PL64794B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL64794B1 PL64794B1 PL136702A PL13670269A PL64794B1 PL 64794 B1 PL64794 B1 PL 64794B1 PL 136702 A PL136702 A PL 136702A PL 13670269 A PL13670269 A PL 13670269A PL 64794 B1 PL64794 B1 PL 64794B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor material
- plate
- base
- cassette
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 29. II. 1972 KI. 21 g, 11/02 MKP H 01 1, 7/68 IIBLIOTEKA Wspóltwórcy wynalazku: Tadeusz Matyskiel, Elzbieta Mendryk, Józef Rostkowski, Kazimierz Wosinski Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „TEWA" Warszawa (Polska) Kaseta do wytwarzania tranzystorów stopowych Przedmiotem wynalazku jest kaseta do wytwa¬ rzania tranzystorów stopowych umozliwiajaca lu¬ towanie materialu pólprzewodnikowego do pla¬ skiej elektrody bazy o dowolnym ksztalcie, równo¬ czesnie z wykonaniem przynajmniej jednego z przejsc p—n tranzystora. Tego typu proces na¬ zywany bedzie w dalszej czesci opisu, procesem jednoczesnego zgrzewania.W technice pólprzewodnikowej proces jednoczes¬ nego zgrzewania dotychczas wykonywany byl je¬ dynie dla dwóch typów elektrod bazy. W pierwszym przypadku byla to elektroda bazy o ksztalcie ko¬ lowym, przy czym charakterystyczny jest fakt, ze najwieksze wymiary plytki pólprzewodnikowej, sa w przyblizeniu równe srednicy elektrody bazy.W drugim przypadku byla to elektroda bazy o do¬ wolnym ksztalcie z wykonanym wtloczeniem w formie gniazda na material pólprzewodni¬ kowy.W typowych rozwiazaniach konstrukcyjnych ka¬ set, dla tego typu elektrod bazy, umiejscowienie materialu pólprzewodnikowego wzgledem innych elementów, jest zwiazane z plytka kasety, która równoczesnie umiejscawia elektrode bazy. Koniecz¬ nosc spelnienia obu tych funkcji przez jedna plyt¬ ke kasety, uniemozliwia stosowanie w procesie je¬ dnoczesnego zgrzewania plaskich elektrod bazy, o powierzchniach duzo wiekszych od powierzchni materialu pólprzewodnikowego. W takich przypad¬ lo 15 20 25 kach stosowano zgrzewanie wielostopniowe i naj¬ czesciej najpierw wykonywano oba przejscia p—n tranzystora, a nastepnie lutowano tak otrzymane zlacze do elektrody bazy przy uzyciu odpowiednie¬ go stopu lutowniczego.Celem wynalazku jest opracowanie konstrukcji kaset umozliwiajacych wykonanie w procesie jed¬ noczesnego zgrzewania zlacz tranzystorowych z ele¬ ktroda bazy o dowolnym ksztalcie, a w szczegól¬ nosci z elektrodami bazy plaskimi o duzych po¬ wierzchniach, czesto stosowanych w konstrukcjach tranzystorów sredniej mocy. Zadaniem technicznym do rozwiazania jest znalezienie sposobu umiejsca¬ wiania w kasecie niezaleznie i równoczesnie, ma¬ terialu pólprzewodnikowego i elektrody bazy.Cel ten zostal osiagniety przez wprowadzenie do konstrukcji niezaleznego elementu w postaci plyt¬ ki dodatkowej zwanej w dalszej czesci opisu plytka srodkowa, której gniazda zapewniaja zlokalizowa¬ nie materialu pólprzewodnikowego, w zadanym po¬ lozeniu, w stosunku do pozostalych elementów, a w szczególnosci w stosunku do elektrody bazy.W konstrukcji kaset wedlug wynalazku rozdzielono funkcje umiejscowienia materialu pólprzewodni¬ kowego i umiejscowienia elektrody bazy na dwa elementy konstrukcyjne, przez co mozliwe jest jednoczesne zgrzewanie z zastosowaniem elektrod bazy plaskich o dowolnych 'ksztaltach.