PL90729B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL90729B1
PL90729B1 PL16882774A PL16882774A PL90729B1 PL 90729 B1 PL90729 B1 PL 90729B1 PL 16882774 A PL16882774 A PL 16882774A PL 16882774 A PL16882774 A PL 16882774A PL 90729 B1 PL90729 B1 PL 90729B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
voltage
transistor
gate
drain
source
Prior art date
Application number
PL16882774A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16882774A priority Critical patent/PL90729B1/pl
Publication of PL90729B1 publication Critical patent/PL90729B1/pl

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób pomiaru napiecia progowego tranzystora o efekcie polowym i izolowanej bramce.Znany jest sposób wyznaczania napiecia progowego tranzystora, polegajacy na tym, ze zwiera sie bramke 5 z drenem, a nastepnie wyznacza sie charakterystykepradu drenu w funkcji napiecia bramka -zródlo. Napiecie progo¬ we wyznacza sie graficznie, ekstrapolujac wykres prostoli¬ niowej zaleznosci pierwiastka kwadratowego z pradu dre¬ nu w frunkcji napiecia bramka-zródlo doprzeciecia z osia i o napiecia bramka - zródlo.Pomiaru napiecia progowego m#zna takze dokonac mie¬ rzac napiecie bramka - zródlo, odpowiadajace umownie przyjetym wartosciom pradu drenu albo konduktywnosci powierzchniowej pólprzewodnika. is Czas obciazenia tranzystora przy pomiarach dokonywa¬ nych tymi sposobami wynosi co najmniej kilkanascie, a nawet wiecej sekund.Istota wynalazku polega na tym, ze zwiera sie podloze tranzystora z drenem lub ze zródlem i rozwiera sie odpo¬ wiednio zródlo lub dren, a nastepnie do bramki przyklada sie impuls napiecia narastajacego liniowo i w chwili odpo¬ wiadajacej maksymalnej wartosci pradu przesuniecia ply¬ nacego przez pojemnosci skladowe tranzystora w stanie nieustalonym dokonuje sie pomiaru tego napiecia za po¬ moca woltomierza próbkujacego z pamiecia, wlaczonego miedzy bramke a mase, którego wejscie próbkujace jest wlaczone równolegle z rezystorem laczacym podloze tran¬ zystora z masa.Pomiaru napiecia odpowiadajacego maksymalnej war- 30 tosci pradu przesuniecia dokonuje sie takze za pomoca miernika czasu, wyskalowanego w wartosciach napiecia, przy czym miernik czasu jest wlaczony impulsem startu napiecia narastajacego liniowo podawanego z generatora napiecia, a wylaczany impulsem szpilkowym, otrzymanym po dwukrotnym zrózniczkowaniu sygnalu z rezystora la¬ czacego podloze z masa. Wartosc napiecia narastajacego liniowo, w chwili odpowiadajacej maksymalnej wartosci pradu przesuniecia, stanowi napiecie progowe tranzys¬ tora. * Sposób wedlug wynalazku umozliwia skrócenie czasu obciazenia tranzystora do 10-6 - 10 -3s, stanowiacego jed¬ noczesnie czas pomiaru napiecia progowego tranzystora.Krótki czas pomiaru umozliwia prowadzenie quasi-ciaglej obserwacji dryfu napiecia progowego w czasie obróbki napieciowo-termicznej, a ponadto powoduje, ze wplyw obciazenia tranzystora w czasie pomiaru na warunki sto¬ sowanej próby niestabilnosciowej jest pomijalnie maly.Niezawodnosc, prostota oraz krótki czaspomiaru kwali¬ fikuja sposób wedlug wynalazku do zastosowan produk¬ cyjnych w kontroli technicznej oraz w pomiarach selekcyj¬ nych.Za pomoca jednego pomiaru, oprócz napiecia progowe¬ go, mozna wyznaczyc wartosci pojemnosci skladowych tranzystora, jak równiez mozna dokonac selekcji tranzys-' torów wykazujacych nadmierna uplywnosc badz przebicie warstwy dielektryka.Wynalazek jest objasniony szczególowo dla przykladu pomiaru napiecie progowego za pomoca woltomierza przy zwartym zródle z podlozem tranzystora i rozwartym dre- 9072990729 nie, w oparciu osrysunek, na którym fig. 1 - przedstawia pomiarowy uklad polaczen tranzystora, fig. 2 - jego sche¬ mat zastepczy, a fig. 3 - teoretyczne wykresy: a -napiecia bramki w funkcji czasu, b, c - dwóch skladowych pradu przesuniecia w funkcji czasu, plynacych odpowiednio przez dwie pojemnosci skladowe tranzystora, d - wypad¬ kowego pradu przesuniecia w funkcji czasu.Przed przystapieniem do pomiaru zwiera sie podloze B ze zródlem S tranzystora przy