PL73526B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL73526B2 PL73526B2 PL14874571A PL14874571A PL73526B2 PL 73526 B2 PL73526 B2 PL 73526B2 PL 14874571 A PL14874571 A PL 14874571A PL 14874571 A PL14874571 A PL 14874571A PL 73526 B2 PL73526 B2 PL 73526B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- teflon
- electrodes
- voltage
- generator
- high voltage
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 15
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 15
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- PNXWPUCNFMVBBK-UHFFFAOYSA-M 1-dodecylpyridin-1-ium;bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCC[N+]1=CC=CC=C1 PNXWPUCNFMVBBK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Description
Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 05.05.1973 ,Opis patentowy opublikowano: 29.03.1975 73526 KI. 48b,15/00 MKP C23e 15/60 CZYTELNIA Urj^i ::V:i.^.;.-v..Twórcy wynalazku: Krystyna Grabowska, Barbara Kosmowska, Jefzy Milewski, Romuald Kaczorowski Uprawniony z patentu tymczasowego: Politechnika Gdanska, Gdansk (Polska) Sposób wstepnej obróbki teflonu przed metalizacja oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu i Przedmiotem wynalazku jest sposób wstepnej obróbki teflonu przed metalizacja oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu. Sposób wedlug wy¬ nalazku moze byc wykorzystany w technice mi¬ krofalowej do realizacji elementów pasywnych mi¬ krofalowych ukladów scalonych.Dotychczas stosuje sie sposób aktywacji teflonu polegajacy na zanurzeniu aktywowanej powierzchni w amoniakalnym roztworze sodu, przy czym kom¬ pozycje aktywujaca uzyskuje sie przez rozpusz¬ czenie 0,5 g do 1,5 g sodu na 100 ml amoniaku.Znany jest równiez sposób wstepnej obróbki te¬ flonu przed metalizacja polegajacy na poddaniu teflonu dzialaniom wyladowan elektrycznych w róznych warunkach cisnienia, napiecia jak i w atmosferze róznych gazów. W przypadku gdy te¬ flon poddaje sie wyladowaniom koronowym w at¬ mosferze amoniaku przy cisnieniu 0,2 mm Hg i napieciu 700 V, proces trwa 2 minuty, natomiast gdy aktywacje przeprowadza sie w atmosferze po¬ wietrza pod cisnieniem normalnym i przy napieciu 5000 V proces trwa okolo 2 godzin.Wada sposobu chemicznej aktywacji teflonu jest powstajace w trakcie procesu czarne zabarwienie teflonu oraz koniecznosc zastosowania aktywujacej kompozycji, stwarzajacej niebezpieczne warunki pracy.Niedogodnoscia drugiego z wyzej omówionych sposobów jest zastosowanie specjalnej aparatury prózniowej i prowadzenie procesu w srodowisku 10 15 20 25 amoniakalnym, natomiast w przypadku prowadze¬ nia procesu pod cisnieniem atmosferycznym w sro¬ dowisku powietrza aktwacja jest bardzo czaso¬ chlonna. Ponadto aktywacja przeprowadzona w atmosferze amoniaku powoduje takze zmiane bar¬ wy teflonu.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wstepnej obróbki teflonu przed metalizacja i urza¬ dzenia do stosowania tego sposobu, które nie po¬ siadaja wymienionych wyzej wad i niedogodnosci.Cel ten zostal osiagniety przez zwilzenie oczysz¬ czonej plytki teflonowej wodnym roztworem jono¬ wego detergentu i poddanie jej nastepnie wylado¬ waniom elektrycznym, korzystnie przy napieciu miedzy elektrodami 15 kV czestotliwosci 2 MHz w czasie 20; sek. na cm2 powierzchni.Urzadzenie wedlug wynalazku zawiera genera¬ tor polaczony z transformatorem wysokiego napie¬ cia zasilajacym lampe wyladowcza. Lampa wyla¬ dowcza polaczona jest z kondensatorem ladujacym i obwodem rezonansowym sprzezonym z cewka wy¬ sokiego napiecia. Do wyjscia cewki wysokiego na¬ piecia dolaczone sa elektrody.Korzysci techniczne wynikajace z zastosowania wynalazku polegaja na mozliwosci wyeliminowania amoniakalnego roztworu sodu, jako kompozycji ak¬ tywujacej oraz na prowadzeniu procesu w warun¬ kach normalnych bez koniecznosci stosowania spec¬ jalnego srodowiska i szczelnych urzadzen próznio¬ wych. 73 52673 526 Sposób wedlug wynalazku jest objasniony w po¬ danym nizej przykladzie: Przyklad. Plytke teflonowa odtluszcza sie w trójchloroetylenie, a nastepnie w alkoholu etylo¬ wym i suszy sie. Wysuszona