Moga byc równiez stosowane inne sposoby wy¬ twarzania ukladu ladunków elektrostatycznych na warstwie 31 plyty 30. Nia przyklad w bezposred¬ niej bliskosci warstwy 31 moze byc umieszczona uksztaltowana elektroda zasilana nastepnie wyso¬ kim napieciem w stosunku do podloza 33.Uklad ladunku moze byc uformowany równiez za pomoca wiazki elektronów o malej energii. Mo¬ ga byc zastosowane jeszcze inne metody znane z techniki kserograficznej. Po uformowaniu obra¬ zu elektrostatycznego na warstwie 31 rozmiekcza sie warsJtwe 32 w sposób juz wyjasniony dla umo¬ zliwienia selektywnej wedrówki czastek warstwy 31 do powierzchni podloza 33.Fig. 9 przedstawia wywolywanie obrazu roz¬ puszczalnikiem warstwy 32. Jak pokazano na ry¬ sunku, pary rozpuszczalnika 53 ze zbiornika 52 sa doprowadzone do plyty 30 zachowujacej obraz elektrostatyczny. Wskutek tego, jak stwierdzono, naladowane czastki warstwy 31 przylegaja do po¬ wierzchni podloza 33. Dopóki rozpuszczalnik nie rozpuszcza materialu warstwy 33 plytar 30 moze9 66 892 10 byc wystawiona na dzialanie pary rozpuszczalnika przez nieograniczony przeciag czasu bez szkody dla jakosci obrazu. Z tego wzgledu czas wywolywa¬ nia nie ma decydujacego znaczenia.W itym stanie procesu reprodukcji, czastki war- stawy 31 pozostaja na powierzchni warstwy 32 a inne czastki, które przewedrowaly selektywnie, spoczywaja na powierzchni podloza. Jednak ponie¬ waz warstwa 32 jest dosc cienka, otrzymany obraz, chociaz przydatny w niektórych zastosowaniach, nie jest latwo czytelny bez specjalnych urzadzen uwydatniajacych. Wobec tego zwykle jest pozada¬ ne usuniecie nienaswietlonych czesci warstwy 32 wraz z tworzywem sztucznym tej warstwy 32. Moz¬ na tego dokonac na przyklad przez scieranie nie¬ potrzebnego materialu albo najlepiej przez zanu¬ rzenie plyty w plynnym rozpuszczalniku dla war¬ stwy 12, jak pokazano na fig. 10.Fig. 10 przedstawia plyte 10 zanurzona w roz¬ puszczalniku 56 umieszczonym w wannie 57. War¬ stwa 32 zostaje rozpuszczona, a nienaswietlone czesci warstwy 31 pozbawione mechanicznej wiezi, rozpraszaja sie w cieczy pozostawiajac tylko prze¬ mieszczone czastki warstwy 31 na powierzchni pod¬ loza w postaci obrazu.Nalezy zaznaczyc, ze obraz elektrostatyczny utworzony na warstwie 31 moze byc wywolany przez bezposrednie zanurzenie plyty, zachowuja¬ cej utajony obraz, w plynnym rozpuszczalniku jak wyjasniono w zwiazku z fig. 4. Jednak plynny roz¬ puszczalnik powinien byc wówczas wystarczajacym izolatorem elektrycznym, aby umozliwic przewedro¬ wanie naladowanych czastek warstwy 11, do po¬ wierzchni podloza 33 zanim ladunek zostanie roz¬ proszony w cieczy. Jezeli jednak zastosowano wy¬ wolywanie w parze, które poprzedza zanurzenie w cieczy, ito ciecz nie musi byc izolacyjna. Ponie¬ waz wedrówka miala miejsce przed zanurzeniem, wyplukiwanie niepotrzebnych materialów za po¬ moca cieczy przewodzacej nie niszczy obrazu.Uzyty rozpuszczalnik powinien byc rozpuszczal¬ nikiem warstwy 32, lecz nie warstw 31 lub 33. Po¬ winien on miec wlasnosci juz omówione wyzej i moze zawierac wymienione wyzej materialy.Fig. 11 przedstawia schematycznie wywolany obraz wedlug niniejszej odmiany wynalazku