PL69881B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL69881B1
PL69881B1 PL1970141450A PL14145070A PL69881B1 PL 69881 B1 PL69881 B1 PL 69881B1 PL 1970141450 A PL1970141450 A PL 1970141450A PL 14145070 A PL14145070 A PL 14145070A PL 69881 B1 PL69881 B1 PL 69881B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
selenium
photoconductive
arsenic
alloy
weight
Prior art date
Application number
PL1970141450A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Xerox Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xerox Corp filed Critical Xerox Corp
Publication of PL69881B1 publication Critical patent/PL69881B1/pl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08207Selenium-based
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/087Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and being incorporated in an organic bonding material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Uprawniony z patentu: Xerox Corporation, Rochester (Stany Zjednoczone Ameryki Element fotoczuly, zwlaszcza do powielacza kserograficznego Przedmiotem wynalazku jest element fotoczuly, zwlaszcza do powielacza kserograficznego.Odkrycie fotoprzewodnictwa szklistego selenu o wysokim stopniu czystosci zapoczatkowalo po¬ wszechne uzycie tej substancji w urzadzeniach 5 kserograficznych produkowanych seryjnie. Glów¬ nymi zaletami szklistego selenu jest to, ze utrzy¬ muje on ladunek elektryczny w ciagu dlugiego czasu, gdy znajduje sie w ciemnosci i ze jest w porównaniu z innymi fotoprzewodnikami bardziej 10 swiatloczuly. Co wiecej, szklisty selen odznacza sie wyjatkowa odpornoscia fizyczna, co umozliwia wielokrotne uzywanie go, nawet tysiace razy.Szklisty selen, jednakze, obarczony jest jedna powazna wada. Otóz, staje sie on niestabilny w 15 temperaturze nieco powyzej 38°C i zaczyna kry¬ stalizowac. Krystaliczny selen jest bezuzyteczny do celów kserografii, poniewaz przewodzi prad elektryczny równiez w ciemnosci. Jak wynika z przeprowadzonych badan dodanie do selenu pew- 2o nej ilosci arsenu nie tylko polepsza czulosc spek¬ tralna selenu, lecz równiez znacznie zmniejsza mozliwosci krystalizacji w podwyzszonej tempera¬ turze. Do stopu arsenu z selenem mozna dodac pewna ilosc halogenu, na przyklad jodu, czy chlo- 25 ru, co wydatnie polepsza charakterystyki elek¬ tryczne fotoprzewodnika, jak jego swiatloczulosc, czy czulosc spektralna.Warstwy stopu arsenu z selenem opisane po¬ wyzej zazwyczaj wytwarza sie w nastepujacy spo- 30 sób. Mieszanine arsenu z selenem o dobrze dobra¬ nych proporcjach umieszcza sie w zamknietym na¬ czyniu, które mozna opróznic z powietrza. W próz¬ ni rozgrzewa sie tygiel zawierajacy mieszanine tak, aby pary stopu arsenu z selenem mogly kon- densowac w postaci szklistej warstwy na podlozu umieszczonym nad tyglem.Stopy arsenu z selenem uzywane w kserogra¬ fach produkowanych seryjnie maja zazwyczaj po¬ stac warstwy szklistego materialu, umieszczonej na sztywnym podlozu o ksztalcie plaskiej plyty, badz cylindrycznego bebna. Gdy nalozy sie w opi¬ sany powyzej sposób warstwe stopu arsenu z se¬ lenem na gietkie podloze w formie zamknietej tasmy, powstaje problem pekania