Przedmiotem wynalazku jest uklad szeregowo polaczo¬ nych tranzystorów bipolarnych umozliwiajacych zasilanie utworzonego polaczenia napieciami przekraczajacymi do¬ puszczalne napiecia miedzyelektrodowe poszczególnych tranzystorów i uzyskanie wiekszej wypadkowej mocy strat.W znanym sposobie szeregowego laczenia tranzystorów kolektor nizszego laczy sie z emiterem nastepnego a bazy polaryzuje sie ze wspólnego dzielnika rezystorowego.W ukladach tych kolejne tranzystory musza miec zrózni¬ cowane rezystory polaryzacyjne a wybrany punkt pracy nie moze byc zmienionybezwymiany elementów. Rozrzuty parametrów tranzystorów dodatkowo zawezaja zakres to¬ lerancji elementówzastosowanych w ukladzie. Jezeli para¬ metry dynamiczne i szumowe dla danego zastosowania sa drugorzedne, uklad szeregowo polaczonych tranzystorów mozna zastapic tranzystorem przystosowanym do pracy przy wysokichnapieciach. Zastepstwo takieniejestmozli¬ we dla tranzystorów mocy poniewaz przy wysokich napie¬ ciach miedzyelektrodowych nastepuje drastyczny spadek dopuszczalnej mocy strat w porównaniu z wartosciami uzyskiwanymi przy niskich napieciach zasilajacych.Celem wynalazku jest opracowanie ukladu pozwalaja¬ cego na szeregowe laczenie dowolnej ilosci tranzystorów nie posiadajacego zarówno wad dotychczas stosowanego polaczenia jak i niedostatków wysokonapieciowych tran¬ zystorów mocy.Cel ten zostal osiagniety przez opracowanie ukladu szeregowo polaczonych tranzystorów, w którym polaryza¬ cja elektrod poszczególnych tranzystorów skladowych uzalezniona jest w sposób dynamiczny od stanu przewo¬ dzenia tranzystorów sasiadujacych.Uklad ten tworzy sie w ten sposób, ze pomiedzy kolektor i baze kazdego z tranzystorów za wyjatkiem tranzystora sterujacego wlaczane sa rezystory polaryzujace, pomiedzy emitery i bazy sasiadujacych ze soba w szeregu tranzysto¬ rów wlaczane sa rezystory polaryzacji wspólnej, miedzy baze trzeciego w szeregu tranzystora i emiter tranzystora sterujacego wlaczony jest rezystor wyrównawczy, przy czym baza tranzystora sterujacego polaryzowana jest cal¬ kowicie niezaleznie ze zródla zasilania lub ze zródla steru¬ jacego a zródlo zasilajace uklad wlaczane jest miedzy emiter tranzystora sterujacego i kolektor ostatniego tran¬ zystora.W wyniku takiego polaczenia elektrody poszczególnych tranzystorów zasilane sa niskimi napieciami, co zapewnia pelne wykorzystanie mocy tych tranzystorów.Uklad wta¬ kim polaczeniu wzmacnia równiez skladowa stala, dzieki czemu mozna go traktowac jako jeden tranzystor o odpo¬ wiednio zmiennych parametrach, w szczególnosci o duzym napieciu miedzy elektrodowym i duzej dopuszczalnej mocy strat. Dla tak utworzonego ukladu sluszne sa wszystkie warianty wzajemnych polaczen i sprzezen zwrotnych jak dla pojedynczego tranzystora oraz sluszna pozostaje zasa¬ da szeregowego laczeniaukladów elektrycznych zbudowa¬ nych z dwóch lub wiecej tranzystorów dajacych w ukladzie zastepczym tranzystor o odpowiednio skorygowanychpa¬ rametrach np. ukladów Darlingtona.Wynalazek zostanie blizej objasniony na przykladzie wykonania uwidocznionym na zalaczonym rysunku. 8839288:* Uklad sklada sie z pieciu tranzystorów typu npn polaczo¬ nych szeregowo w taki sposób, ze kolektor nizszego laczy sie galwanicznie z emiterem nastepnego przy czym pierw¬ szy tranzystor T, jest tranzystorem sterujacym, a kazdy z pozostalych w szeregu tranzystorów T, - T, tworzy 5 wzgledem nizszego wtórnik emiterowy.Pomiedzy kolektor i baze kazdego z tranzystorów za wyjatkiem tranzystora sterujacego T, wlaczone sa rezysto¬ ry polaryzujace R,- R4 a pomiedzy emitery i bazy sasiadu¬ jacych ze soba w szeregu tranzystorów T,-T„T,~ T(, TA - T,, 10 wlaczone sa rezystory polaryzacji wspólnej R$- R7. Miedzy baza trzeciego w szeregu tranzystora T, i emiterem tran¬ zystora sterujacego T,, wlaczony jest rezystor R,. Baza tranzystora sterujacego T, polaryzowana jest calkowicie niezaleznie ze zródla zasilania UB lub zezródla sterujacego uklad. Zródlo zasilajace uklad wlaczonejest miedzy emiter tranzystora sterujacego T, i kolektor ostatniego T,.W wyniku takiego polaczenia napiecia polaryzujace ko¬ lejne tranzystory podawane sa ze zródla baterii zasilajacej UB poprzez przewodzace tranzystory T2- Ts i na rezystorze R4 polaryzujacym tranzystor T, nie nastepuje sumowanie pradów baz pozostalych tranzystorów skladowych.Z chwila wysterowania tranzystora sterujacego T,, cale polaczenie uzyskuje wlasciwosci pojedynczego tranzysto¬ ra o wysokim napieciu miedzyelektrodowym i duzej dopu¬ szczalnej mocy strat.W omawianym polaczeniu stosowac mozna dodatkowo znane elementy na przyklad diody Zenera wlaczane mie¬ dzy kolektory i bazy równolegle do oporników polaryzuja¬ cychR, - Rt jesli istnieje obawa przekroczenia sumaryczne- 30 go dopuszczalnego napiecia kolektor-emiterpowstajacego w stanach przejsciowych w czasie których chwilowa war¬ tosc napiecia zasilajacego moze byc wieksza od sumy napiec tranzystorów skladowych oraz elementy antypara- zytowe typu R.L.C. wlaczane w dowolny punkt ukladu.Uklad wedlug wynalazku moze byc stosowany w zasila¬ czach stabilizowanych i w ukladach wzmacniaczy szero¬ kopasmowych. W zasilaczach pozwala on rozszerzyc za¬ kres dopuszczalnych zmian napiecia niestabilizowanego oraz umozliwia stabilizacje znaczenia wyzszych napiec.We wzmacniaczach szerokopasmowych umozliwia uzy¬ skiwanie duzych wzmocnien i duzych amplitud napiecia wyjsciowego przy wykorzystaniu typowych tranzystorów niskonapieciowych. Nie stwarza on jednoczesnie zadnych ograniczen dla stosowania sprzezen zwrotnych. PL