PL76524B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL76524B1 PL76524B1 PL1971147163A PL14716371A PL76524B1 PL 76524 B1 PL76524 B1 PL 76524B1 PL 1971147163 A PL1971147163 A PL 1971147163A PL 14716371 A PL14716371 A PL 14716371A PL 76524 B1 PL76524 B1 PL 76524B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- boron nitride
- reaction mixture
- weight
- free hydrogen
- hydrogen
- Prior art date
Links
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 27
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 3
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 description 2
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- -1 titanium hydride Chemical compound 0.000 description 2
- 229910000048 titanium hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O azanium;oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [NH4+].[O-][V](=O)=O UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- QSGNKXDSTRDWKA-UHFFFAOYSA-N zirconium dihydride Chemical compound [ZrH2] QSGNKXDSTRDWKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000568 zirconium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/10—Single-crystal growth directly from the solid state by solid state reactions or multi-phase diffusion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/12—Single-crystal growth directly from the solid state by pressure treatment during the growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
Uprawniony z patentu: Vsiesojuzny Nauczno-Issledowatelski Institut Abrazi- wow i Szlifowania, Leningrad (Zwiazek Socjalistycz¬ nych Republik Radzieckich) Sposób wytwarzania pojedynczych krysztalów regularnego azotku boru 10 15 Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia pojedynczych krysztalów regularnego azotku boru, stosowanego zwlaszcza w przemysle szlifier¬ skim do otrzymywania przyrzadów, charakteryzu¬ jacych sie wysoka odpornoscia przy szlifowaniu.Znane sa sposoby otrzymywania regularnego azotku boru. Polegaja one na tym, ze mieszanine reakcyjna, zawierajaca zródlo boru i zródlo azotu, zwlaszcza heksagonalny azotek boru, poddaje sie dzialaniu temperatury powyzej 1000°C i cisnieniu powyzej 40 kilobarów w obecnosci katalizatora, zwlaszcza metalu z grupy metali alkalicznych lub metali ziem alkalicznych. Katalizatory te pozwa¬ laja uzyskac regularny azotek boru z heksagonal¬ nego azotku boru.Wada otrzymanego znanym sposobem regularne¬ go azotku boru jest to, ze sklada sie z polikrys¬ talicznych zrostów i niewielkiej liczby oddzielnych krysztalów, które nie posiadaja prawidlowej for¬ my krystalograficznej. Dlatego otrzymane, z wy¬ tworzonego znanym sposobem regularnego azotku boru, ziarno scierne, nie posiada wystarczajaco wysokiej odpornosci mechanicznej, jak równiez stosunkowo latwo rozpada sie podczas przechowy¬ wania w wilgotnym srodowisku, z powodu we¬ wnatrz krystalicznych wrostków substancji, umo¬ zliwiajacych synteze regularnego azotku boru.W obecnej terminologii, substancje umozliwiaja¬ ce tworzenie sie regularnego azotku boru, nazy¬ wa sie katalizatorami. Jednakze, w koncowym 30 25 produkcie, to jest w regularnym azotku boru, sub¬ stancje — katalizatory nie znajduja sie w posta¬ ci czystej. Dlatego w opisie, substancje, umozli¬ wiajace tworzenie regularnego azotku boru, nazy¬ wa sie inicjatorami.Celem niniejszego wynalazku jest opracowanie sposobu otrzymywania regularnego azotku boru, który zapewnialby otrzymanie regularnego, azotku boru, o prawidlowej formie krystalicznej i prak¬ tycznie idealnym szlifie.Sposobem wedlug wynalazku monokrysztaly re¬ gularnego azotku boru otrzymuje sie, poddajac mieszanine reakcyjna, heksagonalny azotek boru i inicjator, dzialaniu temperatury powyzej 1000°C i wysokiego cisnienia w obecnosci wodoru. Obec¬ nosc wodoru powoduje tworzenie zlozonych, przej¬ sciowych, ruchomych kompleksów, wiazacych skladniki wyjsciowe i sprzyjajacych krystalizacji regularnego azotku boru w postaci monokryszta¬ lów o prawidlowej formie krystalograficznej.W celu otrzymania wolnego wodoru stosuje sie zwiazki zdolne do wydzielania wodoru w tempe¬ raturze powyzej 1000°C. Jako odpowiednie zwiazki stosuje sie wodorki metali lub sole amonu, które wprowadza sie w ilosci od okolo 2 do okolo 12% w stosunku do ciezaru mieszaniny reakcyjnej.Podane ponizej przyklady wyjasniaja szczegó¬ lowo sposób wytwarzania monokrysztalów regu¬ larnego azotku boru wedlug wynalazku. 