Przedmiotem wynalazku jest sposób i uklad do •dobierania par tranzystorów pracujacych w szero¬ kim zakresie temperatury.Znane dotychczas sposoby dobierania par tran¬ zystorów przeznaczonych do pracy w ukladach sy¬ metrycznych i przeciwsobnych polegaja na porów¬ naniu charakterystyk pradowych tych tranzystorowi lub ich pradów statycznych w okreslonych punk¬ tach pracy.Znany jest równiez sposób i urzadzenie do do¬ bierania par tranzystorów w ukladzie wzmacniacza przeciwsobnego polegajacy na sterowaniu dyna¬ micznym dwoma identycznymi przebiegami zgodny¬ mi w fazie o równych amplitudach i czestotliwo¬ sci. Odbywa sie to w warunkach pracy, zblizonych do rzeczywistych, przy czym jako kryterium prak¬ tycznej identycznosci przyjmuje sie zanik napiecia na wspólnym obciazeniu.Znany jest sposób i urzadzenie do dobierania par tranzystorów do wzmacniaczy róznicowych pradu stalego, polegajace na tym, ze jeden tranzystor sposród tranzystorów mierzonych przyjmuje sie za tranzystor cdiniesienia i umieszcza sie w jednej galezi wzmacniacza róznicowego, przy czym suma pradów emiterów tranzystorów umieszczonych w obydwu galeziach wzmacniacza jest niezalezna od parametrów tych tranzystorów. Nastepnie do wej¬ scia wzmacniacza doprowadza sie róznicowy syg¬ nal stalopradowy i równoczesnie mierzy sie rózni¬ cowy sygnal na wyjsciu wzmacniacza. Jako kry- 2 teriuim doboru pary kolejno mierzonych tranzy¬ storów przyjmuje sie wystepowanie jednakowych wyjsciowych sygnalów róznicowych w granicach zalozonych tolerancji dla róznicowych sygnalów wejsciowych.Znane sa takze uklady do dobierania par tranzy¬ storów wlaczanych na przemian ido ukladu oscy¬ lografu za pomoca przelacznika elektromechanicz¬ nego. Urzadzenie zawiera uklad synchronizacji mo¬ mentu przelaczenia badanych tranzystorów, z mul- tiwibratorem w którego obwodzie obciazenia pod¬ laczona jest cewka z dwoma kontaktorami, przy czym obwody bez tranzystorów multiwibratora za¬ silane sa przez opornik napieciem zmiennym wlaczonym na wejscie odchylania poziomego jed- nostrumieniowego oscylografu.Zaden z powyzszych znanych [rozwiazan nie na¬ daje sie do dobierania charakterystyk termicznych par tranzystorów pracujacych w szerokim zakresie temperatur zwlaszcza w ukladzie z duza oporno¬ scia bazy. Powodem tego jest oddzielny pomiar zmian napiecia baza-emiter wzmocnienia stalopra- dowego i pradu Iob.Celem wynalazku jest umozliwienie szybkiego i dokladnego doboru tranzystorów pracujacych w szerokim zakresie temperatury.Istota wynalazku polega na zalaczeniu w obwody baz dobieranych tranzystorów rezystorów, a nas¬ tepnie poddaniu ich zadanym zmianom tempera¬ tury, po czym dokonuje sie zmian napiecia wej- 84 19684 196 3 sciowego Ueb dla kazdego z dobieranych tranzy¬ storów dla wybranych wartosci temperatur z za¬ danego zakresu pracy, przy jednoczesnym utrzyma¬ niu stalej wartosci pradu kolektora, a nastepnie odczytuje sie poszczególne wartosci napiecia Ueb i sporzadza charakterystyki zaleznosci zmian na¬ piecia Ueb w funkcji zmian temperatury, po czym dokonuje sie wyboru tranzystorów o charaktery¬ stykach wspólbieznych.Uklad do dobierania par- tranzystorów pracuja¬ cych .w szerokim zakresie zmian temperatury za¬ wiera komore klimatyczna