PL80667B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL80667B2 PL80667B2 PL16592073A PL16592073A PL80667B2 PL 80667 B2 PL80667 B2 PL 80667B2 PL 16592073 A PL16592073 A PL 16592073A PL 16592073 A PL16592073 A PL 16592073A PL 80667 B2 PL80667 B2 PL 80667B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- mixture
- sinter
- weight
- parts
- amount
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 11
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 239000004927 clay Substances 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 5
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 4
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 claims description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- -1 kaolin aluminate Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 02.11.1974 Opis patentowy opublikowano: 25.11.1975 80667 KI. 21c, 2/01 80b, 8/133 MKP H01b 3/12 C04b 35/46 C -". fELNIA Ui.-edu Patentowego hu i| Imiftmihtit Lrim) Twórcywynalazku: Edmund Borkiewicz, Józef Sroka, Halina Chilmon, Leonard Grudowski, Ryszard Marianski, Witold Juchnowicz Uprawniony z patentu tymczasowego: Zaklady Ceramiki Radiowej Zaklad Doswiadczalno-Badawczy Ceramiki Elektronicznej, Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania dielektryka ceramicznego Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania dielektryka ceramicznego, który ma postac foliowego pólproduktu przeznaczonego zwlaszcza do produkcji kondensatorów monolitycznych, lub tez ma postac ksztaltek na kondensatory. Dielektryk jest wytworzony z dwutlenku tytanu, dwutlenku cyrkonu, weglanu baru, tlenku cynku, dwutlenku cyny i glinki lub krzemionki.Znany z francuskiego opisu patentowego nr 1059379 dielektryk ceramiczny zawiera 34-45 g Ti02, 40-27 g Zr02, 9-7 g BaC03, 4-3 g ZnO, 1-10 g Sn02 oraz 9-18 glinianu krzemu lub kaolinu. Podstawowe parametry elektryczne tego dielektryka wynosza: stala dielektryczna E - 25-30, temperaturowy wspólczynnik pojemnosciowy TWP = -25X10"6 /°C, wspólczynnik stratnosci tgS mniejszy od 2X10^. Sposób wytwarzania tego dielektryka polega na odwazaniu odpowiedniej ilosci powyzszych zwiazków chemicznych, rozdrobnieniu ich, dokladnym wymieszaniu, po czym do mieszaniny dodaje sie spoiwo organiczne i z tak wytworzonej masy formuje sie ksztaltki, które sa wypalone w temperaturze okolo 1320°C.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania calej gamy dielektryków, na bazie stosowanych powszechnie zwiazków - Ti02, Zr02 IBaC03, posiadajacych stala dielektryczna E = 30-95 i nastepujace wartosci TWP: ± 0;- 33.; -47; -150, -220; -330; -470; -750 (X 10*)°C.Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie do produkcji dielektryków Ti02, Zr02, BaC03, ZnO Sn02 i glinki lub krzemionki.Istota wynalazku polega na przygotowaniu z powyzszych zwiazków chemicznych trzech oddzielnych mieszanin A, B, C o róznych ilosciach skladników w kazdej mieszaninie, po czym kazda z mieszanin miele sie i spieka, a nastepnie spiek mieszaniny A zestawia sie w odpowiednich proporcjach z jednym z pozostalych spieków, zestaw ten miele sie, miesza z plastyfikatorem, po czym tworzywo odpowiednio formuje sie. W przy¬ padku wytwarzania foliowego pólproduktu - formuje sie