i odpadania warstwy bezpostaciowego stopu w trakcie powta¬ rzania cykli pracy. Spowodowane to jest kru¬ choscia, niewielka gietkoscia, bezpostaciowego stopu arsenu z selenem. Z tego powodu sto¬ sowanie szklistych stopów arsenu z selenem ogranicza sie do podloza w postaci sztywnej plas¬ kiej plyty lub bebna, na których warstwa stopu fotoprzewodzacego nie jest poddawana zginaniu.Jednakze w kserografach dzialajacych z duza szybkoscia uzycie gietkiej tasmy o zamknietym obiegu jest bardzo pozadane ze wzgledu na moz¬ liwosc naswietlania calego kadru. Co wiecej giet¬ kie tasmy fotoprzewodzace maja powazne zalety 69 88169 3 konstrukcyjne, takie jak na przyklad powieksze¬ nie strefy wywolywania.Poza arsenem selen mozna równiez stapiac z in¬ nymi pierwiastkami: siarka, bizmutem, antymo¬ nem, tellurem, talem i ich mieszaninami dzieki czemu uzyskuje sie polepszenie charakterystyk elektrycznych i/lub wlasciwosci fizycznych mie¬ szaniny fotoprzewodzacej. Na ogól równiez te sto¬ py sa obarczone, tak samo jak stop arsenu z se¬ lenem, brakiem gietkosci.Z powyzszego wynika, ze zastosowanie w kse¬ rografii szklistego stopu selenu na gietkim po¬ dlozu ma powazne zalety, lecz napotyka na po¬ wazne ograniczenia wynikajace z wlasciwosci fi¬ zycznych stopu, które nalezaloby najpierw zmie¬ nic.Celem wynalazku jest wykonanie plyty ksero¬ graficznej z fotoprzewodzacego szklistego stopu se¬ lenu zawierajacego w mniejszej czesci zywice wia¬ zaca, zwlaszcza do gietkich tasm i tasm bez konca.Zadanie to zostalo rozwiazane w ten sposób, ze plyta kserograficzna ma warstwe fotoprzewodzaca, która zgodnie z wynalazkiem sklada sie z ponad 50% wagowych szklistego fotoprzewodzacego sto¬ pu selenu, zmieszanego z ponizej 50% wagowych zywicy wiazacej stanowiacej izolacje elektryczna, przy czym fotoprzewodzaca warstwa izolacyjna ma postac ciaglego podloza ze stopu selenu z nie¬ równomiernie rozproszonymi w nim czastkami i obszarami zywicy izolujacej. Taka mieszanina fo¬ toprzewodzaca wykazuje znacznie wieksza giet¬ kosc fizyczna w porównaniu ze stosowanymi po¬ wszechnie stopami selenu. Wynaleziona mieszanina zawiera szklisty stop arsenu z selenem, który jest stabilny termicznie i ma wlasciwosci fotoprzewo- dzace takie jak warstwy szklistego stopu arsenu z selenem bez zywicy wiazacej, a jednoczesnie wykazuje znaczna gietkosc, która zawdziecza nie¬ wielkiej, lecz majacej duze znaczenie domieszce substancji wiazacej.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia gietka tasme, która mozna za¬ stosowac w kserografii, fig. 2 — wykres zaleznosci temperatury zeszklenia od skladu procentowego dla szklistych stopów arsenu z selenem, fig. 3a i fig. 3b przedstawiaja typowa strukture miesza¬ niny fotoprzewodnik-zywica obserwowana pod mikroskopem elektronowym.Na fig. 1 przedstawiono plyte kserograficzna 10 w ksztalcie gietkiej tasmy zlozonej z podloza 11 wykonanego z substancji przewodzacej takiej, jak miedz, aluminium, stal i podobnych. Chociaz przedstawiono je jako gietka tasme, podloze moze miec dowolna odpowiednia grubosc, moze byc sztywne lub gietkie i moze miec dowolny ksztalt arkusza, plyty, cylindra lub bebna. Moze