PL84204B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL84204B1 PL84204B1 PL16013873A PL16013873A PL84204B1 PL 84204 B1 PL84204 B1 PL 84204B1 PL 16013873 A PL16013873 A PL 16013873A PL 16013873 A PL16013873 A PL 16013873A PL 84204 B1 PL84204 B1 PL 84204B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- resistor
- switch
- circuit
- current
- source
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 241001489705 Aquarius Species 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000575 pesticide Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest uklad do pomiaru
reizystywinosci i ruchliwosci nosników ladunku e-
lektrycznego w cienkich warstwach pólprzewodni¬
kowych wysokorezystywnyeh.
Znany jest z publikacji „Elektronika" nr 5, str. 5
188, 1972 — Z. Kuznicki, uklad do pomiaru ruch¬
liwosci .nosników ladunku elektrycznego, sklada¬
jacy sie z czterech elektrod doprowadzajacych, u-
mieisizczonych na warstwie pólprzewodnikowej znaj¬
dujacej sie w prostopadlym do jej powierzchni 10
polu magnetycznym. Uklad ten stosowany jest
przy ¦pomiarach ruchliwosci metoda vam Heeka.
Elektrody doprowadzajace usytuowane sa syme¬
trycznie parami i rozdzielone szczelinami i obsza¬
rem czynnym warstwy pólprzewodnikowej. Kazda 15
z par elektrod wlaczona jest w swój obwód za¬
silajacy skladajacy sie zwykle z polaczonych sze¬
regowo rezystora, zródla pradu stalego z regulacja
potencjometryczna i miernika pradu, a .pomiedzy
te obwody wlaczony jest rezystor wzorcowy, po- 20
laczony równolegle z miernikiem napiecia.
Okazuje sie jednakze, ze w opisanym ukladzie'
przy badaniach warstw o przykladowych parame¬
trach grubosci 8,1—1,0 m, ruchliwosci 1—15 cm2
(Vs) przy optymalnym polu elektrycznym oraz re- 25
zystownosci okolo 106 ohm cm obserwuje sie trud¬
nosci pomiarowe spowodowane malymi wartoscia¬
mi zwarciowego pradu Halla. Ponadto przy bardzo
duzych wartosciach rezystancji calkowitej warstw
powstaje koniecznosc konstruowania specjalnych 30
2
masek do naparowania elektrod, tworzacych ob¬
szar czynny. Fakt, iz zwarciowy prad Halla jest
odwrotnie proporcjonalny do rezystywnosci war¬
stwy, spowodowal koniecznosc stosowania do po¬
miaru wartosci tego pradu, dobieranej indywidu¬
alnie wartosci rezystywnosci wzorcowej dla kazdej
niemal próbki. Na rezystorze wzorcowym mierzy
sie spadek napiecia spowodowany przeplywem pra¬
du zwarciowego, przy czym wartosc jego rezystan¬
cji powinna byc taka azeby praktycznie caly prad
zwarciowy przez niego przeplynal. Spelnienie tego
warunku wiaze sie z dopasowaniem wartosci re¬
zystancji wzorcowej dla poszczególnych próbek, bo¬
wiem zadna technologia nie pozwala praktycznie
na uzyskiwanie w pelni 'powtarzalnych parametrów
takich warstw.
W zwiazku z powyzszym przy pomiarach war¬
stw badanych stosuje sie kilka niezaleznych ukla¬
dów pomiarowych, przeznaczonych do pomiaru ru¬
chliwosci, dobrania wartosci rezystancji wzorco¬
wej oraz do pomiaru rezystywnosci materialu ba¬
danej warstwy. W przypadku warstw wysokore¬
zystywnych, ze wzgledu na bardzo duzie wartosci
rezystancji calkowitej i co za tym idzie male war¬
tosci pradów zwarciowych, uklady te wymagaja
specjalnych izolacji i ekranowania, co w sposób
istotny komplikuje badania. Ponadto, próbka w
trakcie podlaczania jej dp poszczególnych ukladów
pomiarowych moze byc fatwo uszkodzona.
Celem wynalazku jest wyeliminowanie tych nie-
84 2043
84 204
4
dogodnosci przez rozwiazanie zagadnienia technicz¬
nego, polegajacego ma skonstruowaniu ukladu do
pomiaru rezystywnosci i ruchliwosci nosników la¬
dunku elektrycznego w cienkich warstwach pól-
. przewodnikowych wysokorezystywnych.
Wedlug wynalazku uklad do pomiaru rezysty¬
wnosci 1 ruchliwosci nosników ladunku wi cienkich
warstwach pólprzewodnikowych wysokorezystyw¬
nych, na których osadzone isa cztery elektrody do¬
prowadzajace prad, posiada dwa obwody zasilajace.
