tranzystora generatora.Przy badaniu sprawnosci tranzystorów, badany tranzystor stanowi element czynny generatora.Wtórnik emiterowy zostal zastosowany w ukladzie w celu zredukowania w obwodzie sprzezenia zwrotnego generatora, wplywu impedancji ukladu elektronicznego, bocznikujacego badany tranzystor.Przy badaniu sprawnosci elementów reaktancyjnych, badany element reaktancyjny stanowielement bierny ukladu generatora, przy czym jest on wlaczony pomiedzy jeden z biegunów zródla zasilania, a emiter tranzystora wtórnika emiterowego.Przy badaniu sprawnosci kondensatorów, badany kondensator jest wlaczony pomiedzy baze a emiter tranzystora generatora o sprzezeniu transformatorowym.Urzadzenie wedlug wynalazku umozliwia badanie sprawnosci tranzystorów bipolarnych npn., pnp, a ponadto polowych N i P zlaczowych lub z izolowana bramka, bocznikowanych w ukladzie elektronicznym, w którym sa zamontowane, opornoscia rzedu 10 omów, co umozliwia badanie tranzystorów mocy pracujacych w wyjsciowych stopniach z transformatorami napedzajacymi o malej opornosci uzwojenia. Na szczególne podkreslenie zasluguje mozliwosc badania tranzystorów polowych. Urzadzenie daje takze mozliwosc badania sprawnosci kondensatorów zamontowanych w ukladzie, a ponadto moze byc uzywane do sprawdzania glosni¬ ków, wzmacniaczy malej czestotliwosci, jak równiez przy uzyciu miliamperomierza do zgrubnego pomiaru.Urzadzenie wedlug wynalazku dzieki swojej prostocie moze byc wykonane jako przyrzad kieszonkowy.Wynalazek jest blizej objasniony na przykladzie realizacji przedstawionym na rysunku w postaci schematu ideowego przyrzadu do badania elementów elektrycznych zamontowanych w ukladzie elektronicznym.W zaznaczonym na schemacie polozeniu I przelacznika P2 skladajacego sie z 3 sekcji a, b, c, przyrzad jest uzywany do badania tranzystorów bipolarnych pnp i polowych P. Impedancja miedzy elektrodami badanego tranzystora Tx w jego ukladzie roboczym oznaczone Zl, Z2, Z3 stanowia wdanym ukladzie pomiarowym impedencje pasozytnicze.Napiecie z wtórnego uzwojenia transformatora Tr przesuniete w fazie o 180° wzgledem napiecia kolektora Tx jest podawane na baze badanego tranzystora Tx typu pnp poprzez wtórnik emiterowy na transformatorze Tl równiez typu pnp. Jezeli badany tranzystor Tx jest dobry, to po wlaczeniu zasilania przelacznikiem PI z przyciskiem zwrotnym uklad sie wzbudza na czestotliwosci akustycznej. Zastosowanie wtórnika emiterowego Tl pozwala uniknac stlumienia sygnalu zwrotnego przez impedancje pasozytnicza — równolegle polaczenie Zl IZ2. Wystepowanie impedancji Z1, Z2 i Z3 w przedstawionym ukladzie pomiarowym wplywa glównie na czestotliwosc drgan.Wskaznikiem powstawania drgan, a tym samym sprawnosci badanego tranzystora jest pojawienie sie w glosniku GL sygnalu dzwiekowego. Brak sygnalu swiadczy o uszkodzeniu badanego tranzystora Tx.W polozeniu 11 przelacznika P2 przeprowadza sie badanie tranzystorów typu npn i N. Biegunowosc zródla zasilania Uz ulega odwróceniu, a elementem czynnym wtórnika emiterowego staje sie tranzystor T2 typu npn.Zdolnosc generacyjna tranzystora nie zamontowanego w ukladzie moze byc takze sprawdzona z pominie¬ ciem wtórnika emiterowego w obwodzie sprzezenia zwrotnego. Badany tranzystor przylacza sie wówczas do zacisków