PL65962Y1 - Uchwyt - Google Patents

Description

Opis wzoru Przedmiotem wzoru u zytkowego jest uchwyt dla osadzania pokry c dielektrycznych w laserach pó lprzewodnikowych, a zw laszcza na linijkach laserowych. W procesie wytwarzania laserów pó lprzewodnikowych du ze znaczenie maj a pokrycia dielek- tryczne zwierciade l takimi warstwami jak SiO 2 , Si 3 N 4 czy AI 2 O 3 . Dla niektórych zastosowa n niezb edne jest aby zwierciad lo lasera charakteryzowa lo si e wspó lczynnikiem odbicia bliskim 100%, a to uzyskuje sie zwykle przez nak ladanie na zwierciad lo lasera kilku warstw. Nak ladanie warstwy czy te z warstw wykonuje si e zwykle za pomoc a rozpylania magnetronowego. Znane urz adzenia magnetronowe posiadaj a komor e technologiczn a, w której znajduje si e ano- da oraz katoda z uk ladem magnetronowym. W zale zno sci od potrzeb technologicznych urz adzenia do rozpylania magnetronowego wyposa zone s a w ró znego typu podstawki czy uchwyty, w których umieszczane s a podczas procesu elementy lub przyrz ady. Takie uchwyty maj a na celu odpowiednie pozycjonowanie elementów, przyrz adów czy struktur w trakcie procesu a jednocze snie powinny u la- twia c ich wk ladanie czy te z wyjmowanie z komory technologicznej urz adzenia. Zw laszcza, w przypad- ku linijek laserowych, których grubo sc nie przekracza w zasadzie 140 µm dok ladne ustawienie w ko- morze technologicznej jest szczególnie istotne. Celem wzoru u zytkowego jest opracowanie uchwytu przeznaczonego do pozycjonowania linijek laserów pó lprzewodnikowych w komorze technologicznej urz adzenia do rozpylania magnetronowego, uchwytu, który u latwi lby operowanie tymi elementami podczas nak ladania kolejnych warstw dielek- trycznych. Uchwyt wed lug przedmiotowego wzoru u zytkowego ma posta c prostopad lo scianu o d lugo sci L i szeroko sci S mniejszych od srednicy targetu urz adzenia do rozpylania magnetronowego. W srodko- wej cz esci uchwyt posiada pionowe otwarte z trzech stron wn eki, przy czym szeroko sc tych wn ek jest w przybli zeniu równa trzykrotnej grubo sci umieszczanych w nich linijek laserowych. Przedstawiony na rysunku uchwyt jest przeznaczony do pozycjonowania w komorze technolo- gicznej urz adzenia do rozpylania magnetronowego, linijek laserów pó lprzewodnikowych o d lugo sci rezonatora do 2 mm. Uchwyt ten wykonany jest z teflonu i ma posta c prostopad lo scianu. D lugo sc uchwytu L jest mniejsza o oko lo 60 mm od srednicy (szeroko sci) targetu, z którego proces osadzania zwierciade l jest prowadzony. Natomiast szeroko sc uchwytu S jest równie z mniejsza od srednicy targetu i w przybli ze- niu jest równa d lugo sci linijek laserowych. Wysoko sc uchwytu H jest mniej istotna i dobierana jest w zale zno sci od indywidualnej konstrukcji stosowanego urz adzenia do rozpylania magnetronowego. Wskazanym jest aby podczas procesu osadzania górna powierzchnia uchwytu znajdowa la si e w takiej odleg lo sci od targetu aby proces osadzania warstw dielektrycznych przebiega l prawid lowo. Uchwyt w czesci srodkowej posiada pionowe otwarte z trzech stron wn eki, w których umieszcza si e linijki lase- rowe. Najlepsze pokrycia dielektryczne uzyskuje si e kiedy powierzchnia linijki laserowej, na której ma by c osadzona warstwa dielektryczna znajduje si e u góry i pokrywa si e z górn a powierzchni a uchwytu wyznaczon a przez otwarte wn eki. Ze wzgl edu na du zy re zim technologiczny szeroko sc wn ek musi by c odpowiednia. W proponowanym rozwi azaniu szerokosc ta jest trzykrotnie wi eksza ni z grubo sci linijek laserowych (czyli powierzchnia, na której osadzamy warstw e dielektryczn a). Taka konstrukcja uchwytu znacznie zwi eksza wydajno sc procesu i zapewnia odpowiedni a jakosc pokry c dielektrycznych. PL PL

Claims (1)

1. Zastrze zenie ochronne Uchwyt dla osadzania pokry c dielektrycznych w laserach pó lprzewodnikowych, za pomoc a urz adzenia do rozpylania magnetronowego, znamienny tym, ze ma posta c prostopad lo scianu, które- go d lugosc L i szeroko sc S s a mniejsze od srednicy targetu urz adzenia do rozpylania magnetronowe- go, i który w srodkowej cz esci posiada pionowe otwarte z trzech stron wn eki, przy czym szerokosc tych wn ek jest w przybli zeniu równa trzykrotnej grubo sci umieszczanych w nich linijek laserowych.PL 65 962 Y1 3 RysunekPL 65 962 Y1 4 Departament Wydawnictw UP RP PL PL