76 52476 524 Przyklad I. W celu otrzymania mieszaniny reakcyjnej 85% wagowych heksagonalnego azotku boru miesza sie z 15% .wagowymi magnezu. Po dodaniu 7% wodorku tytanu, w stosunku do cie¬ zaru mieszaniny reakcyjnej, miesza sie ja ponow¬ nie. Nastepnie otrzymany wsad umieszcza sie w kamerze urzadzenia o dowolnej konstrukcji, po¬ zwalajacej na uzyskanie wysokiego cisnienia i wy¬ sokiej temperatury, a nastepnie poddaje sie dzia¬ laniu cisnienia wynoszacego 45 kilobarów i ogrze¬ wa do temperatury 1500°C w ciagu 2 minut. Wy¬ mieniona temperatura oraz czas jest wystarczajacy dla wydzielenia odpowiedniej ilosci wodoru, za¬ pewniajacej tworzenie sie krysztalów regularnego azotku boru o rozmiarze do 600 mikrometrów i prawidlowej formie krystalograficznej.Przyklad II. Postepuje sie w sposób analo¬ giczny do opisanego w przykladzie I, z ta róznica, ze stosuje sie wodorek cyrkonu w ilosci 2% w stosunku do ciezaru mieszaniny reakcyjnej.Przyklad III. Postepuje sie w sposób ana¬ logiczny do opisanego w przylklladizie I z ta róz¬ nica, ze zamiast wodorku tytanu stosuje sie wo¬ dorek niklu w ilosci 12% w stosunku do ciezaru mieszaniny reakcyjnej. Stosujac cisnienie 50 kilo¬ barów i temperature 1550°C, z mieszaniny reak¬ cyjnej otrzymuje sie idealne monokrysztaly azotku boru o rozimiairze do 550 mikrometrów.Przyklad W. W celu otrzymania mieszaniny reakcyjnej 90% heksagonalnego azotku boru mie¬ sza sie z 10% magnezu. Nastepnie dodaje sie 2%, w stosunku do ciezaru mieszaniny reakcyjnej, mo¬ libdenianu. amonowego. Otrzymana mieszanine poddaje sie dzialaniu cisnienia wynoszacego 47,5 kilobairów i ogrzewa do temperatury 1500°C w ciagu 1,5 minuty. Wymieniona temperatura i czas wystarczaja dla wydzielenia z molibdenianu amo¬ nowego odpowiedniej ilosci wodoru, zapewniaja¬ cej twonzenie sie monokrysztalów regularnego a- zotku boru, p rozmiarze do 500 mikrometrów i o prawidlowej formie krystalograficznej.Przyklad V. Postepuje sie w sposób analo¬ giczny do opisanego w przykladzie IV, z ta róz¬ nica, ze zamiast molibdenianu amonowego stosuje sie metawanadan amonowy w ilosci 6%, w sto- 5 sunku do ciezaru mieszaniny reakcyjnej.Przyklad VI. Postepuje sie w sposób ana¬ logiczny do opisanego w przykladzie W, z ta róz¬ nica, ze zamiast molibdemianu amonowego stosuje sie fosforan amonowy w ilosci 12%, w stosunku io do ciezaru 'mieszaniny reakcyjnej. Nastepnie mie¬ szanine poddaje sie dzialaniu cisnienia wynosza¬ cego 45,0 kilobarów i ogrzewa do temperatu¬ ry 1500°C, w ciagu 2,5 minut. Otrzymuje sie mo¬ nokrysztaly regularnego azotku boru p rozmiarze 15 do 600 mikrometrów. PL
Claims (4)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób otrzymywania monokrysztalów regu- 20 lamego azotku boru, polegajacy na tym, ze mie¬ szanine reakcyjna, zawierajaca heksagonalny azo¬ tek boru i inicjator, umozliwiajacy tworzenie re¬ gularnego azotku boru, poddaje sie dzialaniu tem¬ peratury powyzej 1000°C i dzialaniu cisnienia, 25 wystarczajajcego dla wytworzenia regularnego azot¬ ku boru, znamienny tym, ze reakcje prowadzi sie w obecnosci wodoru.
- 2. Sposób wedlug zastirz. 1, znamienny tym, ze wolny wodór wytwarza sie, dodajac do niieszaniny 30 reakcyjnej zwiazki, zdolne do wydzielania w okre¬ slonych powyzej temperaturach i pod okreslonym powyzej cisnieniu wolnego wodoru.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze jako zwiazki, zdolne do wydzielania wolnego wo- 35 doru, stosuje sie wodorki metali w ilosci od okolo 2% do okolo 12% w stosunku do ciezaru mie¬ szaniny reakcyjnej.