rozwartym drenieD i mie¬ dzy podloze B a mase wlacza sie rezystor B. Nastepnie do bramki G przyklada sie impuls napiecia piloksztaltnego, podawanego z generatora impulsów Z i na woltomierzu V w chwili wystapienia impulsu szpilkowego pradu na rezystorze B odczytuje sie wartosc napiecia progowego.W przypadku, gdy dokonuje sie pomiaru odstepu czasu miedzy startem impulsu napiecia przylozonego do bramki G a momentem odpowiadajacym maksymalnej wartosci pradu przesuniecia, zamiast woltomierza V wlacza sie miernik czasu równolegle z rezystorem B. Miernik czasu wyskalowany jest w wartosciach napiecia. Miernik czasu jest wlaczany impulsem startu napiecia piloksztaltnego i wylaczany impulsem szpilkowym pradu. Miernik ten korzystnie moze byc wylaczany impulsem szpilkowym, otrzymanym' po dwukrotnym zrózniczkowaniu impulsu pradu za pomoca ukladu rózniczkujacego, wbudowanego do miernika czasu. Do pomiaru napiecia progowego za¬ miast generatora Z i woltomierza V lub miernika czasu mozna zastosowac synchroskop. Wówczas wyjscie z gene¬ ratora rozciagu liniowego synchroskopulaczy siez bramka G tranzystora i wejsciem ukladu odchylania poziomego synchroskopu, a na wejscie ukladu pionowego odchylania podaje sie spadek napiecia z rezystora B.Zasada pomiaru jest nastepujaca. Liniowy impuls na¬ piecia (fig. 3a) z generatora Z podawany na bramke G wy¬ woluje w tranzystorze przeplyw pradu i (fig. 3d), którego skladowa ii (fig. 3b) plynie przez pojemnosc Cgb, stanowia¬ ca pojemnosc bramka G - podloze B z uwzglednieniem pojemnosci bramka G - zródlo S, a skladowa i2 (fig. 3c) plynie przez pojemnosc Cgd, stanowiaca pojemnosc wars¬ twy dielektryka w obszarze przekrycia bramki G z obsza¬ rem dyfuzyjnym p+ drenu D. Skladowa 12 jest równa zeru dla napiecia bramki G mniejszego od napiecia progowego, 40 gdyz wówczas statyczne rezystancja rd» dren D - zródlo S równa sie nieskonczonosci. W chwili, gdy napiecie bram¬ ki G przekracza wartosc napiecia progowego, rezystancja rds zaczyna gwaltownie malec i wystepuje szpilkowy im¬ puls skladowej i2. Na rezystorze B wlaczonym w szereg z podlozem B wystepuje spadekproporcjonalny do pradu i.Polozenie maksymalnej wartosci pradu i w skali czasu t, która jest liniowo zwiazana zeskala napiecia Ugna bramce G, wyznacza wartosc napiecia Ugmax, stanowiacego napie¬ cie progowe tranzystora. PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru napiecia progowego tranzystora o efekcie polowym i izolowanej bramce, znamienny tym,ze zwiera sie podloze (B) tranzystora z drenem (D) lub ze zródlem (S) i rozwiera sie odpowiednio zródlo (S) lub dren (D) a nastepnie do bramki (G) przyklada sie impuls napie¬ cia narastajacego liniowo i w chwili wystapienia maksy¬ malnej wartosci pradu przesuniecia plynacego przez po¬ jemnosci skladowe tranzystora w stanie nieustalonym, dojconuje sie pomiaru wartosci tego napiecia za pomoca woltomierza próbkujacego (V) z pamiecia, wlaczonego miedzy bramke (G) a mase, którego wejscie próbkujacejest wlaczone równolegle z rezystorem (B) laczacym podloze (B) tranzystora z masa.
  2. 2. Sposób pomiaru napiecia progowego tranzystora o efekcie polowym i izolowanej bramce, znamiennytym, ze zwiera sie podloze (B) tranzystora z drenem (D) lub ze zródlem (S) i rozwiera sie odpowiednio zródlo (S) lub dren (D) a nastepnie do bramki (G) przyklada sie impuls napie¬ cia narastajacego liniowo i w chwili wystapienia maksy¬ malnej wartosci pradu przesuniecia plynacego przez po¬ jemnosciskladowe tranzystora, dokonuje siepomiaru war¬ tosci tego napiecia, za pomoca miernika czasu, wyskalowa- nego w wartosciach napiecia, przy czym miernik czasu jest wlaczany impulsem startu napiecia narastajacego liniowo, podawanego z generatora napiecia, a wylaczany impulsem szpilkowym, otrzymanym po dwukrotnym zrózniczkowa¬ niu sygnalu z rezystora (B) laczacego podloze (B) z masa.90729 fi L /^r"-r\ o { / Fig. 1 V Fig. 2 Fig. 3 PL
PL16882774A 1974-02-14 1974-02-14 PL90729B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16882774A PL90729B1 (pl) 1974-02-14 1974-02-14