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy- 6479464794 3 kladach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia fragment kasety w przekroju wedlug pierwszej wersji, a fig. 2 wedlug drugiej wersji wykonania. Na fig. 1 dolna plytka 1 sluzy do umiejscowienia elektrody bazy 4 i emiterowej elektrody 5, srodkowa plytka 2 ma za zadanie umiej¬ scowienie materialu pólprzewodnikowego 6, nato¬ miast górna plytka 3 sluzy do umiejscowienia kole¬ ktorowej elektrody 7.Na fig. 2 dolna -plytka 1 sluzy do umiejscowienia elektrody bazy 4 i posiada otwór do umiejscowie¬ nia emiterowego korka 8, natomiast plytka 2 sluzy do umiejscowienia materialu pólprzewodnikowego 6 oraz posiada otwór do umieszczenia kolektoro¬ wego korka 9, który sluzy do umiejscowienia ko¬ lektorowej elektrody 7. 10 15 PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Kaseta do wytwarzania tranzystorów stopo¬ wych z równoczesnym lutowaniem elektrody bazy do materialu pólprzewodnikowego przy wytwarza¬ niu przynajmniej jednego przejscia p—n, w której plytka dolna sluzy do -usytuowania elektrody bazy i elektrody emitera lub kolektora, a plytka górna sluzy do umiejscowienia elektrody kolektora lub emitera, znamienna tym, ze pomiedzy wymienio¬ nymi plytkami jest umieszczona plytka srodkowa (2) bazujaca material pólprzewodnikowy (6) w za¬ danym polozeniu wzgledem elektrody emitera (5), elektrody kolektora (7) oraz elektrody bazy ^4). 2. Kaseta wedlug zastrz. 1 znamienna tym, ze plytka srodkowa (2) posiada wywiiair grubosci wiek¬ szy od wymiaru grubosci materialu pólprzewodni¬ kowego (6). «9
2. Cena zl 10.— KZG 1, zam. 466/71 — 200 PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL64794B1 true PL64794B1 (pl) | 1971-12-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3281628A (en) | Automated semiconductor device method and structure | |
| JPS5240975A (en) | Lead wire frame for semiconductor device | |
| US3103599A (en) | Integrated semiconductor representing | |
| US3893158A (en) | Lead frame for the manufacture of electric devices having semiconductor chips placed in a face to face relation | |
| US2939205A (en) | Semi-conductor devices | |
| US3235937A (en) | Low cost transistor | |
| ES402464A1 (es) | Perfeccionamientos introducidos en marcos conductores para dispositivos semiconductores. | |
| PL64794B1 (pl) | ||
| DE102017129563B4 (de) | Halbleiterbauelemente mit freiliegenden entgegengesetzten chip-pads und herstellungverfahren dafür | |
| US3736367A (en) | Lead frames and method of making same | |
| US4912546A (en) | Lead frame and method of fabricating a semiconductor device | |
| US3204327A (en) | Method for making semiconductor devices employing a hollow, slotted cylindrical jig and vertical mounting posts | |
| US3159775A (en) | Semiconductor device and method of manufacture | |
| US3210617A (en) | High gain transistor comprising direct connection between base and emitter electrodes | |
| US3155936A (en) | Transistor device with self-jigging construction | |
| US3602985A (en) | Method of producing semiconductor devices | |
| US3564352A (en) | Strip design for a low cost plastic transistor | |
| US3073006A (en) | Method and apparatus for the fabrication of alloyed transistors | |
| GB1010698A (en) | Soldering connecting wires to semiconductor bodies | |
| US3691629A (en) | Method for producing semiconductor rectifier arrangements | |
| US2959718A (en) | Rectifier assembly | |
| CN100521272C (zh) | 热电模块 | |
| GB1075414A (en) | Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices | |
| US3173069A (en) | High gain transistor | |
| US3030693A (en) | Method of producing transistor devices |