- 4. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze jako zwiazki, wydzielajace wolny wodór, stosuje 40 sie sole- anionowe w ilosci od okolo 2% do okolo 12% w stosunku do ciezaru mieszaniny reakcyjnej. Zaklady Typograficzne Lódz, zam. 27/75 — 125 egz. Cena 10 zl PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1474799 | 1970-08-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL76524B1 true PL76524B1 (pl) | 1975-02-28 |
Family
ID=20457209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1971147163A PL76524B1 (pl) | 1970-08-17 | 1971-03-27 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| BG (1) | BG17856A1 (pl) |
| CH (1) | CH561154A5 (pl) |
| CS (1) | CS155465B1 (pl) |
| FR (1) | FR2083234A5 (pl) |
| GB (1) | GB1316045A (pl) |
| PL (1) | PL76524B1 (pl) |
| ZA (1) | ZA712103B (pl) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4201757A (en) * | 1973-09-06 | 1980-05-06 | General Electric Company | Large boron nitride abrasive particles |
| FR2495597A1 (fr) * | 1980-08-26 | 1982-06-11 | Inst Sverkhtverdykh Mat | Procede de preparation de nitrure de bore cubique et produit obtenu par ledit procede |
| US4349517A (en) * | 1980-10-21 | 1982-09-14 | Lysanov Vladislav S | Method of producing cubic boron nitride |
| JPS60200864A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-11 | 東芝タンガロイ株式会社 | 立方晶窒化ホウ素を含む焼結体を製造する方法 |
| FR2724645B1 (fr) * | 1994-09-19 | 1997-01-24 | Centre Nat Rech Scient | Procede d'obtention de bn cubique par une methode solvothermale avec utilisation d'hydrazine comme solvant |
-
1971
- 1971-03-23 FR FR7110194A patent/FR2083234A5/fr not_active Expired
- 1971-03-27 PL PL1971147163A patent/PL76524B1/pl unknown
- 1971-03-31 ZA ZA712103A patent/ZA712103B/xx unknown
- 1971-04-10 BG BG17315A patent/BG17856A1/xx unknown
- 1971-04-19 GB GB2411971*A patent/GB1316045A/en not_active Expired
- 1971-04-22 CS CS293071A patent/CS155465B1/cs unknown
- 1971-08-12 CH CH1186371A patent/CH561154A5/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2083234A5 (pl) | 1971-12-10 |
| GB1316045A (en) | 1973-05-09 |
| DE2112923A1 (de) | 1972-02-24 |
| ZA712103B (en) | 1972-01-26 |
| BG17856A1 (pl) | 1974-03-05 |
| CS155465B1 (pl) | 1974-05-30 |
| DE2112923B2 (de) | 1975-09-11 |
| CH561154A5 (pl) | 1975-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2979381A (en) | Process for producing zeolite x | |
| SU644728A1 (ru) | Способ получени карбида титана | |
| 門間英毅 et al. | Behavior of the. ALPHA... LAR.. RAR... BETA. phase transformation in tricalcium phosphate. | |
| HU219831B (hu) | Módosított alfa-alumínium-oxid részecskék | |
| US3971735A (en) | Methanol production catalyst and process for preparing the same | |
| Gogebakan et al. | Crystallization behaviour of amorphous Al85Y11Ni4 alloy | |
| US3371996A (en) | Diamond growth process | |
| US2292570A (en) | Process for the production of catalysts | |
| PL76524B1 (pl) | ||
| US2977327A (en) | Process of producing nickel catalysts | |
| US2990296A (en) | Chemical plating of metal-boron alloys | |
| US4789657A (en) | Process for preparing iron-based catalysts for the synthesis of ammonia and catalysts so obtained | |
| Singhal et al. | Synthesis of cubic boron nitride from amorphous boron nitride containing oxide impurity using Mg–Al alloy catalyst solvent | |
| WO2002014218A1 (en) | Magnesium ammonium phosphate hexahydrate and monohydrate slurries | |
| SU645505A1 (ru) | Способ получени синтетических алмазов | |
| US3150929A (en) | Process for making cubic crystal boron nitride | |
| US4406871A (en) | Process for growing diamonds | |
| US2697024A (en) | Dental polishing agent and method of producing same | |
| US2958581A (en) | Production of alumina | |
| US2119488A (en) | Alloys and process of making same | |
| CN100496696C (zh) | 用碱金属氟化物合成立方氮化硼的方法 | |
| US2205140A (en) | Catalysts and process of preparing them | |
| US3386800A (en) | Method for the preparation of catalysts for the synthesis of heterocyclic diamines | |
| US1004034A (en) | Process of making metallic catalyzers. | |
| JPS6225602B2 (pl) |