PL66792B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL66792B1
PL66792B1 PL144709A PL14470970A PL66792B1 PL 66792 B1 PL66792 B1 PL 66792B1 PL 144709 A PL144709 A PL 144709A PL 14470970 A PL14470970 A PL 14470970A PL 66792 B1 PL66792 B1 PL 66792B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
semiconductor
plates
base
illuminator
soldered
Prior art date
Application number
PL144709A
Other languages
English (en)
Inventor
Darek Bogdan
Mroziewicz Bohdan
Original Assignee
Instytut Technologii Elektronowej Naukowoprodukcyjnecentrum Pólprzewodników
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii Elektronowej Naukowoprodukcyjnecentrum Pólprzewodników filed Critical Instytut Technologii Elektronowej Naukowoprodukcyjnecentrum Pólprzewodników
Publication of PL66792B1 publication Critical patent/PL66792B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 20.XIL1972 66792 KI. 42m6,7/14 MKP Gfók7/14 CZV'i ¦:;:.HEA| TO Fols! sklei tezsiyw-' rA L J Wspóltwórcy wynalazku: Bogdan Darek, Bohdan Mroziewicz Wlasciciel patentu: Instytut Technologii Elektronowej Naukowo-Produkcyjne Centrum Pólprzewodników, Warszawa (Polska) Wielopunktowy pólprzewodnikowy oswietlacz elektroluminescencyj¬ ny do odczytu tasm perforowanych Przedmiotem patentu jest wielopunktowy pólprzewod¬ nikowy oswietlacz elektroluminescencyjny spelniajacy funkcje zródla promieniowania w czytnikach tasm per¬ forowanych.Znane dotychczas pólprzewodnikowe oswietlacze elek¬ troluminescencyjne skladaly sie z indywidualnych diod elektroluminescencyjnych, umieszczonych w otworach obudowy, w taki sposób, aby pojedyncza dioda elektro¬ luminescencyjna, odpowiedni otwór w tasmie perforo¬ wanej i odpowiedni fotodetektor znajdowaly sie w jed¬ nej linii. Rozwiazanie takie wymaga stosowania bardzo malych diod, których wykonanie nasuwa szereg trudno¬ sci technologicznych i konstrukcyjnych, zwiazanych m.in. z odprowadzaniem ciepla, wytworzonego w dio¬ dzie.Innym rozwiazaniem sa konstrukcje diody, w której zródlo swiatla jest uksztaltowane w foirmie waskiego paska i oswietla tasme perforowana na calej jej szero¬ kosci. W oswietlaczach tych jednak, czesc promieniowa¬ nia jest niewykorzystana i obnizona jest w zwiazku z tym moc promieniowania przechodzacego przez poje¬ dynczy otwór tasmy.Celem wynalazku bylo opracowanie takiego oswie¬ tlacza, w którym wyeliminowane bylyby wady opisa¬ nych powyzej przyrzadów, a w szczególnosci unikniecie trudnosci technologicznych i konstrukcyjnych, zwiaza¬ nych z wykonaniem bardzo malych pojedynczych diod oraz lepsze wykorzystnie calkowitej mocy promieniowa¬ nia oswietlacza.Cel ten zostal osiagniety w konstrukcji, której istota 10 15 20 25 30 polega na wykonaniu punktowych zródel promieniowa¬ nia, nie stanowiacych jednak oddzielnych diod elektro¬ luminescencyjnych.Istota wynalazku polega na tym, ze pólprzewodniko¬ we plytki z wytworzonymi w nich zlaczami p-n sa osa¬ dzone i przylutowane w gniezdzie wykonanym w*plyt¬ kach metalowych przy czym pólprzewodnikowe plytki oraz plytki metalowe osadzone sa trwale i wspólosiowo w wyprofilowanych otworach w podstawie. W otworach tych, po stronie przeciwnej do pólprzewodnikowych ply¬ tek, osadzone sa soczewki. Soczewki od podstawy oraz pólprzewodnikowych i metalowych plytek oddzielone sa substancja zmniejszajaca odbicia promieni. Calosc za¬ warta jest w obudowie skladajacej sie z podstawy oraz oslon. Jedna z oslon, ma wykonany przepust przez któ¬ ry przechodza przewody — jeden przylutowany do pod¬ stawy a drugi do przewodu laczacego wszystkie plytki pólprzewodnikowe.Przyklad wykonania oswietlacza wedlug wynalazku zostal pokazany na rysunkach, na których fig. 1 — przedstawia oswietlacz w przekroju poziomym, fig. 2 — ten sam oswietlacz w przekroju pionowym wzdluz linii A—A, a fig. 3 przedstawia szczegól S oswietlacza, z uwidocznionymi punktowymi zródlami promieniowania.Pólprzewodnikowy oswietlacz