PL66792B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL66792B1 PL66792B1 PL144709A PL14470970A PL66792B1 PL 66792 B1 PL66792 B1 PL 66792B1 PL 144709 A PL144709 A PL 144709A PL 14470970 A PL14470970 A PL 14470970A PL 66792 B1 PL66792 B1 PL 66792B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- semiconductor
- plates
- base
- illuminator
- soldered
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 20.XIL1972 66792 KI. 42m6,7/14 MKP Gfók7/14 CZV'i ¦:;:.HEA| TO Fols! sklei tezsiyw-' rA L J Wspóltwórcy wynalazku: Bogdan Darek, Bohdan Mroziewicz Wlasciciel patentu: Instytut Technologii Elektronowej Naukowo-Produkcyjne Centrum Pólprzewodników, Warszawa (Polska) Wielopunktowy pólprzewodnikowy oswietlacz elektroluminescencyj¬ ny do odczytu tasm perforowanych Przedmiotem patentu jest wielopunktowy pólprzewod¬ nikowy oswietlacz elektroluminescencyjny spelniajacy funkcje zródla promieniowania w czytnikach tasm per¬ forowanych.Znane dotychczas pólprzewodnikowe oswietlacze elek¬ troluminescencyjne skladaly sie z indywidualnych diod elektroluminescencyjnych, umieszczonych w otworach obudowy, w taki sposób, aby pojedyncza dioda elektro¬ luminescencyjna, odpowiedni otwór w tasmie perforo¬ wanej i odpowiedni fotodetektor znajdowaly sie w jed¬ nej linii. Rozwiazanie takie wymaga stosowania bardzo malych diod, których wykonanie nasuwa szereg trudno¬ sci technologicznych i konstrukcyjnych, zwiazanych m.in. z odprowadzaniem ciepla, wytworzonego w dio¬ dzie.Innym rozwiazaniem sa konstrukcje diody, w której zródlo swiatla jest uksztaltowane w foirmie waskiego paska i oswietla tasme perforowana na calej jej szero¬ kosci. W oswietlaczach tych jednak, czesc promieniowa¬ nia jest niewykorzystana i obnizona jest w zwiazku z tym moc promieniowania przechodzacego przez poje¬ dynczy otwór tasmy.Celem wynalazku bylo opracowanie takiego oswie¬ tlacza, w którym wyeliminowane bylyby wady opisa¬ nych powyzej przyrzadów, a w szczególnosci unikniecie trudnosci technologicznych i konstrukcyjnych, zwiaza¬ nych z wykonaniem bardzo malych pojedynczych diod oraz lepsze wykorzystnie calkowitej mocy promieniowa¬ nia oswietlacza.Cel ten zostal osiagniety w konstrukcji, której istota 10 15 20 25 30 polega na wykonaniu punktowych zródel promieniowa¬ nia, nie stanowiacych jednak oddzielnych diod elektro¬ luminescencyjnych.Istota wynalazku polega na tym, ze pólprzewodniko¬ we plytki z wytworzonymi w nich zlaczami p-n sa osa¬ dzone i przylutowane w gniezdzie wykonanym w*plyt¬ kach metalowych przy czym pólprzewodnikowe plytki oraz plytki metalowe osadzone sa trwale i wspólosiowo w wyprofilowanych otworach w podstawie. W otworach tych, po stronie przeciwnej do pólprzewodnikowych ply¬ tek, osadzone sa soczewki. Soczewki od podstawy oraz pólprzewodnikowych i metalowych plytek oddzielone sa substancja zmniejszajaca odbicia promieni. Calosc za¬ warta jest w obudowie skladajacej sie z podstawy oraz oslon. Jedna z oslon, ma wykonany przepust przez któ¬ ry przechodza przewody — jeden przylutowany do pod¬ stawy a drugi do przewodu laczacego wszystkie plytki pólprzewodnikowe.Przyklad wykonania oswietlacza wedlug wynalazku zostal pokazany na rysunkach, na których fig. 1 — przedstawia oswietlacz w przekroju poziomym, fig. 2 — ten sam oswietlacz w przekroju pionowym wzdluz linii A—A, a fig. 3 przedstawia szczegól S oswietlacza, z uwidocznionymi punktowymi zródlami promieniowania.Pólprzewodnikowy oswietlacz elektroluminescencyjny wedlug wynalazku sklada sie z pólprzewodnikowych plytek 1, w których zostalo wykonane zlacze p-n, a na powierzchni wytworzony niskoomowy kontakt elek¬ tryczny. Plytki pólprzewodnikowe 1 sa osadzone w gniazdach i 'przylutowane do. plytek metalowych 2, któ- 6679266792 re sa z kolei wlutowane w odpowiednie zaglebienie pod¬ stawy 3 tak, aby osie metalowych plytek 2 podstawy 3 pokrywaly sie ze soba.Na drugiej stronie podstawy 3 znajduje sie wglebie¬ nie, w którym jest przyklejona soczewka 4. Przestrzen miedzy powierzchnia plytki pólprzewodnikowej 1 i so¬ czewka 4 wypelniona jest substancja 5 o wspólczynni¬ ku zalamania dobranym tak, aby zmniejszyc straty pro¬ mieniowania na odbicie. Do podstawy 3 oswietlacza sa przymocowane oslony 6 i 7. W oslonie 6 znajduje sie przepust 8 z dwoma .przewodami 9 i 10, z których je¬ den jest przyiutowany do podstawy 3, a drugi jest przy¬ iutowany do przewodu 11, laczacego wszystkie diody.Dzialanie oswietlacza wedlug wynalazku polega na tym, ze po przylozeniu napiecia elektrycznego do prze¬ wodów 9 i 10 przez wszystkie plytki pólprzewodniko¬ we 1 przeplywa prad elektryczny, w wyniku czego w obszarach zlacza p-n generowane jest promieniowanie rekombinacyjne. Promieniowanie to przenika przez ob¬ szar n plytek pólprzewodnikowych 1, przechodzi na¬ stepnie przez otwory w metalowych plytkach 2 i w pod¬ stawie 3, wypelnionych substancja o wspólczynniku za¬ lamania dobranym tak aby zmniejszyc straty na odbi¬ cie 5, wchodzi do soczewki 4 i wydostaje sie na zew¬ natrz. PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe 5 Wielopunktowy pólprzewodnikowy oswietlacz elektro¬ luminescencyjny do odczytu tasm perforowanych, zna¬ mienny tym, ze pólprzewodnikowe plytki (1) z wytwo¬ rzonymi w nich zlaczami p-n sa osadzone i przylutowa- 10 ne w gniezdzie wykonanym w plytkach metalowych (2) przy czym pólprzewodnikowe plytki (1) oraz plytki me¬ talowe (2) sa osadzone trwale i wspólosiowo w wypro¬ filowanych otworach w podstawie (3), w których to otworach, po stronie przeciwnej do pólprzewodnikowych 15 plytek (1), osadzone sa soczewki (4) i oddzielane od plytek pólprzewodnikowych (1) i metalowych (2) sub¬ stancja (5) zmniejszajaca odbicia promieni, a calosc za¬ warta jest w obudowie skladajacej sie z podstawy (3) oraz oslon (6 i 7) z których jedna ma przepust (8) przez 20 który przechodza przewody (9 i 10) — jeden przyluto¬ wany do podstawy (3) a drugi do przewodu (11) lacza¬ cego wszystkie plytki pólprzewodnikowe (1).KI. 42m6,7/14 66792 MKP G06k7/14 Fig.1 Fig.2K1.42m6,7/14 66792 MKP G06k7/14 Fig. 3 WDA-l. Zam. 4586, naklad 200 egz. PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL66792B1 true PL66792B1 (pl) | 1972-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10323799B2 (en) | Light-emitting diode filament with a heat-dissipating structure and light-emitting diode filament light bulb using the same | |
| US6635902B1 (en) | Serial connection structure of light emitting diode chip | |
| US9142534B2 (en) | Light-emitting device | |
| JP6616088B2 (ja) | Ledアセンブリー及びこのledアセンブリーを用いたled電球 | |
| US20110309379A1 (en) | Light-emitting device and luminare | |
| US8956011B2 (en) | Bulb type semiconductor light-emitting device lamp | |
| KR20150023162A (ko) | 발광모듈 | |
| US6799870B2 (en) | Sideway-projecting light emitting diode structure | |
| KR102429986B1 (ko) | 리드프레임 상의 led들의 배열 | |
| US10273022B2 (en) | Aircraft LED light unit | |
| JP5333771B2 (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
| PL66792B1 (pl) | ||
| KR100729825B1 (ko) | 발광 유니트 | |
| CZ305612B6 (cs) | Světelný zdroj | |
| CN100391015C (zh) | 芯片型led | |
| KR20160123133A (ko) | 플렉시블 led모듈 | |
| KR101146096B1 (ko) | Led 패키지, 이를 이용한 발광 유닛 및 측면 발광형 백 라이트 유닛 | |
| CN212456378U (zh) | Led灯条、led灯条组件以及灯具 | |
| KR20120058950A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| JP7054429B2 (ja) | 発光装置、発光モジュール及びその製造方法 | |
| KR100601197B1 (ko) | 발광다이오드 | |
| RU160075U1 (ru) | Светодиодный излучатель | |
| CN208111474U (zh) | 发光二极管封装 | |
| EA033577B1 (ru) | Полосковый светодиод | |
| US20120074437A1 (en) | Led unit having uniform light emission |