byc rów¬ niez wykonane z innych substancji takich, jak me¬ talizowany papier, arkusze masy plastycznej po¬ kryte cienka warstwa aluminium lub miedzi, czy szklo pokryte cienka przewodzaca warstwa chro¬ mu lub tlenku cyny.Warstwa 12, która pokryte jest podloze 11, jest mieszanina szklistego stopu fotoprzewodzacego se¬ lenu i stosunkowo niewielkiej ilosci izolujacej 881 4 elektrycznie organicznej zywicy wiazacej. Grubosc warstwy fotoprzewodzacej nie jest zbyt wazna.Do zastosowania w kserografie najlepsze sa gru- bosei od 10 nm do 300 ^m lecz warstwy moga byc 5 zarówno grubsze jak i ciensze. Do wiekszosci za¬ stosowan w kserografii, jednakze, najkorzystniej¬ sze sa grubosci zawarte miedzy 20 \im i 200 M-m.Tasma 10 jest rozpieta na rolkach 13, które prze¬ mieszczaja jej powierzchnie poprzez konwencjo- io nalny cykl kserograficzny, który zazwyczaj sklada sie z ladowania, naswietlania i wywolywania obrazu.Wedlug wynalazku fotoprzewodnik nalezy zmie¬ szac z niewielka iloscia izolujacej zywicy wiaza- l5 cej. Jednakze, nalezy podkreslic, ze wynalazek ten dotyczy kazdego szkliwa fotoprzewodzacego za¬ wierajacego selen. Typowe szkliwa selenowe to stopy arsenu i selenu, arsenu, antymonu i selenu, bizmutu i selenu, antymonu i selenu, arsenu, siar- 20 ki i selenu, selenu i telluru oraz mieszaniny wy¬ mienionych stopów. Szczególnie czesto uzywa sie fotoprzewodnika bedacego stopem arsenu i selenu o zawartosci arsenu w granicach od 0,5% do 50% wagowych i reszte selenu. 25 Ze wzgledu na najczesciej stosowane w ksero¬ grafii grubosci warstw konieczne jest kontrolo¬ wanie rozmiarów czastek fotoprzewodnika przed utworzeniem warstwy by ich srednica nie prze¬ wyzszala grubosci warstwy. Chociaz w pewnych 30 przypadkach mozna dopuscic by czastki mialy roz¬ miary nawet 50 ^im, lecz gdy rozmiary czastek za¬ wieraja sie w granicach od 1 do 10 jim uzyskuje sie dzieki dobremu rozproszeniu w mieszaninie stopu i zywicy najlepsze wlasnosci fotoprzewodza- ce. Typowy rozklad rozmiarów czastek stopu we¬ dlug wynalazku podano w tabeli.Tabela | Rozklad rozmiarów czastek fotoprzewodnika 88,3 % 8,5 % 2,9 /o \ 0,3 % 10 ^m 10—20 ^m 20 - 30 |xm 40 50 H-m Substancja wiazaca, która miesza sie ze stopem szklistym, moze byc dowolna zywica o wlasnosciach dobrego izolatora elektrycznego. Zywica powinna byc na tyle dobrym izolatorem, by nie odprowa- 50 dziala ladunku elektrostatycznego z powierzchni warstwy fotoprzewodzacej z szybkoscia przeszka¬ dzajaca w tworzeniu i zachowywaniu utajonego obrazu elektrostatycznego. Do typowych substan¬ cji naleza: polistyren, poliestry, fenoplasty, zywice 55 silikonowe, zywice akrylowe i metakrylowe, etylo¬ celuloza, zywice celulozowe, jak na przyklad ni¬ troceluloza, polimery winylowe, epoksydy i mie¬ szaniny wymienionych substancji.Szczególnie godnymi uwagi substancjami wiaza- 60 cymi sa chlorowane kauczuki (chlorowane polio- lefiny), które mozna okreslic jako kauczuki na¬ turalne, lub raczej poliolefiny, do których dodano znaczne ilosci chloru (do powyzej 65%) w celu zmiany wlasciwosci elastomeru. Typowymi przy- 65 kladami sa „Parlon" — chlorowany kauczuk na-69 8: 5 turalny i „Perlon