PL87788B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL87788B1
PL87788B1 PL16611473A PL16611473A PL87788B1 PL 87788 B1 PL87788 B1 PL 87788B1 PL 16611473 A PL16611473 A PL 16611473A PL 16611473 A PL16611473 A PL 16611473A PL 87788 B1 PL87788 B1 PL 87788B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
component
solvent
resistive
derivatives
boiling
Prior art date
Application number
PL16611473A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16611473A priority Critical patent/PL87788B1/pl
Publication of PL87788B1 publication Critical patent/PL87788B1/pl

Links

Landscapes

  • Conductive Materials (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania fpast przewodzacych, rezystywnych i dielektry¬ cznych, na rozpuszczalnikach organicznych znajdu¬ jacych szerokie zastosowanie w przemysle, a szcze¬ gólnie w przemysle elektronicznym. 5 W znanych dotychczas sposobach, pasty wymie¬ nionych rodzajów wytwarza sie poprzez zawiesza¬ nie w formie koloidów sproszkowanych materia¬ lów o wlasnosciach przewodzacych, rezystywnych lub dielektrycznych, jako skladników aktywnie 10 dzialajacych, w rozpuszczalnikach jednoskladniko¬ wych, takich jak toluen lub terpineol albo w mie¬ szaninach dwuskladnikowych, takich jak, np. mie¬ szanina eteru etylowego z cetonem, toluenu z terpi¬ neolem itp. Czesto dodawany jest do past wymie- 15 nionego typu w niewielkich ilosciach glikol etyle¬ nowy w celu zwiekszenia przyczepnosci pasty do podloza ceramicznego. Po nalozeniu warstwy pasty otrzymywanej znanyjmi dotychczas sposobami na powierzchnie ceramiczne i podgrzaniu podloza cera- 20 micznego wraz z pasta ze stosowanych rozpuszczal¬ ników zarówno jedno, dwu lub wieloskladniko¬ wych, poszczególne skladniki odparowuja zeotro- powo, a zatem gwaltownie z nalozonej warstwy pasty. Po osiagnieciu temperatury wrzenia rozpu- 25 szczalnika jednoskladnikowego lub najnizej wrzace¬ go skladnika, w rozpuszczalniku dwu lub wiecej skladnikowy; wrze ten skladnik az do calkowitego lub prawie calkowitego jego odparowania, po czym po osiagnieciu temperatury wrzenia nastepnego 30 skladnika w rozpuszczalnikach dwu lub wiecej skladnikowych odparowuje nastepny skladnik itd., az do calkowitego wyczerpania sie rozpuszczalni¬ ka lub rozpuszczalników w nalozonej warstwie pa¬ sty. W konsekwencji krzywa wrzenia, i odparowy¬ wania skladników zarówno z jedno jak i wielo¬ skladnikowych rozpuszczalników w procesie uzyski¬ wania z pasty warstwy aktywnej na podlozu cera¬ micznym jest krzywa skokowa. Gwaltowne odparo¬ wywanie rozpuszczalników zarówno jedno jak wie¬ loskladnikowych z nalozonej na powierzchnie cera¬ miczna warstwy pasty powoduje, ze pary rozpu¬ szczalnika wytwarzaja sie równoczesnie w calej masie nalozonej warstwy i rozrywaja ja mechani¬ cznie. W przypadku rozpuszczalników wieloskladni¬ kowych proces ten poteguje kazdy, kolejno wrzacy skladnik rozpuszczalnika. W rezultacie w procesie technologicznym otrzymywanie warstwy przewo¬ dzacej, rezystywnej lub dielektrycznej z nalozonych warstw, .odpowiednio dobranych past powstaje z reguly ponad 50% braków w produkcie finalnym.Niedogodnosci te usuwa sposób wedlug wynala¬ zku, polegajacy na tyim, ze sproszkowane skladniki aktywnie dzialajace zawiesza sie w formie koloidów w rozpuszczalnikach wieloskladnikowych, zlozonych z szeregu homologicznych alkoholi alifatycznych, weglowodorów aromatycznych i ich pochodnych oraz weglowodorów terpenowych i ich pochodnych z do¬ datkiem lub bez dodatku glikoli: etylenowego, n- lub izo-ptopylenowego oraz albo dwu i trójglikoli 87 78887 788 tego samego typu. Dodatek glikoli, jako skladni¬ ków zwiekszajacych przyczepnosc past do podlo¬ za ceramicznego uzalezniony jest od przyczepno¬ sci samego rozpuszczalnika do wymienionego ro¬ dzaju podloza.Z warstwy' pasty uzyskanej wedlug wynalazku nalozonych na podloze ceramiczne i podgrzewanych kolejno do coraz to wyzej wrzacych skladników rozpuszczalnika, rozpuszczalnik odparowuje w spo¬ sób ciagly z powierzchni nalozonej warstwy, ponie¬ waz róznica temperatur wrzenia poszczególnych skladników jest co najwyzej kilka stopni, a ponadto ulega znacznemu zmniejszeniu ze wzgledu na two¬ rzenie sie dwu-, trój- i wieloskladnikowych azeo- tropów dodatnich miedzy skladnikami szeregów homologicznych tworzacych rozpuszczalnik. Doda¬ tek mono, dwu- lub trój glikoli wplywa równiez korzystnie na zmniejszenie róznic miedzy tempera¬ turami wrzenia odparowujacych skladników roz¬ puszczalnika, poniewaz wchodza one równiez w sklad odparowujacych mieszanin azeotropowych.Krzywa odparowywania rozpuszczalnika w tempe¬ raturach wrzenia jego skladników wraz z utwo¬ rzonymi miedzy nimi mieszaninami azeotropowymi dodatnimi jest krzywa ciagla i odparowywanie calego rozpuszczalnika z powierzchni, a nie calej masy nalozonej warstwy pasty. W konsekwencji takie zachowanie sie rozpuszczalnika w procesie podgrzewania podloza ceramicznego wraz z nalo¬ zona nan warstwa pasty powoduje, ze proces odpadów w produkcie finalnym spada z reguly ponizej 10%, a w wiekszosci przypadków jest mniejszy1 od 5%. Uzyskiwane korzysci ekonomi¬ czne wzrastaja przy stosowaniu past otrzymywa¬ nych sposobem wg wynalazku o okolo 100% w sto¬ sunku do korzysci uzyskiwanych sposobami zna¬ nymi dotychczas.Przyklad. Do pojemnika porcelanowego zaopa¬ trzonego w mieszadlo wlewa sie 3% wagowych. obojetnych weglowodorów aromatycznych i ich po¬ chodnych, wydzielonych ze smoly weglowej wyso¬ kotemperaturowej jako frakcja wrzaca od ok. 80 do okolo 190°C, nastepnie 5,5% wagowych obojet¬ nych weglowodorów terpenowych i pochodnych, wydzielonych z terpentyny jako frakcja wrzaca od ok. 110 do ok. 220°C, 1,5% wagowych alkoholi alifatycznych, wrzacych jako frakcja w granicach 80—130°C oraz 1,5% wagowych glikoli dwuetyle- nowych i miesza w ciagu ok. 25 minut w celu uzy¬ skania jednorodnego roztworu skladników, potem dodaje sie, ciagle mieszajac 3% wagowych jedne¬ go sposród znanych srodków zageszczajacych, np. metakrylanu butylu 1% wagowych kalafonii, 12% wagowych szkliwa i 73% wagowych sproszkowanego srebra. Calosc miesza az do chwili uzyskania jedno¬ rodnej masy pasty) to znaczy ok. 2-ch godzin.Inny rodzaj past otrzymuje sie w analogiczny spo¬ sób, zastepujac srebro materialami rezystywnymi, takimi jak, np. mieszanina srebra i palladu, albo dielektrycznymi, np. tlenkiem tytanu. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania past elektronicznych prze¬ wodzacych, rezystywnych i dielektrycznych na roz¬ puszczalnikach organicznych, znamienny tym, ze sproszkowane skladniki aktywnie dzialajace, prze¬ wodzace, rezystywne, dielektryczne zawiesza sie w formie koloidu w rozpuszczalniku zlozonym z szeregów homologicznych alkoholi alifatycznych, weglowodorów aromatycznych i ich pochodnych oraz weglowodorów terpenowych i ich pochodnych, ewentualnie z dodatkiem mono, dwu-lub trójgli¬ kolu etylenowego i / albo propylenowego. LZG Zakl. Nr 3 w Pat. Zam. nr 1646^76. Nakl. 135+20 egz. Cena 10 zl PL
PL16611473A 1973-10-26 1973-10-26 PL87788B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16611473A PL87788B1 (pl) 1973-10-26 1973-10-26