jednolita warstwa dielektryka, która nastepnie suszy sie. Natomiast w przypadku wytwarzania ksztaltek dielektrycznych na kondensatory ceramiczne - formuje sie elementy dielektryczne w postaci plytek lub rurek i wypala sie je. Temperatura wypalania wynosi 1290-1330°.2 80 667 Sklady surowcowe poszczególnych mieszanin w czesciach wagowych Ti02 Zr02 BaC03 ZnO Sn02 glinka ew. krzemionka A 30-33 37-40 5- 7 2- 3 11-14 6-8 5- 7 B 48-60 8-15 5- 7 2- 3 11-14 6- 8 5- 7 C 75-85 6-10 3- 5 2- 4 0- 5 4- 7 3- 6 Proces przygotowania spieków z mieszanin A, B, C rozpoczyna sie homogenizacja surowców wyjsciowych.Homogenizacje przeprowadza sie ogólnie znanym sposobem, np. w mlynie wibracyjnym sposobem mokrym lub suchym, z udzialem kul stalowych lub cylpepsów z topionego Zr02, badz wykonanych na osnowie Al203, ewentualnie w mieszadle smiglowym sposobem mokrym, lub tez w mlymie kulowym z udzialem kul wysoko- glinowych. Po wysuszeniu mieszanin wypala sie je w piecach elektrycznych w atmosferze powietrza, aby nastapil proces syntezy skladników mieszaniny. Temperaturawypalania mieszaniny A wynosi 1150—1170°C, mieszaniny B —1140—1160°C, a mieszaniny C -1140-1150°C. Nastepnie spieki mieszanin wstepnie rozdrabnia sie.Z tak przygotowanych spieków wytwarza sie masy ceramiczne przez zastosowanie odpowiednich ilosci spieku mieszaniny A ze spiekiem mieszaniny B lub spiekiem mieszaniny C, dodanie do zestawu mineralizatora w ilosci do 1% wagonowego, który stanowi najkorzystniej ZnO, i rozdrobnienie tego zestwu do uziarnienia ponizej 10 mikronów, przy czym proces rozdrabniania mozna przeprowadzic przed zestawieniem spieków lub po .zestawieniu ich. Rozdrobnione zestawy spieków miesza sie z plastyfikatorem, po czym z masy formuje sie foliowy pólprodukt przeznaczony do produkcji kondesatorów monolitycznych i kondensatorów foliowych lub ksztaltuje sie elementy dielektryczne, takie jak plytki lub rurki, a nastepnie wypala sie je w temperaturze 1290-1330°C.W zaleznosci od warunków jeakie ma spelniac kondensator wytworzony z dielektryka wedlug wynalazku, ilosci, w procentach wagowych, spieków mieszanin A, B, C dobiera sie wedlug zalaczonej tabeli: Nr zestawu 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 A 2 100 82 81 78 77 76 74 73 72 70 68 64 60 59 50 47 B 3 0 18 19 22 23 24 26 27 28 30 32 36 40 41 50 53 C 4 — — — — — — — — — —_ — — — — — — tg6 (X10*) 5 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 2-4 2-4 31 31- 31 31 31- 31- 31 31- 31- 31- 31- E 6 -45 45 -45 -45 45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 31-45 31-45 31 45- 45- -45 -70 -70 TWP (KW^fC 1 + 10 + 2 ± 0 - 40 -47 - 55 - 70 - 83 - 90 -105 -125 -147 -210 -220 -315 -33080 667 3 1 2 3 4 5 6 7 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 35 34 30 25 22 20 1 1 20 25 30 35 47 50 55 60 66 70 80 85 99 65 66 70 75 - 78 80 99 — • — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — 99 80 75 70 65 53 50 45 40 34 30 20 15 1 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 2-4 45-70 45-70 45-70 45-70 45-70 45-70 45-70 92 83 79 75 73 66 64 62 60 52 46 41 38 31 -465 -470 -500 -550 -560 -580 -720 -820 -790 -760 -725 -675 -560 -530 -470 -400 -325 -280 -130 - 70 + 10 Mieszanina spieków A iB tworzy dielektryki o