plytke teflonowa zwilza sie bromkiem laurylopirydyniowym z do¬ datkiem siarczanu miedzi i poddaje wyladowaniom elektrycznym w czasie 20 sek. na cm2 powierzchni przy napieciu miedzy elektrodami 15 kV i cze¬ stotliwosci 2 MHz.Urzadzenie wedlug wynalazku jest pokazane w przykladzie wykonania na rysunku.Urzadzenie do wstepnej obróbki teflonu przed metalizacja zawiera generator 1 polaczony z tran¬ sformatorem 2 wysokiego napiecia zasilajacym lam¬ pe wyladowcza 3. Lampa wyladowcza 3 polaczona jest z kondensatorem ladujacym 4 i obwodem re¬ zonansowym 5 sprzezonym z cewka wysokiego na¬ piecia. Wyladowania na lampie wyladowczej 3 po¬ budzaja obwód rezonansowy 5 sprzezony z cewka wysokiego napiecia, do wyjscia której dolaczone sa metalowe elektrody 6. 15 Plytke teflonowa, przygotowana w sposób opi¬ sany uprzednio, przesuwa sie miedzy elektroda¬ mi 6 urzadzenia, poddajac ja wyladowaniom elek¬ trycznym. PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wstepnej obróbki teflonu przed meta¬ lizacja, znamienny tym, ze oczyszczona plytke teflonowa zwilza sie wodnym roztworem jonowego detergentu, a nastepnie poddaje sie wyladowaniom elektrycznym, korzystnie przy napieciu miedzy elektrodami 15 kV, czestotliwosci 2 MHz, w czasie 20 sek. na cm2 powierzchni.
2. Urzadzenie do stosowania sposobu wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze posiada generator (1) polaczony z transformatorem (2) wysokiego napie¬ cia zasilajacym lampe wyladowcza (3) polaczona z kondensatorem ladujacym (4) i obwodem rezo¬ nansowym (5) sprzezonym z cewka wysokiego na¬ piecia, do wyjscia której dolaczone sa elektrody (6). Bltk 2606/75 r. 120 egz. A4 Cena 10 zl PL PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL14874571A PL73526B2 (pl) | 1971-06-11 | 1971-06-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL14874571A PL73526B2 (pl) | 1971-06-11 | 1971-06-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL73526B2 true PL73526B2 (pl) | 1974-10-31 |
Family
ID=19954673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL14874571A PL73526B2 (pl) | 1971-06-11 | 1971-06-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL73526B2 (pl) |
-
1971
- 1971-06-11 PL PL14874571A patent/PL73526B2/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4012307A (en) | Method for conditioning drilled holes in multilayer wiring boards | |
| US6204605B1 (en) | Electrodeless discharge at atmospheric pressure | |
| KR100321352B1 (ko) | 납땜또는주석도금전의금속표면에건식플럭스를도포하는방법및장치 | |
| KR19990045115A (ko) | 금속 표면의 리플로우 솔더링 장치 및 방법 | |
| US3437864A (en) | Method of producing high temperature,low pressure plasma | |
| US6776330B2 (en) | Hydrogen fluxless soldering by electron attachment | |
| DE69204557T2 (de) | Löten auf der Basis von Plasma. | |
| Chandrakar | The transition from the first to the second stage of the ring discharge | |
| PL73526B2 (pl) | ||
| US2939828A (en) | Electroplating apparatus | |
| KR910010753A (ko) | 전자사이클로트론 공명을 사용한 플라즈마처리방법 및 장치 | |
| GB778803A (en) | Method and means for treating non-adherent surfaces to render them adherent | |
| DE3778794D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausbilden einer schicht durch plasmachemischen prozess. | |
| US1616431A (en) | Treatment of vacuum devices to remove occluded gases therefrom | |
| US20160362791A1 (en) | Method for metallizing dielectric substrate surface, and dielectric substrate provided with metal film | |
| JP4562297B2 (ja) | 超臨界水を用いた電子部品からの無機物部品材料の回収方法 | |
| US1616010A (en) | Destruction of the electrical conductivity of films | |
| FR2319242A1 (fr) | Procede et systeme de controle de l'usinage, par un faisceau de particules chargees d'un substrat piezo-electrique | |
| US1329761A (en) | Electrolytic oscillator | |
| JPH0218595B2 (pl) | ||
| SU1754648A1 (ru) | Способ получени озона и устройство дл его осуществлени | |
| JPH01123499A (ja) | 電子部品装着方法 | |
| KR100365666B1 (ko) | 중주파수 플라즈마원를 이용한 파티클 제거 및클로로플루오로카본 화합물 분해장치 | |
| RU2012464C1 (ru) | Способ лазерной прошивки отверстий и устройство для его осуществления | |
| JPH09232738A (ja) | 半田接合処理の前工程におけるプラズマ処理方法及び装置 |