P" — izotaktyczny polipropylen oraz „Hypalon" — polietylen.Fotoprzewodnik wystepuje w mieszaninie w ilosci od 60°/o do 97% wagi, a zywica wiazaca od okolo 3% do 40% wagi. Najlepsze charakterystyki 5 elektryczne wykazuje mieszanina o zawartosci fotoprzewodnika od 90% do 95% wagi i zywicy od 5% do 10% wagi.Najlatwiej mozna mieszac rozdrobniony foto¬ przewodnik z roztworem zywicy, a nastepnie 10 spryskiwac podloze zawiesina az do osiagniecia pozadanej grubosci warstwy. Rozpuszczalnik wy¬ parowuje w trakcie wysychania pokrycia. Proces ten mozna przyspieszyc przez lekkie ogrzanie warstwy w piecyku. W tym stadium warstwa 15 mieszaniny fotoprzewodnika z zywica sklada sie w wiekszej czesci z oddzielnych czastek fotoprze- wodzacych otoczonych calkowicie lub czesciowo zywica.Wymieniona warstwe wygrzewa sie nastepnie w 2o temperaturze zeszklenia uzytego stopu fotoprze- wodzacego w wyniku czego splywa on i koaguluje tworzac w pewnym stopniu jednorodna matryce szklistego stopu selenu zawierajaca oddzielne, roz¬ lozone bezladnie czastki, badz obszary zywicy. 25 Zazwyczaj wygrzewanie przeprowadza sie w tem¬ peraturze nieco wyzszej niz temperatura zaszkle¬ nia w ciagu do okolo 30 minut do kilku godzin.Ani dokladna temperatura wygrzewania, ani czas w ciagu jakiego je sie przeprowadza nie sa szcze- 30 golnie istotne, jesli tylko warunki sa wystarcza¬ jace na to, aby czastki fotoprzewodzacego szkliwa splynely i polaczyly sie tworzac fotoprzewodzaca matryce.Fig. 2 przedstawia wykres zaleznosci tempera- 35 tury zeszklenia stopów arsenu z selenem od ich procentowego skladu. Temperatura ta zmienia sie od okolo 40°C do 185°C dla zmian stezenia ato¬ mowego arsenu w stopie od okolo zera do nieco powyzej 40%. Temperatura zeszklenia i nnych stopów selenu uzytych w tym wynalazku równiez nalezy do tego zakresu.Fotoprzewodniki zlozone z selenu i antymonu zawieraja antymon w ilosci od 5% do 21% wago¬ wych i jako reszte selen. Fotoprzewodniki zlozone 45 z arsenu, selenu i antymonu zawieraja do okolo 49% wagowych arsenu, selenu nie mniej niz 40% i od okolo 0,15% do 31,0% antymonu. Fotoprze¬ wodniki zlozone z arsenu, siarki i selenu zawie¬ raja do 18% wagowych arsenu od okolo 10% do 50 90% siarki i od okolo 10% do §0% selenu. Foto¬ przewodniki selenowo-bizmutowe zawieraja biz¬ mut w ilosci od 1% do 10% wagi i jako reszte selen.Dobranie fotoprzewodnika o odpowiedniej tern- 55 peraturze zeszklenia i izolujacej zywicy wiazacej umozliwia wykonanie plyty kserograficznej wy¬ kazujacej dobre wlasciwosci elektryczne i fizycz¬ ne. Sposób wykonania plyty wedlug wynalazku wymaga dobrania stoptf selenu o takiej tempera- 60 turze zeszklenia, aby zywica nie rozlozyla sie w procesie wygrzewania stosowanym po utworzeniu warstwy mieszaniny fotoprzewodnika i wiazacej zywicy. Proces ten powoduje bardzo znaczne zmiany lepkosci stopu selenu w trakcie wygrze- 65 6 wania, który wskutek tego stapia sie tworzac szklista matryce fotoprzewodzaca zawierajaca od¬ dzielne czastki lub obszary zywicy. Struktura wy¬ konana w ten sposób odznacza sie wybitna elas¬ tycznoscia fizyczna, zwlaszcza do zastosowania do pokrycia gietkiej tasmy i ma