Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 09.12.1974 73762 U. 21e,l/30 MKP GOlr 1/30 CZYTELNIA Ur-.?du Pnleritfweqc ¦'.-. F ¦¦¦ ' ¦ ' *l L-:.-..Twórcawynalazku: Jaroslaw Zarzecki Uprawniony z patentu tymczasowego: Polska Akademia Nauk Instytut Cybernetyki Stosowanej, Warszawa (Polska) Rewersyjny wtórnik emiterowy Przedmiotem wynalazku jest rewersyjny wtórnik emiterowy stosowany w technice pomiarowej.Stosowane dotychczas rewersyjne wtórniki emiterowe zbudowane byly w ten sposób, ze w galezi kompensacyjnej znajdowaly sie diody, które kompensowaly spadek napiecia pomiedzy baza i emiterem.Uklady te charakteryzuja sie wspólczynnikiem wzmocnienia napieciowego mniejszym od jednosci.Ponadto ich charakterystyka napiecia wyjsciowego wfunkqi napiecia wejsciowego nie jest liniowa w calym obszarze okreslonosci.Celem wynalazku jest opracowanie rewersyjnego wtórnika emiterowego, który mialby wzmocnienie równe jednosci.Istota wynalazku polega na tym, ze w wejsciowej galezi kompensacyjnej wlaczony jest tranzystor, którego baza zwarta z kolektorem polaczona jest z baza tranzystora o przewodnictwie p-n-p nalezacego do galezi wyjsciowej wtórnika, emiter polaczony jest z zaciskiem wejsciowym, a kolektor w szereg z opornikiem do ujemnego bieguna zródla zasilania.Wtórnik wedlug wynalazku pozwala uzyskac wzmocnienie napieciowe równe jednosci a ponadto daje zimowa charakterystyke napiecia wyjsciowego w funkcji napiecia wejsciowego. Uzyskuje sie to dzieki skompen- *:tw Istota wynalazku jest blizej objasniona z wykorzystaniem rysunku, którego fig. 1 przedstawia schemat ideowy rewersyjnego wtórnika emiterowego wedlug wynalazku, a fig 2 schemat ideowy przetwornika pradowo- •riapieciowego wykorzystujacego wtórnik wedlug wynalazku.Wejsciowa galaz kompensacyjna wtórnika sklada sie z polaczonych szeregowo opornika Ri, diody Di, tranzystora Ti oraz opornika R3. Galaz ta jest kompensacyjnym dzielnikiem napiecia na wejsciu ukladu.Tranzystor Tx ma emiter polaczony z zaciskiem wejsciowym WE, baze zwarta z kolektorem i poprzez opornik R3 polaczona z ujemnym biegunem zasilania -E. Opornik Ri polaczony jest dodatnim biegunem zasilania +E.Dwa tranzystory T2 i T3 pracujace w ukladzie o wspólnym kolektorze, maja emitery dolaczone do wspólnego zacisku wyjsciowego WY. Sa one o przeciwnych typach przewodnictwa. Tranzystor T2 o przewodnictwie n-p-n ma kolektor dolaczony do dodatniego bieguna zródla zasilania +E, a baze do punktu wspólnego diody D!2 73762 l opornika Ri. Tranzystor T3 o przewodnictwie p-n-p ma kolektor dolaczony do ujemnego bieguna zródla zasilania -E a baze polaczona z baza tranzystora T1} znajdujacego sie w galezi kompensacyjnej. Napiecie wyjsciowe z wtórnika wedlug wynalazku zbiera sie z zacisków wyjsciowych WY dolaczonych do opornika R6.Jak wynika z powyzszego iiaturalny spadek napiecia miedzy emiterem i baza tranzystora T2 o przewodnic¬ twie n-p-n kompensowany jest dioda Dx (odpowiada typem zlacza temu tranzystorowi), zas spadek napiecia miedzy emiterem a baza tranzystora T3 o przewodnictwie p-n-p kompensowanyjest tranzystorem Ti.Przykladowym zastosowaniem wtórnika wedlug wynalazku jest przetwornik pradowo-napieciowy. Uzys¬ kuje sie go przez wprowadzenie oporników korekcyjnych — odpowiednio R2 dolaczonego miedzy jeden z zacisków wejsciowych a punkt wspólny diody Dx i emitera tranzystora kompensacyjnego Tx; R4 i R5 w obwody kolektorów tranzystorów T2 i T3. Opotniki R4 i R5 stanowia zwarciowe zabezpieczenie pradowe.Opornik R6 jest opornoscia emitera. PL