po usunieciu warstwy 32 i niepotrzebnych czesci war¬ stwy 31. W ten sposób przemieszczone czastki warstwy 31, oznaczone liczba 31', pozostaja na po¬ wierzchni podloza 33, jak pokazano na rysunku.Omówiony sposób jest objasniony na przykla¬ dach nastepujacych: Przyklad XII. Na plyte 30 wykonana przez nawalcowanie arkusza aluminiowego Mylar blony poliestrowej warstwa Piccotex 100 o grubosci okolo 2 mikrony z nalozona mieszanina rozproszonych pneumatycznie czastek grafitowych i kulek szkla¬ nych o srednicy 50 mikronów na powierzchni war¬ stwy zywicy dla utworzenia warstwy 13 (fig. 1) o grubosci w przyblizeniu l mikron, jest naklada¬ ny obraz elektrostatyczny za pomoca urzadzenia do wyladowania ulotowego i wzornika jak przed¬ stawiono na fig. 7. Powierzchnie obrazu sa ladowa¬ ne dodatnio do okolo 60 woltów. Plyta zachowu¬ jaca obraz utajony jest traktowana nastepnie pa¬ rami cykloheksanu, wskutek czego nastepuje we¬ drówka naladowanych czesci powierzchni warstwy 33 do powierzchni blony poliestrowej. Nienaswiet¬ lone czesci warstwy 33 oraz warstwe Piccotex 100 5 usuwa sie przez zanurzenie wywolanej plyty w plynnym cykloheksanie na przeciag okolo 10 se¬ kund. W wyniku otrzymuje sie wierne widoczne odtworzenie obrazu elektrostatycznego.Przyklady XIII—XVI. Czynnosci wedlug przykladu XII byly wykonane z seria plyt, na któ¬ re nakladano obrazy elektrostatyczne za pomoca 2, 20, 40 i 160 woltów zamiast 60 woltów jak w przykladzie XII. Otrzymane wierne, widoczne od¬ bicia obrazu elektrostatycznego.Przyklady XVII—XXXIII. Na serii 17 plyt zawierajacych wielokrotnie narzucone mieszaniny czastek grafitowych (jak w przykladzie XII) i ku¬ lek szklanych o srednicy 50 mikronów na powierz¬ chnie dwumikronowej warstwy Staybelite 10 le¬ zacej na aluminowanej blonie poliestrowej Mylar uformowano obraz elektrostatyczny za pomoca urzadzenia do wyladowania ulotowego i wzornika (jak przedstawiono na fig. 7), po czym plyty byly wywolane przez zanurzenie w plynnych rozpusz¬ czalnikach dla otrzymania wiernego odbicia, przy czym warunki byly nastepujace: Potencjal przylozony + 40 + 60 + 90 + 110 + 180 + 40 + 50 + 60 + 70 + 80 + 100 + 60 + 150 — 40 — 50 — 180 — 300 Rozpuszczalnik Rozpuszczalnik bezwonny Sohio 3440 a j ?» » » » » a cykloheksan " " » » freon 113 » Rozpuszczalnik bezwonny Sohio 3440 cykloheksan " » Wykonywano równiez sposób reprodukcji obrazów przy uzyciu materialów i wartosci podanych w tablicy I. W kazdym przykladzie podloze zawieralo aluminowany Mylar, na którym byla nawalcowa- na warstwa 32. Warstwa 31 byla uformowana spo¬ sobem narzucania opisanym wyzej. Wywolywanie przeprowadzano przez zanurzenie w plynnym roz¬ puszczalniku. Uzyte czastki granatu mialy srednia srednice okolo 5 mikronów. 