PL64794B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL64794B1
PL64794B1 PL136702A PL13670269A PL64794B1 PL 64794 B1 PL64794 B1 PL 64794B1 PL 136702 A PL136702 A PL 136702A PL 13670269 A PL13670269 A PL 13670269A PL 64794 B1 PL64794 B1 PL 64794B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
electrode
semiconductor material
plate
base
cassette
Prior art date
Application number
PL136702A
Other languages
English (en)
Inventor
Matyskiel Tadeusz
Mendryk Elzbieta
JózefRostkowski
Wosinski Kazimierz
Original Assignee
Fabryka Pólprzewodników „Tewa" Warszawa
Filing date
Publication date
Application filed by Fabryka Pólprzewodników „Tewa" Warszawa filed Critical Fabryka Pólprzewodników „Tewa" Warszawa
Publication of PL64794B1 publication Critical patent/PL64794B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 29. II. 1972 KI. 21 g, 11/02 MKP H 01 1, 7/68 IIBLIOTEKA Wspóltwórcy wynalazku: Tadeusz Matyskiel, Elzbieta Mendryk, Józef Rostkowski, Kazimierz Wosinski Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „TEWA" Warszawa (Polska) Kaseta do wytwarzania tranzystorów stopowych Przedmiotem wynalazku jest kaseta do wytwa¬ rzania tranzystorów stopowych umozliwiajaca lu¬ towanie materialu pólprzewodnikowego do pla¬ skiej elektrody bazy o dowolnym ksztalcie, równo¬ czesnie z wykonaniem przynajmniej jednego z przejsc p—n tranzystora. Tego typu proces na¬ zywany bedzie w dalszej czesci opisu, procesem jednoczesnego zgrzewania.W technice pólprzewodnikowej proces jednoczes¬ nego zgrzewania dotychczas wykonywany byl je¬ dynie dla dwóch typów elektrod bazy. W pierwszym przypadku byla to elektroda bazy o ksztalcie ko¬ lowym, przy czym charakterystyczny jest fakt, ze najwieksze wymiary plytki pólprzewodnikowej, sa w przyblizeniu równe srednicy elektrody bazy.W drugim przypadku byla to elektroda bazy o do¬ wolnym ksztalcie z wykonanym wtloczeniem w formie gniazda na material pólprzewodni¬ kowy.W typowych rozwiazaniach konstrukcyjnych ka¬ set, dla tego typu elektrod bazy, umiejscowienie materialu pólprzewodnikowego wzgledem innych elementów, jest zwiazane z plytka kasety, która równoczesnie umiejscawia elektrode bazy. Koniecz¬ nosc spelnienia obu tych funkcji przez jedna plyt¬ ke kasety, uniemozliwia stosowanie w procesie je¬ dnoczesnego zgrzewania plaskich elektrod bazy, o powierzchniach duzo wiekszych od powierzchni materialu pólprzewodnikowego. W takich przypad¬ lo 15 20 25 kach stosowano zgrzewanie wielostopniowe i naj¬ czesciej najpierw wykonywano oba przejscia p—n tranzystora, a nastepnie lutowano tak otrzymane zlacze do elektrody bazy przy uzyciu odpowiednie¬ go stopu lutowniczego.Celem wynalazku jest opracowanie konstrukcji kaset umozliwiajacych wykonanie w procesie jed¬ noczesnego zgrzewania zlacz tranzystorowych z ele¬ ktroda bazy o dowolnym ksztalcie, a w szczegól¬ nosci z elektrodami bazy plaskimi o duzych po¬ wierzchniach, czesto stosowanych w konstrukcjach tranzystorów sredniej mocy. Zadaniem technicznym do rozwiazania jest znalezienie sposobu umiejsca¬ wiania w kasecie niezaleznie i równoczesnie, ma¬ terialu pólprzewodnikowego i elektrody bazy.Cel ten zostal osiagniety przez wprowadzenie do konstrukcji niezaleznego elementu w postaci plyt¬ ki dodatkowej zwanej w dalszej czesci opisu plytka srodkowa, której gniazda zapewniaja zlokalizowa¬ nie materialu pólprzewodnikowego, w zadanym po¬ lozeniu, w stosunku do pozostalych elementów, a w szczególnosci w stosunku do elektrody bazy.W konstrukcji kaset wedlug wynalazku rozdzielono funkcje umiejscowienia materialu pólprzewodni¬ kowego i umiejscowienia elektrody bazy na dwa elementy konstrukcyjne, przez co mozliwe jest jednoczesne zgrzewanie z zastosowaniem elektrod bazy plaskich o dowolnych 'ksztaltach.