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16611473A PL87788B1 (pl) 1973-10-26 1973-10-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL87788B1 true PL87788B1 (pl) 1976-07-31

Family

ID=19964595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16611473A PL87788B1 (pl) 1973-10-26 1973-10-26

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL87788B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3484284A (en) Electroconductive composition and method
JPS5931201B2 (ja) 抵抗物質
US4410598A (en) Process for preparation of insulating coatings upon steel
JP2012509965A (ja) Rfidおよび他の用途に使用するための高導電率ポリマー厚膜銀導体組成物
US4733018A (en) Thick film copper conductor inks
US3495996A (en) Ceramic composition,improved electronic devices employing same,and method of fabrication
US2837487A (en) Resistor enamel and resistor made therefrom
PL87788B1 (pl)
EP0047071B1 (en) Thick film conductor employing nickel oxide
US4044173A (en) Electrical resistance compositions
US4587040A (en) Thick film thermistor composition
US3681135A (en) Printed circuits and method of making same
EP0068167A2 (en) Conductive composition comprising copper, and flash bar produced therewith
US3326720A (en) Cermet resistance composition and resistor
US3775347A (en) Compositions for making resistors comprising lead-containing polynary oxide
WO2017079170A1 (en) Inked electrical conductor
KR100529478B1 (ko) 소성층용 페이스트
US4521250A (en) Mixture for preparation of protective and insulating coatings on metals
US2506130A (en) Metalized ceramic coating composition
EP0033979B1 (en) Thick film silver compositions for silver terminations for reduced barium titanate capacitors
JPH11246236A (ja) プラズマディスプレーパネル用誘電体ペースト
SU792292A1 (ru) Токопровод ща паста
JP2644017B2 (ja) 抵抗ペースト
JPH113802A (ja) 低温焼成用抵抗ペースト
PL151479B1 (pl) Pasta przewodząca