Elektrody sa wlaczone parami, a miedzy te ob¬
wody wlaczony jest rezystor wzorcowy, polaczony
równolegle z miernikiem napiecia. Jeden z obwo¬
dów zasilajacych sklada sie z szeregowo polaczo¬
nych: rezystora, zródla pradu istalego, miernika
pradu i wylacznika, polaczonego z zaciskiem re¬
zystora wzorcowego i z elektroda. Drugi obwód
zasilajacy sklada sie z szeregowo polaczonych: re^
zystora, przelacznika, zródla praadu stalego i mier¬
nika pradu. Drugi zestyk przelacznika polaczony
jest z koncówka rezystora wzorcowego oraz elek¬
troda pierwszej pary elektrod.
Rozwiazanie takie umozliwia dobranie rezystan¬
cji wzorcowej do rezystywnosci danej próbki i
pomiar tej rezystywnosci poprzez rozwarcia wy¬
lacznika i zmiane pozycji przelacznika. Gdy sa one
w zwyklej pozycji otrzymuje sie typowy uklad
pomiarowy, stosowany przy metodzie van Heeka.
Tak wiec po jednokrotnym zainstalowaniu próbki
mozna dokonac wszystkich wymienionych wyzej
pomiarów w jednym ukladzie pomiarowym.
Przedmiot wynalazku jest blizej omówiony w o-
parciu o przylflad przedstawiony na rysunku, na
którym fig. 1 przedstawia schemat ideowy ukladu
z róbka, fig. 2 zas schemat zastepczy tego ukladu.
Jak uwidoczniono na rysunku elektrody 1 i 2 wla¬
czone sa w obwód zasilajacy, skladajacy sie z sze¬
regowo polaczonych: rezystora Rl, zródla pradu
stalego Zl, miernika pradu Al i wylacznika Wl,
polaczonego swoim zaciskiem z elektroda 1 i z jed¬
na z koncówek rezystora wzorcowego R3, zboczni-
kowanego miernikiem napiecia V. Druga koncówka
rezystora R3 polaczona jest poprzez drugi miernik
pradu A2 z drugim zródlem pradu stalego Z2, po¬
laczonego swoim biegunem z przelacznikiem W2.
Druga koncówka rezystora wzorcowego A-3 pola¬
czona jest z przelacznikiem W2, którego drugi
zestyk polaczony jest z elektroda 3 poprzez re¬
zystor R2. Ta koncówka rezystora wzorcowego R3
równomiernie polaczona jest z elektroda 4.
Jak pokazano na fig. 2 rezystor Rpl wlaczony
jest w obwód, skladajacy sie z szeregowo pola¬
czonych: rezystora Rl, zródla pradu stalego Zl,
miernika pradu Al i wylacznika Wl, polaczonego
swoim zaciskiem z koncówkami rezystorów Rpl
i Rrjl oraz z jedna z koncówek rezystora wzor¬
cowego R3, zbocznikowanego miernikiem napie¬
cia V. Druga koncówka rezystora R3 polaczona
jest poprzez drugi miernik pradu A2 z drugim
zródlem pradu stalego Z2, polaczonego swoim bie¬
gunem z przelacznikiem W2. Druga koncówka re¬
zystora wzorcowego, R3 polaczona jest z rezysto¬
rami Rpl i Rr2 poprzez rezystor R2.
Przy pomiarze ruchliwosci uklad nie rózni sie
praktycznie od stosowanego poprzednio. Wylacznik
i przelacznik zamykaja oczko zewnetrzne, a re¬
zystor wzorcowy R3 sluzy, wraz z miernikiem na¬
piecia, do pomiaru zwarciowego pradu Halla. Na¬
tomiast, po rozlaczeniu Wl i przelaczeniu W2 oraz
ewentualnym wyjeciu rezystora R3, uklad umo¬
zliwia pomiar rezystancji wypadkowej próbki Rw,
na która skladaja sie rezystancje wypadkowe ob¬
jetosci pólprzewodnika oznaczone odpowiednio Rp
i Rr, (fig. 2). Rezystancja Rr jest rezystancja cal¬
kowita objetosc pólprzewodnika w szczelinie elek¬
trod sterujacych, aRp^- objetosci obszaru czynne¬
go.
Korzystajac z odpowiednich przeksztalcen-, mozna
wyznaczyc rezystywnosc pólprzewodnikowa, z któ¬
rego wykonana jest cienka warstwa, korzystajac
ze wzoru:
p = AMd Rw
gdzie:
q— rezystywnosc pólprzewodnika,
Am— stala maski do naparowywania elektrod!
zalezna od rozmiarów tych elektrod, szcze¬
liny miedzy nimi i obszaru czynnego,
d— grubosc badanej warstwy pólprzewodniko¬
wej,
Rw — rezystancja wypadkowa [próbki.
Znajac Rw mozna równiez dobrac rezystancje
wzorcowa R3 w zaleznosci od rezystywnosci prób¬
ki. Nie moze byc ona zbyt mala, aby odkladajace
sie .napiecie od zwarciowego pradu Halla moglo
byc na niej mierzone.