dobre wlasciwosci elektryczne, takie, jak warstwy ze stopu selenu nie zawierajacego zywicy.Fig. 3a przedstawia strukture mikroskopowa przekroju plyty wykonanej wedlug wynalazku, obserwowana w powiekszeniu 5 000 razy pod mi¬ kroskopem elektronowym. Struktura ta zawiera wagowo 95 czesci szklistego stopu arsenu z sele¬ nem (wagowo 27% Ars. i 75% Se) zmieszanych z 5 czesciami chlorowanego kauczuku o nazwie han¬ dlowej „Parlon". Czastki fotoprzewodzace przed¬ stawione sa na rysunku jako czarna struktura, podczas gdy czesci jasniejsze lub szare przedsta¬ wiaja wiazacy kauczuk. Strukture przedstawiono na fig. 3a obserwowano przed wygrzewaniem i re¬ prezentuje ona pokrycie wykonane wedlug wyna¬ lazku po wyparowaniu rozpuszczalnika zywicy.Fig. 3b przedstawia strukture z fig. 3a po wy¬ grzewaniu w temperaturze 150°C w ciagu 1 go¬ dziny, w wyniku czego czastki fotoprzewodnika stopily sie w matryce fotoprzewodzaca (ciemne obszary), która otacza oddzielne czastki lub obsza¬ ry zywicy (jasniejsze lub szare). Przypuszcza sie takze, ze zywica prócz pojedynczych czastek czy obszarów wystepuje równiez w postaci siatek.Warstwe fotoprzewodzaca przedstawiona na fig. 3a i 3b wykonano w sposób opisany w przykladzie I ponizej.Wynalazek, a w szczególnosci sposób wytwarza¬ nia warstw fotoprzewodzacego stopu selenu zawie¬ rajacego niewielka domieszke wiazacej zywicy, zostanie blizej wyjasniony na podstawie poniz¬ szych przykladów, w których procenty wszedzie tam, gdzie nie zaznaczono inaczej, oznaczaja pro¬ centy wagowe.Przyklad I. Plyte kserograficzna wykonano w nastepujacy sposób. Szklisty stop zlozony z 17% arsenu, 82% selenu i 0,1% jodu zmielono w mi- kromlynku w ciagu 10 minut. Zmielona substan¬ cje przesiano nastepnie przez sito Nr 325 (325 otworów na 1 cal). Przesiany pyl zanalizowano pod mikroskopem i oceniono, ze 89% czastek ma srednice mniejsza od okolo 10 ^m. Zmieszano recznie 95 gramów przesianego pylu z 50 gramami 10% roztworu chlorokauczuku w toluenie. Mie¬ szanine te nalozono przy uzyciu powlekacza Byr- da na folie miedziana o grubosci 0,1 mm tak, by po wysuszeniu warstwa miala grubosc okolo 20 [im. Pokryta plyte suszono w ciagu 30 minut w temperaturze 50°C i nastepnie wygrzewano w ciagu 1 godziny w temperaturze 165°C. Pokryta w ten sposób folie miedziana, umocowano na alumi¬ niowym bebnie kopiarki biurowej i uzyto do zwyklego kopiowania kserograficznego. Plyta ta drukowala dobrze. Dane elektryczne ze skanowa¬ nia kserograficznego wykazuja, ze swiatloczulosc tej plyty jest 2,5 raza wieksza niz szklistego se¬ lenu w takich samych warunkach, a szczatkowy potencjal po dokonaniu pelnego cyklu wynosil zero69 7 woltów. Ponadto plyta wykazywala znakomita gietkosc.Przyklad II. Druga plyte wykonano mielac stop zlozony w 28% z arsenu, 71,9% selenu i 0,1% jodu w ciagu 30 minut w mlynku planetarnym.Zmielona substancje przesiano przez sito Nr 325.Nastepnie mieszano w ciagu 1 godziny w mlynku planetarnym 48 gramów przesianego pylu z 2,5 gramami chlorowanego kauczuku. Do suchej mie¬ szaniny dodano 25 gramów toluenu i znów mie¬ szano w ciagu 1 godziny w mlynku planetarnym.Otrzymana mieszanine naniesiono