elektroluminescencyjny wedlug wynalazku sklada sie z pólprzewodnikowych plytek 1, w których zostalo wykonane zlacze p-n, a na powierzchni wytworzony niskoomowy kontakt elek¬ tryczny. Plytki pólprzewodnikowe 1 sa osadzone w gniazdach i 'przylutowane do. plytek metalowych 2, któ- 6679266792 re sa z kolei wlutowane w odpowiednie zaglebienie pod¬ stawy 3 tak, aby osie metalowych plytek 2 podstawy 3 pokrywaly sie ze soba.Na drugiej stronie podstawy 3 znajduje sie wglebie¬ nie, w którym jest przyklejona soczewka 4. Przestrzen miedzy powierzchnia plytki pólprzewodnikowej 1 i so¬ czewka 4 wypelniona jest substancja 5 o wspólczynni¬ ku zalamania dobranym tak, aby zmniejszyc straty pro¬ mieniowania na odbicie. Do podstawy 3 oswietlacza sa przymocowane oslony 6 i 7. W oslonie 6 znajduje sie przepust 8 z dwoma .przewodami 9 i 10, z których je¬ den jest przyiutowany do podstawy 3, a drugi jest przy¬ iutowany do przewodu 11, laczacego wszystkie diody.Dzialanie oswietlacza wedlug wynalazku polega na tym, ze po przylozeniu napiecia elektrycznego do prze¬ wodów 9 i 10 przez wszystkie plytki pólprzewodniko¬ we 1 przeplywa prad elektryczny, w wyniku czego w obszarach zlacza p-n generowane jest promieniowanie rekombinacyjne. Promieniowanie to przenika przez ob¬ szar n plytek pólprzewodnikowych 1, przechodzi na¬ stepnie przez otwory w metalowych plytkach 2 i w pod¬ stawie 3, wypelnionych substancja o wspólczynniku za¬ lamania dobranym tak aby zmniejszyc straty na odbi¬ cie 5, wchodzi do soczewki 4 i wydostaje sie na zew¬ natrz. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe 5 Wielopunktowy pólprzewodnikowy oswietlacz elektro¬ luminescencyjny do odczytu tasm perforowanych, zna¬ mienny tym, ze pólprzewodnikowe plytki (1) z wytwo¬ rzonymi w nich zlaczami p-n sa osadzone i przylutowa- 10 ne w gniezdzie wykonanym w plytkach metalowych (2) przy czym pólprzewodnikowe plytki (1) oraz plytki me¬ talowe (2) sa osadzone trwale i wspólosiowo w wypro¬ filowanych otworach w podstawie (3), w których to otworach, po stronie przeciwnej do pólprzewodnikowych 15 plytek (1), osadzone sa soczewki (4) i oddzielane od plytek pólprzewodnikowych (1) i metalowych (2) sub¬ stancja (5) zmniejszajaca odbicia promieni, a calosc za¬ warta jest w obudowie skladajacej sie z podstawy (3) oraz oslon (6 i 7) z których jedna ma przepust (8) przez 20 który przechodza przewody (9 i 10) — jeden przyluto¬ wany do podstawy (3) a drugi do przewodu (11) lacza¬ cego wszystkie plytki pólprzewodnikowe (1).KI. 42m6,7/14 66792 MKP G06k7/14 Fig.1 Fig.2K1.42m6,7/14 66792 MKP G06k7/14 Fig. 3 WDA-l. Zam. 4586, naklad 200 egz. PL PL
PL144709A 1970-11-30 PL66792B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL66792B1 true PL66792B1 (pl) 1972-08-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10323799B2 (en) Light-emitting diode filament with a heat-dissipating structure and light-emitting diode filament light bulb using the same
US6635902B1 (en) Serial connection structure of light emitting diode chip
US9142534B2 (en) Light-emitting device
JP6616088B2 (ja) Ledアセンブリー及びこのledアセンブリーを用いたled電球
US20110309379A1 (en) Light-emitting device and luminare
US8956011B2 (en) Bulb type semiconductor light-emitting device lamp
KR20150023162A (ko) 발광모듈
US6799870B2 (en) Sideway-projecting light emitting diode structure
KR102429986B1 (ko) 리드프레임 상의 led들의 배열
US10273022B2 (en) Aircraft LED light unit
JP5333771B2 (ja) 発光装置及び照明装置
PL66792B1 (pl)
KR100729825B1 (ko) 발광 유니트
CZ305612B6 (cs) Světelný zdroj
CN100391015C (zh) 芯片型led
KR20160123133A (ko) 플렉시블 led모듈
KR101146096B1 (ko) Led 패키지, 이를 이용한 발광 유닛 및 측면 발광형 백 라이트 유닛
CN212456378U (zh) Led灯条、led灯条组件以及灯具
KR20120058950A (ko) 발광 다이오드 패키지
JP7054429B2 (ja) 発光装置、発光モジュール及びその製造方法
KR100601197B1 (ko) 발광다이오드
RU160075U1 (ru) Светодиодный излучатель
CN208111474U (zh) 发光二极管封装
EA033577B1 (ru) Полосковый светодиод
US20120074437A1 (en) Led unit having uniform light emission