PL77521B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL77521B2
PL77521B2 PL15387972A PL15387972A PL77521B2 PL 77521 B2 PL77521 B2 PL 77521B2 PL 15387972 A PL15387972 A PL 15387972A PL 15387972 A PL15387972 A PL 15387972A PL 77521 B2 PL77521 B2 PL 77521B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
capacitor
resistor
mis
capacitors
switch
Prior art date
Application number
PL15387972A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL15387972A priority Critical patent/PL77521B2/pl
Publication of PL77521B2 publication Critical patent/PL77521B2/pl

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

Zdjeta charakterystyke analizuje sie zgodnie ze wzorem (1) za pomoca maszyny matematycznej, skad uzyskuje sie wykres koncentracji domieszek w funkcji odleglosci mierzonej od powierzchni w glab pólprzewodnika. Urzadzenie wedlug wynalazku (fig. 1) posiada generator napiecia liniowego 1, którego sygnal, ze wzgledu na wspomniana wczesniej koniecznosc stosowania krótkiego czasu pomiaru, ma szybkosc narastania wieksza niz sto miliwoltów na mikrosekunde.Wartosc rezystora 5 jest dobierana na poziomie maksymalnym dla danej szybkosci narastania oraz pojemnosci, tak by jednoczesnie byla zachowana liniowa zaleznosc spadku napiecia na rezystorze 5 od mierzonej pojemnosci 3. Kondensator wzorcowy 2 sluzy do skalowania pomiaru. Sygnal odkladajacy sie na rezystorze 5 jest wzmacniany przez wzmacniacz 6, nastepnie po przetworzeniu metoda próbkowania przez konwerter 7 w prze¬ bieg wolnozmienny jest zapisywany na rejestratorze X-Y8, po czym jest analizowany za pomoca maszyny matematycznej 9. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wyznaczania profilu koncentracji domieszek w warstwie przypowierzchniowej pólprzewodnika, polegajacy na zdejmowaniu charakterystyk nierównowagowych C - f(Uc) struktury MIS, znamienny tym, ze przebieg liniowo zmienny w czasie, o szybkosci narastania wiekszej od stu miliwoltów na mikresekunde, na przyklad przebieg piloksztaltny lub trójkatny, doprowadza sie równolegle do mierzonego kondensatora MIS oraz kondensatora wzorcowego, które sa polaczone przez przelacznik z rezystorem, po czym przebieg zbierany z rezystora wzmacnia sie i przetwarza metoda próbkowania w konwerterze, przy czym na wyjsciu konwertera otrzymuje sie dwa sygnaly, to jest jeden propor^jc^aJuiy do pojemnosci rózniczkowej kondensatora MIS, a drugi j77 521 3 do napiecia polaryzujacego kondensator, które rejestruje sie otrzymujac charakterystyke C - f(uUQ), przy czym charakterystyke te analizuje sie za pomoca maszyny matematycznej.
2. Urzadzenie do stosowania sposobu wedlug zastrzezenia 1, znamienne tym, ze ma generator napiecia liniowego (1), który jest polaczony z wzajemnie równolegle polaczonymi kondensatorami (2) 3(3), przy czym kondensatory te poprzez przelacznik (4) sa laczone szeregowo z rezystorem (5) oraz wejsciem wzmacniacza (6) polaczonego na wyjsciu z kondensatorem (7), którego dwa wyjscia sa polaczone z wejsciami X, Y rejes¬ tratora (8). JL Y r L ftet Cfpfjj w i 301 2$ i \ X 10 UM Flj 2 PL PL
PL15387972A 1972-03-06 1972-03-06 PL77521B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15387972A PL77521B2 (pl) 1972-03-06 1972-03-06

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15387972A PL77521B2 (pl) 1972-03-06 1972-03-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL77521B2 true PL77521B2 (pl) 1975-04-30

Family

ID=19957674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL15387972A PL77521B2 (pl) 1972-03-06 1972-03-06

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL77521B2 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3780647T2 (de) Quench-schaltung fuer avalanche-photodioden.
SU657769A3 (ru) Устройство дл определени коэффициента средней длины волны
DE102015110463A1 (de) Temperaturfernerfassung
US2511564A (en) Distortion analysis
Williams et al. Size Distribution Analysis in Plasma Extender Systems
PL77521B2 (pl)
Maron Determination of intrinsic viscosity from one‐point measurements
US2895105A (en) Peak reading voltmeter
SU147377A1 (ru) Способ измерени функции распределени и плотности веро тности случайной электрической величины и устройство по этому способу
Williams et al. Metric variations in populations of Carcinus moenas
SU1453585A2 (ru) Синхронный детектор
SU718799A1 (ru) Измеритель частоты следовани импульсов
SU437091A1 (ru) Устройство дл вы влени амплитудной нестационарности гауссовых случайных процессов
SU444120A1 (ru) Устройство дл определени момента максимума амплитуды переменного напр жени
DE2631783C3 (de) Meßverfahren zur Analyse von Haftstellen in Halbleitermaterialien
JPS5614903A (en) Interpolation method in digital length measuring or angle measuring system
SU439896A1 (ru) Демодул тор амплитудно-модулированных сигналов
SU553543A1 (ru) Устройство дл измерени амплитуды одиночных импульсов
SU407332A1 (ru) АН СССРМ.Кл. G 06g 7/12УДК 681.333:519.2 (088.8)
SU752210A1 (ru) Линейный спектрометрический усилитель
Forward et al. An automatic CV plotter
SU433423A1 (ru) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МГНОВЕННОГО ЗНАЧЕНИЯЧАСТОта СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ 1 '2'т^\.ш^
JPS5460855A (en) Measurement device for deep level of semiconductor device
SU440617A1 (ru) Устройство дл измерени стабильности и линейности коэффициента передачи фазоинвертирующих импульсных усилителей
PL90729B1 (pl)