E, B, K.Badanie kondensatorów przeprowadza sie w polozeniu III przelacznika P2, gdy powstaje uklad generatora malej czestotliwosci o sprzezeniu zwrotnym transformatorowym na tranzystorze T3. Czestotliwosc tego generatora zalezy bardzo wyraznie od skladowej pojemnosciowej impedancji wystepujacej miedzy baza a emiterem T3. Czestotliwosc poczatkowa jest dosc wysoka, tak ze dolaczenie nawet stosunkowo malej pojemnosci Cx rzedu 1000 pF powoduje dostrzegalna zmiane czestotliwosci. Przy pewnej wprawie mozliwe jest nawet oszacowanie badanej pojemnosci. Zalaczenie kondensatora majacego przerwe nie zmienia czestotliwosci sygnalu, natomiast wlaczenie zawartego kondensatora zrywa drgania. Przyrzad moze byc wykorzystany takze do okreslenia wspólczynnika wzmocnienia pradowego tranzystorów bipolarnych. W tym celu badany tranzystor nalezy odpowiednio przylaczyc do zacisków oznaczonych E, B, K. Przy odpowiednio wybrane] wartosci opornika R1 wartosc wspólczynnika jest wprost propocjonalna do wartosci pradu wskazywanego przez miliamperomierz mA. W polozeniu I przelacznika P2 przeprowadza sie pomiar tranzystorów typu pnp, w polozeniu II przelacznika P2 — tranzystorów typu npn.88805 3 Przyrzad w polozeniu III przelacznika P2 moze byc równiez stosowany do sprawdzenia glosników wzmacniaczy, diod pólprzewodnikowych i przewodów, napieciem o czestotliwosci akustycznej. Glosniki i wzmacniacze zalacza sie miedzy wyprowadzeniami E i K ukladu generatora wlaczanego przelacznikiem PI.Diody i przewody wlacza sie miedzy zaciskami D1 i D2. W razie zbocznikowania przelacznika P1 przewodem nie posiadajacym przerwy lub sprawna dioda z uwzglednieniem biegunowosci powstaja drgania slyszane w glosniku GL.Elementy elektryczne reaktancyjne takie jak, cewki czy kondensatory sprawdza sie przy II lub III polozeniu przelacznika P2 i wstawieniu w zaciski E, B, K dodatkowego tranzystora npn lub pnp, w zaleznosci od ustawienia przelacznika P2. Badany element stanowi wówczas element bierny ukladu generatora i jest on wlaczony pomiedzy jeden z biegunów zródla zasilania Uz, a emiter tranzystora T2 wtórnika emrterowego.W przypadku; gdy badany element jest sprawny — czestotliwosc generatora ulegnie zmianie. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Urzadzenie do badania sprawnosci elementów elektrycznych, wykorzystujace generator o sprzezeniu transformatorowym, zasilany ze zródla zasilania pradu stalego, w którym badany element elektryczny stanowi element skladowy tego generatora, znamienny tym, ze kolektor (K) badanego tranzystora (Tx) I kolektor tranzystora (T3) generatora sa podlaczone do uzwojenia pierwotnego transformatora (Tr) polaczonego z jednym z biegunów zródla zasilania (Uz), zas emitery tych tranzystorów — do drugiego z biegunów zródla zasilania (Uz), a baza badanego tranzystora (Tx) jest polaczona z emiterem tranzystora (T1, T2) wtórnika emiterowego, którego kolektor jest polaczony bezposrednio z pierwszym biegunem zródla zasilania (Uz), natomiast baza-z jednym z zacisków przelaczanych (I, II) przelacznika (P2c), o zacisku stalym dolaczonym poprzez opornik (R) zbocznikowany kondensatorem (C) do uzwojenia wtórnego transformatora (Tr) i drugim zacisku przelaczanym (III) polaczonym z baza tranzystora (T3) generatora. PL