na folie mie¬ dziana o grubosci 0,1 mm przy uzyciu powlekacza Byrda. Grubosc wysuszonej warstwy wynosila 48 firn. Pokryta plyte suszono w temperaturze 50°C w ciagu 15 minut, a nastepnie wygrzewano w temperaturze 175°C w ciagu 1 godziny. Przygo¬ towana w ten sposób plyte umocowano na alu¬ miniowym bebnie kopiarki biurowej i poddano cyklowi pracy. Okazalo sie, ze swiatloczulosc tej plyty byla 4 do 5 razy wieksza niz szklistego se¬ lenu, a potencjal szczatkowy po dokonaniu cyklu wynosil zero woltów.Przyklad III. Trzecia plyte wykonano w taki sam sposób, jak w przykladzie II, jedynie warstwa miala grubosc okolo 90 jim. Wlasciwosci elektrycz¬ ne tej plyty byly porównywalne z wlasciwosciami plyty z przykladu II. Uzyto tej plyty do powiela¬ nia i otrzymano druk o dobrej jakosci z niewiel¬ kim zamazaniem tla. Równiez ta plyta byla bar¬ dzo gietka.Przyklad IV. Czwarta plyte wykonano w po¬ dobny sposób jak w przykladzie II, z tym, ze wy¬ grzewanie przeprowadzano w ciagu 1 godziny w temperaturze 150°C, a nie jak uprzednio w ciagu 1 godziny w temperaturze 175°C. Plyta ta wyka¬ zuje wyzszy potencjal szczatkowy niz plyta z przy¬ kladu II, lecz jej gietkosc jest równiez znakomita.Przyklad V. Piata plyte wykonano w taki sam sposób jak w przykladzie II, jedynie zamiast chlorokauczuku uzyto zywicy fenoksydowej. Plyta ta ma wlasnosci elektryczne i fizyczne podobne do plyty z przykladu II.Przyklad VI. Szósta plyte wykonano wedlug sposobu opisanego w przykladzie II. Warstwa foto- przewodzaca o grubosci 60 ^m sklada sie w 28°/o z arsenu i w 72% z selenu. Plyta wykazuje dosko¬ nale wlasnosci elektryczne i fizyczne.Fotomikrogramy i inne dane wskazuja na to, ze warstwy fotoprzewodzace opisane w powyzszych przykladach skladaja sie przed wygrzewaniem z czasteczek fotoprzewodnika rozproszonych rów¬ nomiernie w zywicy, przy czym kazda z tych czasteczek jest pokryta warstwa zywicy, jak po¬ kazano na fig. 3a. Zaobserwowano równiez, ze przed wygrzewaniem 40% powierzchni warstwy to przestrzen wolna. W trakcie procesu wygrzewania, który przebiega okolo, lub nieco powyzej tempe¬ ratury zeszklenia dla uzytego fotoprzewodzacego stopu selenu, czastki stopu splywaja i stapiaja sie ze soba tworzac matryce szklistego stopu, która zawiera rozproszone czastki zywicy. Innymi slowy, czastki fotoprzewodzace splywaja i stapiaja sie 881 8 razem zalewajac wiekszosc przestrzeni, która uprzednio byla swobodna. Zywica grupuje sie w obszarach o rozmiarach, czy srednicy okolo 5 \im otoczonych przez, w zasadzie ciagla, szklista ma- 5 tryce stopu selenu, jak pokazano na fig. 3b. Zy¬ wica wystepuje .w postaci oddzielnych wysepek lub izolowanych czastek, lecz maze równiez przy¬ brac postac sieci czesciowo lub calkowicie otacza¬ jacej obszary matrycy fotoprzewodzacej. 