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6011 68 892 12 Tablica I Warstwa 11 Czern weglo¬ wa Neo Spe- stra (Columbien Carbou Co.) " j " gran ait " " " " " " " tlenek zelaza Warstwa 12 Piecotex 100 Staybelite 10 » jj „ ? - Piccolex 100 << 5 Staybelite 10 Poten¬ cjal przylo¬ zony + 180 + 160 + 160 + 160 + 7 + 30 + 80 + 95 + 250 + 140 — 260 — 6 + 30 + 40 — 125 + 70 + 90 Rozpusz¬ czalnik cyklo¬ heksan freon 113 cyklo¬ heksan freon 113 cyklo¬ heksan " " " freon 113 rozpusz¬ czalnik bezwonny Sohio 2440 cyklo¬ heksan " 1 freon 113 cyklo¬ heksan Tak wiec wielkosc napiecia obrazu elektrosta¬ tycznego nalozonego na plyte nosna obrazów nie ma znaczenia decydujacego o ile jest wyzsza od progu wywolywania wedrówki czastek w uzytej mieszaninie materialów. W praktyce jednak kó¬ rz ttna wielkosc napiecia obrazu elektrostatycz¬ nego jeLit znacznie wyzsza od wartosci progowej.Na ogól najlepiej stosowac potencjal co najmniej ckclo 20 woltów aby zapewnic otrzymanie obra¬ zów wysokiej jakosci. Ponizej tej wartosci obniza sie kontrastowosc obrazu, ale tym nie mniej otrzy¬ muje sie zadowalajace wyniki.Wedlug innej cechy wynalazku wedrówke cza¬ stek reguluje sie przez odpowiednia, zalezna od obrazu przemiane rozmiekczalnej warstwy przed opisanym wyzej zabiegiem wywolywania. Ten spo¬ sób zapobiega formowaniu obrazu elektrostatycz¬ nego i zamiast tego pozwala na uzycie zasadniczo równomiernego ladunku dla wywierania sil elek¬ trycznych wymaganych dla wedrówki czastki. Po¬ zwala on równiez na uzycie elektrycznie przewo¬ dzacych czastek bez wzgledu na przewodnictwo 5 boczne warstwy 11.Na fig. 12 przedstawiono przemiane rozmiekczal¬ nej warstwy za pomoca promieniowania pozafio- letowego. Tak wiec na przyklad warstwe 33 Staybe¬ lite 10 (o grubosci 2 mikrony) na aluminowanym podlozu Mylar 33 naswietla sie w przeciagu kilku minut przez wzornik 41 aby otrzymac uklad obra¬ zu promieniowania nadfioletowego z lampy 42.Nastepnie formuje sie warstwe 31 na warstwie 32 przez narzucanie mieszaniny 61 mialko roz¬ drobnionego tlenku cynku lub innych uwydatnia¬ jacych sie czastek i kuleczek szklanych typu od¬ powiedniego do zastosowania jako nosnik ksero¬ graficzny, jak przedstawiono schematycznie na fig. 13. Otrzymana w ten sposób struktura trój- warstwowa jest gotowa do zabiegów ladowania i wywolywania dla otrzymania widzialnego obnazu.W zaleznosci od specjalnych materialów uzytych w konstrukcji plyty mozna stosowac inne postacie promieniowania aktynicznego (przed albo po ufor¬ mowaniu warstwy 31) dla selektywnej przemiany zdolnosci warstwy 32 cio przepuszczania wedruja¬ cych czastek. Metodami nadajacymi sie do tego celu sa: obróbka promieniami Rentgena, obróbka pro¬ mieniami beta, obróbka promieniami gamma i bom¬ bardowanie elektronami o wysokim poziomie energia.Jak przedstawiono na fig. 4 na warstwe 13 moz¬ na nalozyc w zasadzie równomierny ladunek elek¬ trostatyczny przez przemieszczanie urzadzenia do wyladowania ulotowego 38 pobudzonego ze zródla wysokiego napiecia 39. Urzadzenie ulotowe daje najlepiej potencjal co najmniej okolo 20 woltów na warstwie 31 w odniesieniu do podloza 33, aby otrzymac obrazy wysokiej jakosci, zwlaszcza pod wzgledem kontrastu. Proces reprodukcji moze byc jednak wykonywany równiez przy znacznie niz¬ szych napieciach, jak podano w poprzednich przy¬ kladach. Naladowana plyta moze byc nastepnie wywolywana, jak opisano w zwiazku z fig. 9 i 10.Fowyzszy opis jest podany jedynie dla celów wyjasnienia i poparcia przykladami wynalazku i nie moze stanowic ograniczenia wynalazku okre¬ slonego w zalaczonych zastrzezeniach. PL