Przy bardzo malych pradach rezystencja R3musi
wiec byc batrdzo duza. Z drugiej strony musi ona
spelniac warunek:
R8
gdzie:
Rr— rezystancja calkowita obojetnosci pólprze¬
wodnika,
R3— rezystancja wzorcowa,
aby caly praktycznie zwarciowy prad Halla prze¬
plynal przez rezystor R3.
Z dyskusji trzech charakterystycznych przypad¬
ków mozliwych w redakcji Rr i Rw wynika ze
Rr = 1 + 2 Rw
gdzie:
Rr— rezystancja calkowita objetosci pólprze¬
wodnika,
Rw— rezystancja wypadkowa próbki,
a wiec wszystkie wymagania dotyczace doboru R$
sa spelnione, gdy znana jest wartosc Rw.
Claims (1)
1. Zastrzezenia |p a t en t o w e Uklad do ipomiaru rezystywnosci i ruchliwosci nosników ladunku elektrycznego w cienkich wars¬ twach pólprzewodnikowych wysokorezystywnych, na których osadzone sa cztery elektrody dopro¬ wadzajace, wlaczone parami w dwa obwody za¬ silajace, przy czym miedzy te Obwody zasilajace wlaczony jest rezystor wzorcowy, polaczony rów- ' nologle z miernikiem napiecia, oraz rezystory za¬ bezpieczajace zródlo pradu stalego, znamienny tyn% 1% 15 20 25 80 35 40 45 50 55 60 !• 15 20 25 80 35 40 45 50 55 6084 204 ze jeden z obwodów zasilajacych ipasiada szere¬ gowo ipolaczone elementy, rezystor zabezpieczajacy (Rl), zródlo pradu stalego (Zl) miernik pradu (Al), wlacznik (Wl) polaczony zestykiem z zaciskiem rezystora wzorcowego(R3) i z elektroda doprowa¬ dzajaca, natomiast drugi obwód zasilajacy posiada szeregowo polaczone elementy, rezystor zabezpie¬ czajacy (R2), przelacznik (W2), zródlo pradu sta¬ lego (Z2) oraz miernik pradu (Az) [polaczony z za¬ ciskiem rezystora wzorcowego (R3), przy czym dru¬ gi zacisk (R3) oraz elektroda doprowadzajaca (1) polaczone sa drugfan zestykiem paroelaczniika (W2), -**^o !^| I fr.i 1 Fig. 2 I
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16013873A PL84204B1 (pl) | 1973-01-02 | 1973-01-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16013873A PL84204B1 (pl) | 1973-01-02 | 1973-01-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL84204B1 true PL84204B1 (pl) | 1976-03-31 |
Family
ID=19961337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16013873A PL84204B1 (pl) | 1973-01-02 | 1973-01-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL84204B1 (pl) |
-
1973
- 1973-01-02 PL PL16013873A patent/PL84204B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4658213A (en) | Method and apparatus for testing direct current motors and generators, electromagnetic devices, and the like | |
| BR112013011931B1 (pt) | Método e sistema para detectar falhas em um sistema de distribuição de energia | |
| WO1999018446A1 (en) | Fluid conductivity sensor | |
| US4001684A (en) | Current measuring shunt | |
| PL84204B1 (pl) | ||
| GB2056182A (en) | Electrical resistance | |
| EP3447514B1 (en) | Magneto-impedance sensor | |
| US3590373A (en) | Stray voltage and continuity test device | |
| GB2273990A (en) | Surface resistivity measurements | |
| SU1320771A1 (ru) | Устройство дл измерени удельного электрического сопротивлени грунта | |
| US4670663A (en) | Guarded switches for component scanner | |
| SU1377751A1 (ru) | Способ измерени активного сопротивлени с помощью неуравновешенного моста | |
| Hernandez et al. | CRYOGENIC CURRENT COMPARATOR FOR THE MEASUREMENT OF ELECTRICAL RESISTANCE IN THE RANGE OF 10 kΩ TO 1 GΩ | |
| SU1019344A1 (ru) | Мост дл измерени сопротивлени высоковольтного резистора | |
| WO2000039599A1 (en) | Method and apparatus for detecting earth leakage from a battery | |
| JP2020118481A (ja) | 水冷ケーブルの劣化検出方法 | |
| SU1765785A1 (ru) | Устройство дл измерени сопротивлени изол ции электрических сетей переменного тока | |
| JP2025085316A (ja) | 電気抵抗測定装置、ホール効果測定装置及び半導体特性測定装置 | |
| US3567616A (en) | Circuit for simultaneously anodizing and measuring thin-film resistors | |
| JPS6345071B2 (pl) | ||
| SU394869A1 (ru) | Магнитоуправляемый контактор1•) | |
| JP2864136B2 (ja) | 抵抗測定方法及び装置 | |
| SU822079A1 (ru) | Измеритель низкоомных комплексныхСОпРОТиВлЕНий | |
| Elmquist et al. | A Bridge for Scaling to Higher Resistance from the QHR | |
| JPH023182Y2 (pl) |