10 Nastepny przyklad przedstawia zalety wynalaz¬ ku zwlaszcza w zastosowaniu do elementu foto¬ przewodzacego w postaci gietkiej tasmy.Przyklad VII. Nalozono fotoprzewodzaca warstwe arsenowo-selenowa nie zawierajaca zy- 15 wicy na folie miedziana o grubosci 0,1 mm. Na¬ kladanie wykonano poprzez naparowywanie w prózni. Warstwa fotoprzewodzaca o grubosci 20 um zawierala 40% arsenu i 60% selenu. Zgina¬ jac te plyte kilkakrotnie na stalowej rolce o sred- 20 nicy okolo 5 cm zbadano jej gietkosc mechaniczna.Po kilku zgieciach warstwa arsenowp-selenowa bardzo popekala, co wskazuje na stosunkowo slabe przyleganie i niewielka odpornosc przy uzyciu w warunkach wymagajacych gietkosci. W sposób 25 opisany w przykladzie II wykonano trzy plyty o grubosci 20, 44 i 57 M-m zlozone w 5 czesciach z zywicy chlorokauczukowej i w 95 czesciach ze stopu zawierajacego 28% arsenu i 72% selenu.Kazda z tych plyt zginano 500 000 razy na takim 30 samym walku stalowym o srednicy okolo 5 cm i nie zaobserwowano zadnych pekniec.Próba przeprowadzona w przykladzie VII wy¬ raznie wskazuje, ze plyty zawierajace niewielka ilosc zywicy domieszana do szklistego stopu selenu 35 wykazuja wybitna gietkosc, a jednoczesnie ich charakterystyki elektryczne nie ulegaja pogorsze¬ niu. Nalezy zaznaczyc, ze do szklistych stopów se¬ lenu uzytych w niniejszym wynalazku mozna do¬ dawac niewielkie ilosci domieszek, co polepsza 40 ich wlasciwosci elektryczne. Na przyklad dodanie niewielkich ilosci halogenów: jodu, chloru, bromu i fluoru polepsza czulosc spektralna fotoprzewod¬ nika. Domieszki halogenów sa szczególnie efektyw¬ ne, gdy dodaje sie je do stopów arsenu z selenem 45 w ilosciach od 10 do 10 000 czesci na milion. Do¬ mieszki mozna mieszac wprost z fotoprzewodni- kiem, lub z mieszanina fotoprzewodnika z zywica, lub moga stanowic skladnik substancji wiazacej.Chociaz w opisie niniejszego wynalazku podano 50 szczególnie skladniki stopów fotoprzewodzacych i ich proporcje, mozna z powodzeniem uzywac in¬ nych materialów, na przyklad takich, jakie wy¬ mieniono powyzej. Co wiecej, zastosowanie innych materialów lub ich modyfikacji moze doprowadzic 55 do synergizacji lub polepszenia warstwy fotorecep- tora. PL PL PL PL

Claims (9)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Element fotoczuly, zwlaszcza do powiela- 60 cza kserograficznego, zawierajacy fotoprzewodzaca warstwe izolacyjna, znamienny tym, ze warstwa ta sklada sie z ponad 50% wagowych szklistego fotoprzewodzacego stopu selenu zmieszanego z po¬ nizej 50% wagowych zywicy wiazacej stanowiacej gg izolacje elektryczna, przy czym fotoprzewodzacawm 9 warstwa izolacyjna ma postac ciaglego podloza ze stopu selenu z nierównomiernie rozproszonymi w nim czastkami i obszarami zywicy izolujacej.
2. Element wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze warstwa fotoprzewodzaca zawiera stop selenu w ilosci od okolo 60% do 97% wagowych, korzystnie od 90% do 95% wagowych i zywice w ilosci od okolo 3% do 40% wagowych, korzystnie od 5% do 10% wagowych.
3. Element wedlug zastrz. 1—2, znamienny tym, ze zywice stanowi chlorokauczuk.
4. Element wedlug zastrz. 1—3, znamienny tym, ze selen wystepuje w stopie wraz z jedna lub wie¬ cej sposród nastepujacych substancji: arsen, siar¬ ka, bizmut, antymon i tellur. 10
5. Element wedlug zastrz. 1—4, znamienny tym, ze fotoprzewodnik zawiera stop arsenu z selenem.
6. Element wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze arsen wchodzi w sklad stopu w ilosci od okolo 5 0,5% do 50% wagowych.
