PL87950B1 - - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest dioda elektroluminescencyjna o zwiekszonej mocy promieniowania.W zastosowaniach przemyslowych wystepuje coraz czesciej koniecznosc uzyskiwania duzej mocy promie¬ nistej diod, a w zwiazku z tym koniecznosc obciazania ich znacznym pradem. Znanych jest dotychczas kilka konstrukcji diod elektroluminescencyjnych o zwiekszonej mocy, lecz wszystkie wymagaja kosztownych obudów ceramiczno—metalowych oraz pracochlonnego montazu. Zgodnie z jednym ze znanych sposobów strukture pólprzewodnikowa diody ze zlaczem p-n wykonanym metoda dyfuzyjna i wytrawiona „mesa" lutuje sie do dna obudowy ceramiczno—metalowej, a nastepne calosc wygrzewana jest w piecu wodorowym w celu wytworzenia kontaktu omowego do jednego z obszarów zlacza p—n. Nastepna operacja jest przylutowanie tasiemki jednym koncem do pierscienia obudowy a drugim do kulki ze stopu Sn In wtopionej w strukture „mesa". Nastepnie zlacze maskowane jest zywica silikonowa.Zmontowany zestaw obudowy ze zlaczem lutowany jest z elektroda dolna a nastepnie górna. Wszystkie operacje lutowania wykonywane sa pod mikroskopem za pomoca lutownicy. Dla wzmocnienia zestaw obudowy wraz z elektroda górna zalewany jest zywica Epidian 5. Nastepnie od strony struktury wklejana jest szybka ochronna za pomoca balsamu kanadyjskiego, tak aby przestrzen miedzy szybka a struktura pólprzewodnikowa byla wypelniona.Diode elektroluminescencyjna wedlug wynalazku wykonuje sie nastepujao: strukture pólprzewodnikowa z wykonanym metoda dyfuzji zlaczem p—n i kontaktami wykonanymi metoda klasycznej fotolitografii przyluto- wuje sie do podstawki a nastepnie wykonuje sie metoda ultrakompresji polaczenie naparowanego kontaktu do nózki przepustu. Po pomiarze parametrów elektrycznych przy zmniejszonej mocy zasilania, elementy zakwalifi¬ kowane jako dobre mocuje sie np. przez zgrzewanie w gniezdzie obudowy wykonanej z materialu dobrze przewodzacego cieplo, korzystnie miedzi. Od strony struktury gniazdo wypelnione jest zywica polimeryzujaca o wspólczynniku zalamania swiatla wiekszym od 1,5 i duzej przenikliwosci, uformowana w ksztalt soczewki.W niektórych przypadkach np. pracy w temperaturze powyzej 100°C celowe jest zastapienie soczewki z zywicy wklejonym okienkiem szklanym.2 87 950 Dioda elektroluminescencyjna wedlug wynalazku w przykladzie wykonania przedstawiona jest w przekroju osiowym na rysunku.W gniezdzie obudowy 1 wykonanej z miedzi zamontowana jest przez zgrzewanie podstawka 2 ze struktura pólprzewodnikowa 3, która jednym z obszarów przewodnictwa jest przylutowana do podstawki 2, a drugim polaczona z przepustem 5 za pomoca termokompresji. Gniazdo obudowy 1 wypelnione jest zywica polimery¬ zujaca 4 o wspólczynniku zalamania swiatla wiekszym od 1,5 i duzej przenikliwosci, uksztaltowana w formie soczewki. Przy montazu diody wedlug wynalazku mozna wykorzystac urzadzenia i czesci uzywane do montazu typowych urzadzen pólprzewodnikowych. Diode elektroluminescyjna wedlug wynalazku mozna wykonac jako urzadzenie wielosegmentowe. W tym przypadku schemat na rysunku przedstawia jeden segment urzadzenia. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Dioda elektroluminescencyjna, o zwiekszonej mocy promieniowania wyposazona w strukture pólprzewod¬ nikowa z wytworzonym w niej zlaczem p-n i obudowa wykonana z materialu o duzej przewodnosci cieplnej, zna¬ mienna tym, ze w gniezdzie obudowy (1) wykonanej korzystnie z miedzi zamontowana jest trwale co zapew¬ nia dobra przewodnosc cieplna, korzystnie przez zgrzewanie, podstawka (2) ze struktura pólprzewodnikowa (3) umocowana uprzednio jednym z obszarów do podstawki (2) sposobem zapewniajacym dobra przewodnosc cieplna i elektryczna, korzystnie przez lutowanie, a drugim obszarem polaczona z przepustem (5) za pomoca termo lub ultrakompresji, przy czym gniazdo obudowy (1) wypelnione jest zywica polimeryzujaca (4) lub szyba szklana o wspólczynniku zalamania swiatla wiekszym od 1,5 i duzej przenikliwosci. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120 +18 Cena 10 zl PL