wyposazona w n ze¬ spolów zaciskowych odpowiadajacych elektrodom tranzystorów i uklad pomiarowy, w którym wolto¬ mierz cyfrowy J*st dolaczony do zacisku ibazy emitera kazdego tranzystora z szeregu tranzysto¬ rów dobieranych, a zacisk kolektora jest polaczony poprzez miernik pradu i szeregowo polaczony z nim rezystor obwodu kolektora kazdego tranzy¬ stora 'dobieranego ze zródlem napiecia zasilania.Ponadito punkt wspólny polaczenia rezystora kolek¬ torowego i miernika pradu jest polaczony z pierw¬ szym wejsciem stabilizatora napiecia, którego dru¬ gie wejscie jest polaczone poprzez zródlo napiecia wzorcowego ze zródlem napiecia zasilania, przy czym wyjscie stabilizatora napiecia jest .polaczone poprzez rezystor bazy z baza kazdego dobieranego tranzystora.Wynalazek zostal uwidoczniony w ~ przykladzie wykonania na rysunku przedstawiajacym schemat ideowy ukladu do dobierania par tranzystorów pracujacych w szerokim zakresie temperatur: Uklad wedlug wynalazku sklada sie z komory klimatycznej 1 wyposazonej w n zespolów zacisko¬ wych a, b, c oraz z ukladu pomiarowego. Kazdy z zacisków Odpowiada odpowiedniej' elektrodzie tranzystora T z szeregu dobieranych "tranzystorów Ti ... Tn. Zacisk a odpowiada bazie tranzystora T, zacisk b odpowiada kolektorowi, a zacisk c emi¬ terowi tranzystora T. Do zacisków a i c dolacza sie kolejno woltomierz cyfrowy 2, natomiast do zacisku b poprzez miernik pradu 3 i rezystor .ob¬ wodu kolektora R dolacza sie zródlo zasilania Uk tranzystorów dobieranych Ti ... Tn. Na wejscie kazdego tranzystora T z szeregu tranzystorów do¬ bieranych Ti ... Tn polaczone z zaciskiem a do¬ lacza sie napiecie U na wyjscie stabilizatora napie¬ cia 4. Jedno wejscie stabilizatora 'polaczone jest ponadto poprzez wzorzec napiecia 5 do zródla za¬ silajacego Uk, a drugie jego wejscie jest polaczone z punktem wspólnym miernika pradu 3 i rezystora kolektorowego R. Dobierane tranzystory Ti ... Tn z dolaczonymi rezystorami bazy obwodu Rb 'umiesz¬ cza sie w komorze klimatycznej 1, przy czym elektrody tranzystorów dolacza sie ido n zespolów, w których kazdy zawiera trzy zaciski a, b i c.Kazdemu zespolowi zacisków przyporzadkowany jest jeden tranzystor T z rezystorem Rb. Naste¬ pnie kolejno do kazdego zacisku a, b, c dolacza sie uklad pomiarowy, skladajacy sie ze stabiliza¬ tora napiecia 4 i woltomierza cyfrowego 2.W obwody kolektorowe tranzystorów Ti ... Tn wlaczony jest miernik pradu kolektora 3. Zmie¬ niajac napiecie wejsciowe Ueb kolejnych tranzy¬ storów Ti ... Tn za pomoca Stabilizatora napiecia 4 dla kazdej z wybranych wartosci temperatur z zadanego zakresu pomiarowego (kolektora utrzy¬ muje sie stala wartosc pradu lc w"* obwodzie w kolektora mierzona miernikiem pfradu 3. Odczy¬ tujac z woltomierza 2 wartosc aapfecia wejscio¬ wego Ueb jaka odpowiada atalej wartosci pradu kolektora lc dla Miku temperatur zakresu pracy tranzystora Ti ... Tn otrzymuje sie przebieg cha- rakterystyk napiecia wejsciowego Ueb tranzystora w funkcji temperatury odpowiadajacy ich chara¬ kterystyce termicznej. Nastepnie dokonuje sie ich 'porównania, przy czym wspólbieznosc przebiegu charakterystyk termicznych dwóch '-tranzystorów jest równoznaczna z dobraniem pary tranzystorów. PL