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy- 6479464794 3 kladach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia fragment kasety w przekroju wedlug pierwszej wersji, a fig. 2 wedlug drugiej wersji wykonania. Na fig. 1 dolna plytka 1 sluzy do umiejscowienia elektrody bazy 4 i emiterowej elektrody 5, srodkowa plytka 2 ma za zadanie umiej¬ scowienie materialu pólprzewodnikowego 6, nato¬ miast górna plytka 3 sluzy do umiejscowienia kole¬ ktorowej elektrody 7.Na fig. 2 dolna -plytka 1 sluzy do umiejscowienia elektrody bazy 4 i posiada otwór do umiejscowie¬ nia emiterowego korka 8, natomiast plytka 2 sluzy do umiejscowienia materialu pólprzewodnikowego 6 oraz posiada otwór do umieszczenia kolektoro¬ wego korka 9, który sluzy do umiejscowienia ko¬ lektorowej elektrody 7. 10 15 PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Kaseta do wytwarzania tranzystorów stopo¬ wych z równoczesnym lutowaniem elektrody bazy do materialu pólprzewodnikowego przy wytwarza¬ niu przynajmniej jednego przejscia p—n, w której plytka dolna sluzy do -usytuowania elektrody bazy i elektrody emitera lub kolektora, a plytka górna sluzy do umiejscowienia elektrody kolektora lub emitera, znamienna tym, ze pomiedzy wymienio¬ nymi plytkami jest umieszczona plytka srodkowa (2) bazujaca material pólprzewodnikowy (6) w za¬ danym polozeniu wzgledem elektrody emitera (5), elektrody kolektora (7) oraz elektrody bazy ^4). 2. Kaseta wedlug zastrz. 1 znamienna tym, ze plytka srodkowa (2) posiada wywiiair grubosci wiek¬ szy od wymiaru grubosci materialu pólprzewodni¬ kowego (6). «9
2. Cena zl 10.— KZG 1, zam. 466/71 — 200 PL PL
PL136702A 1969-11-05 PL64794B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL64794B1 true PL64794B1 (pl) 1971-12-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3281628A (en) Automated semiconductor device method and structure
JPS5240975A (en) Lead wire frame for semiconductor device
US3103599A (en) Integrated semiconductor representing
US3893158A (en) Lead frame for the manufacture of electric devices having semiconductor chips placed in a face to face relation
US2939205A (en) Semi-conductor devices
US3235937A (en) Low cost transistor
ES402464A1 (es) Perfeccionamientos introducidos en marcos conductores para dispositivos semiconductores.
PL64794B1 (pl)
DE102017129563B4 (de) Halbleiterbauelemente mit freiliegenden entgegengesetzten chip-pads und herstellungverfahren dafür
US3736367A (en) Lead frames and method of making same
US4912546A (en) Lead frame and method of fabricating a semiconductor device
US3204327A (en) Method for making semiconductor devices employing a hollow, slotted cylindrical jig and vertical mounting posts
US3159775A (en) Semiconductor device and method of manufacture
US3210617A (en) High gain transistor comprising direct connection between base and emitter electrodes
US3155936A (en) Transistor device with self-jigging construction
US3602985A (en) Method of producing semiconductor devices
US3564352A (en) Strip design for a low cost plastic transistor
US3073006A (en) Method and apparatus for the fabrication of alloyed transistors
GB1010698A (en) Soldering connecting wires to semiconductor bodies
US3691629A (en) Method for producing semiconductor rectifier arrangements
US2959718A (en) Rectifier assembly
CN100521272C (zh) 热电模块
GB1075414A (en) Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices
US3173069A (en) High gain transistor
US3030693A (en) Method of producing transistor devices