sredniej wartosci przenika Inosci elektrycznej lecz ze stabilnym temperaturowym wspólczynnikiem pojemnosci. Uklad spieków mieszanin A i B doskonale nadaje sie do wytwarzania dielektryków o TWP od ± 0 do -220X lO"6/^, grupy I B, stabilnych w szerokim zakresie tempera¬ tur, bo od -60 do +155°C. Natomiast uklad spieków mieszanin A-C tworzy dielektryki w wyzszej wartosci przenikalnosci elektrycznej i doskonale nadaje sie do produkcji dielektryków o TWP od —330 do —750X lO"6/^.Dielektryki wytwarzane wedlug wynalazku nadaja sie do produkcji róznego rodzaju kondensatorów i podlóz dielektrycznych dla mikroelektroniki. Szczególnie szerokie zastosowanie znajda one do produkcji cienkosciennych warstw dielektrycznych przeznaczonych na kondensatory jedno-i wielopojemnosciowe. Cienko¬ scienne warstwy dielektryczne winny byc odporne na dyfuzje kationów metali pochodzacych z elektrod— po¬ wyzsze zestawy surowców do produkcji dielektryków ceramicznych nie zawieraja takich tlenków jak: Sb203, Bi203, Mn02# które przyspieszaja proces dyfuzji kationów metali podczas pracy elementów pojemnosciowych w silnym polu elektrycznym. Dielektryki wytwarzane wedlug wynalazku sa odporne na proces elektrodyfuzyj- nego starzenia sie elementów pojemnosciowych pod wplywem dlugotrwalego dzialania silnego pola elek¬ trycznego.Ujednolicony sposób wytwarzania szerokiej gamy dielektryków typu I znajdzie szerokie zastosowanie w produkqi kondensatorów ceramicznych. PL PL
Claims (18)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania dielektryka ceramicznego w postaci foliowego pólproduktu lub ksztaltek na kondensatory z mieszaniny tlenku tytanu, tlenku cyrkonu, weglanu baru, tlenku cynku, tlenku cyny i surowca ilastego, która po wymieszaniu z plastyfikatorem formuje sie i ewentualnie wypala, znamienny tym, ze zTi02, Zr02, BaC03/ ZnO, Sn02 i glinki lub. krzemionki przygotowuje sie trzy oddzielne mieszaniny (A), (B), (C) o róznych ilosciach skladników w kazdej mieszaninie, nastepnie kazda z mieszanin miele sie i spieka odpo¬ wiednio mieszanine (A) w temperaturze 1150-1170°C, mieszanine (B) w temperaturze 1140-1160°C, miesza¬ nine (C) w temperaturze 1140—1150°C, a nastepnie spiek mieszaniny (A) zestawia sie w odpowiednich propor¬ cjach z jednym z pozostalych spieków, i mineralizatorem w ilosci 1% wagowych, zestaw ten miele sie, miesza z plastyfikatorem i formuje, suszy sie i ewentualnie wypala w temperaturze 1290°—1330°C, przy czym mieszani-4 80 667 na (A) sklada sie z 30—33 czesci wagowych Ti02, 37-42 czesci wagowych Zr02, 5-7 czesci wagowych BaC03, 2—3 czesci wagowych ZnO, 11—14 czesci wagowych Sn02/ 6-8 czesci wagowych glinki lub 5—7 czesci wagowych krzemionki, mieszanina (B) sklada sie z 48-60 czesci wagowych Ti02, 8-15 czesci wagowych Zr02, 5—7 czesci wagowych BaC03, 2-3 czesci wagowych ZnO, 11—14 czesci wagowych Sn02/ 6-8 czesci wagowych glinki lub 5—7 czesci wagowych krzemionki zas mieszanina (C) sklada sie z 75-85 czesci wagowych Ti02, 6-10 czesci wagowych Zr02, 3—5 czesci wagowych BaC03/ 2-4 czesci wagowych ZnO, 0—5 czesci wagowych Sn02, 4—7 czesci wagowych glinki lub 3—6 czesci wagowych krzemionki.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako mineralizator stosuje sie ZnO.