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16882774A PL90729B1 (pl) 1974-02-14 1974-02-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL90729B1 true PL90729B1 (pl) 1977-01-31

Family

ID=19966080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16882774A PL90729B1 (pl) 1974-02-14 1974-02-14

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL90729B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3824459A (en) Method of measuring the electrostatic capacity of a capacitor
EP1970720A3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Testen eines solchen
Attree An electronic stimulator for biological research
US1890545A (en) Moisture measuring device
US3577074A (en) Bridge measuring circuit
PL90729B1 (pl)
GB913490A (en) Apparatus for measuring corrosion
US20150268297A1 (en) Circuit and method for measuring the gain of an operational amplifier
US3054951A (en) Device for measuring the root mean square value of a slowly varying voltage
US3392331A (en) Particle analyzer threshold level control
EP2413149A1 (en) Capacitance measurement in microchips
US2940037A (en) Capacitance meter
DE4335332A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur insbesondere nicht invasiven Ermittlung mindestens eines interessierenden Parameters eines Fluid-Rohr-Systems
US1718557A (en) Apparatus for testing vacuum tubes
US3790887A (en) Amplifying and holding measurement circuit
SE8403843D0 (sv) Anordning vid temperaturavkennare
US3541445A (en) Apparatus for statistically classifying an analogue voltage
EP1310775A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur transient-thermischen Massenflussmessung
US3491293A (en) Wide-range megohmmeter having an f.e.t. responsive to rapid changes in measured resistance values
US3378766A (en) A time measuring circuit for determining projectile velocity
RU2534384C1 (ru) Частотно-импульсный измеритель скорости изменения температуры
US3510775A (en) In-circuit semiconductor leakage testing means and method
Yoon et al. A Capacitance-to-Time Conversion-Based Read-Out Circuit for Sensor Applications
SU836590A1 (ru) Устройство дл измерени динамическихпАРАМЕТРОВ ВзРыВА
US3200335A (en) Apparatus for enabling the hi, hf, ho, and hr chracteristics of transistors to be derived