7. Element wedlug zastrz. 5—6, znamienny tym, ze stop arsenu z selenem jest domieszkowany ha¬ logenem.
8. Element wedlug zastrz. 1—7, znamienny tym, ze grubosc warstwy fotoprzewodzacej wynosi od okolo 10 do 300 pim.
9. Element wedlug zastrz. 1—8, znamienny tym, ze zawiera podloze przewodzace prad elektryczny, 15 na które nalozona Jest warstwa fotoprzewodzaca.KI. 57e,5/08 69881 MKP G03g 5/08 F/G./ 200 -r (100% |0 F/G. 2 Fig. 3a Fig. 3b PZG w Pab., zam. 1932-73, nakl. 95+20 egz. Cena zl. 10,— PL PL PL PL
PL1970141450A 1969-06-25 1970-06-19 PL69881B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US83656069A 1969-06-25 1969-06-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL69881B1 true PL69881B1 (pl) 1973-10-31

Family

ID=25272227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1970141450A PL69881B1 (pl) 1969-06-25 1970-06-19

Country Status (16)

Country Link
US (1) US3697265A (pl)
JP (1) JPS4911593B1 (pl)
AT (1) AT299699B (pl)
BE (1) BE752439A (pl)
BR (1) BR7019937D0 (pl)
CA (1) CA933014A (pl)
CH (1) CH556560A (pl)
DE (1) DE2030716A1 (pl)
ES (2) ES381112A1 (pl)
FR (1) FR2053023B1 (pl)
GB (1) GB1319341A (pl)
HU (1) HU168625B (pl)
NL (1) NL7009309A (pl)
PL (1) PL69881B1 (pl)
SE (2) SE351733B (pl)
SU (1) SU374867A3 (pl)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2339115C2 (de) * 1973-08-02 1980-04-10 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials
US3994726A (en) * 1974-04-25 1976-11-30 Xerox Corporation Method of forming a resilient photoconductive element
US4006019A (en) * 1974-10-10 1977-02-01 Xerox Corporation Method for the preparation of an electrostatographic photoreceptor
US4002476A (en) * 1975-05-23 1977-01-11 Xerox Corporation Method of developing resilient photoconductive element
JPS6039225B2 (ja) * 1975-12-10 1985-09-05 株式会社リコー 電子写真感光体
US4033768A (en) * 1976-04-14 1977-07-05 Xerox Corporation Method for the preparation of an electrostatographic photosensitive device
US4394429A (en) * 1980-06-02 1983-07-19 Xerox Corporation Development process and apparatus
US5567564A (en) * 1992-07-09 1996-10-22 Xerox Corporation Liquid development composition having a colorant comprising a stable dispersion of magnetic particles in an aqueous medium
US5362417A (en) * 1992-07-09 1994-11-08 Xerox Corporation Method of preparing a stable colloid of submicron particles

Also Published As

Publication number Publication date
HU168625B (pl) 1976-06-28
JPS4911593B1 (pl) 1974-03-18
NL7009309A (pl) 1970-12-29
DE2030716A1 (de) 1971-01-07
ES409740A1 (es) 1975-11-16
SU374867A3 (pl) 1973-03-20
BR7019937D0 (pt) 1973-01-25
AT299699B (de) 1972-06-26
CH556560A (de) 1974-11-29
FR2053023B1 (pl) 1973-04-06
SE351733B (pl) 1972-12-04
SE374608B (pl) 1975-03-10
BE752439A (fr) 1970-12-24
GB1319341A (en) 1973-06-06
CA933014A (en) 1973-09-04
US3697265A (en) 1972-10-10
FR2053023A1 (pl) 1971-04-16
ES381112A1 (es) 1974-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68919304T2 (de) Leitfähige Zusammensetzung und Methode zur Herstellung derselben.
US2803542A (en) Xerographic plate
DE1597882B2 (de) Elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial
US3787208A (en) Xerographic imaging member having photoconductive material in inter-locking continuous paths
DE2314867A1 (de) Elektrophotographische materialien
PL69881B1 (pl)
US3634134A (en) Method of making a photoconductive composition and device
US4609605A (en) Multi-layered imaging member comprising selenium and tellurium
DE2615624A1 (de) Mehrschicht-fotorezeptorelemente
US3524745A (en) Photoconductive alloy of arsenic,antimony and selenium
US3077386A (en) Process for treating selenium
DE1522713C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
US3494789A (en) Photoconductive insulating material
US3453141A (en) Method for making a high-speed reusable x-ray plate using orthorhombic lead oxide and resulting article
US4335195A (en) Electrophotosensitive element has resin encapsulated CdS particles in binding resin
DE2849573C2 (pl)
US3501343A (en) Light insensitive xerographic plate and method for making same
US3837906A (en) Method of making a xerographic binder layer, and layer so prepared
US3694201A (en) Method for photoconductive powder
GB2145842A (en) Photoconductive member
US5002734A (en) Processes for preparing chalcogenide alloys
JPS58121044A (ja) 電子写真感光体
SU374867A1 (ru) Электрофотографический материал
US5035857A (en) Processes for preparing chalcogenide alloys
US3595646A (en) Method of treating photoconductors of the cadmium series to form electrophotosensitive material manifesting persistent internal polarization