3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny r ilosc spieku (A) wynosi 78% wagowych.
4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny , ilosc spieku (A) wynosi 77% wagowych.
5. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny , ilosc spieku (A) wynosi 73% wagowych.
6. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny , ilosc spieku (A) wynosi 59% wagowych.
7. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny , ilosc spieku (A) wynosi 47% wagowych.
8. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny , ilosc spieku (A) wynosi 34% wagowych.
9. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny , ilosc spieku (A) wynosi 22% wagowych.
10. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny ilosc spieku (A) wynosi 1% wagowy.
11. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny , ilosc spieku (A) wynosi 25% wagowych.
12. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny ilosc spieku (A) wynosi 47% wagowych.
13. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny , ilosc spieku (A) wynosi 55% wagowych.
14. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestwie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny ilosc spieku (A) wynosi 65% wagowych.
15. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny ilosc spieku (A) wynosi 73% wagowych.
16. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze piekiem mieszaniny ilosc spieku (A) wynosi 79% wagowych.
17. Sposób wydlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny ilosc spieku (A) wynosi 84% wagowych.
18. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w zestawie spieku mieszaniny (A) ze spiekiem mieszaniny ), ilosc spieku (A) wynosi 90% wagowych. Prac. Poligraf. UP PRL. Zam. 3357/75. Naklad 120+18 * Cena 10 zl. PL PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16592073A PL80667B2 (pl) | 1973-10-17 | 1973-10-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16592073A PL80667B2 (pl) | 1973-10-17 | 1973-10-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL80667B2 true PL80667B2 (pl) | 1975-08-30 |
Family
ID=19964478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16592073A PL80667B2 (pl) | 1973-10-17 | 1973-10-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL80667B2 (pl) |
-
1973
- 1973-10-17 PL PL16592073A patent/PL80667B2/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5073523A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| US4339544A (en) | Ceramic dielectric composition | |
| JPH0355002B2 (pl) | ||
| KR920003027B1 (ko) | 반도전성 세라믹 조성물 | |
| KR0161348B1 (ko) | 비환원성 유전체 세라믹 조성물 | |
| US6649554B1 (en) | Dielectric composition having increased homogeneity and insulation resistance, method of preparing the same and multi-layer ceramic capacitor using the same | |
| US2424111A (en) | Ceramic products | |
| KR940001654B1 (ko) | 반도전성 세라믹 조성물 | |
| US4477581A (en) | High permittivity ceramic compositions | |
| PL80667B2 (pl) | ||
| KR20230166636A (ko) | 셀룰로오스계 고분자를 포함하는 코어쉘 구조를 갖는 저온소성용 무연압전 세라믹 및 그의 제조방법 | |
| JPS6118283B2 (pl) | ||
| KR930001539B1 (ko) | 고유전율 자기 조성물 | |
| CN1053519C (zh) | 高频、高稳定片式多层瓷介电容器瓷料 | |
| JPS5910951B2 (ja) | 高誘電率系磁器製造用原料組成物 | |
| CN1635591A (zh) | 高频陶瓷介质材料、其制备方法及所得的电容器 | |
| CN114804637B (zh) | 一种具有中低介电常数的玻璃陶瓷材料及其制备方法 | |
| EP0033979A2 (en) | Thick film silver compositions for silver terminations for reduced barium titanate capacitors | |
| JPH0571538B2 (pl) | ||
| KR920002256B1 (ko) | 고유전율 자기조성물 | |
| JPH0361287B2 (pl) | ||
| KR100434004B1 (ko) | 고주파용 유전체 조성물 | |
| SU1283228A1 (ru) | Стекло | |
| KR890002809B1 (ko) | 세라믹 콘덴서 소성용 도포제슬립조성물과 제조방법 | |
| JPH0785363B2 (ja) | マイクロ波用誘電体セラミツクス |