PL64665B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL64665B1 PL64665B1 PL126438A PL12643868A PL64665B1 PL 64665 B1 PL64665 B1 PL 64665B1 PL 126438 A PL126438 A PL 126438A PL 12643868 A PL12643868 A PL 12643868A PL 64665 B1 PL64665 B1 PL 64665B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- crystal
- plane
- axis
- wedge ring
- crystallographic
- Prior art date
Links
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 13.IV.1968 (P 126 438) 15.Y.1972 64665 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,7/68 Twórca wynalazku: Stanislaw Sikorski Wlasciciel patentu: Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa (Polska) Przyrzad manipulacyjny urzadzenia do orientowania krysztalów Przedmiotem wynalazku jest przyrzad manipulacyjny urzadzenia do orientowania krysztalów. Przyrzad umo¬ zliwia ustawienie osi krystalograficznych krysztalu w pewnym zakresie katów, dowolnie w stosunku do wiaz¬ ki padajacych promieni. Przyrzad znajduje szczególnie korzystne zastosowanie przy badaniach krysztalu meto¬ dami rentgenowskimi.Znane rentgenowskie urzadzenia .do wyznaczania okreslonych plaszczyzn krystalograficznych wyposazone sa w obrotowy stolik, na którym znajduje sie przyrzad sluzacy do zamocowania krysztalu i manipulowania tym krysztalem. Przyrzad ten sklada sie z jarzma, do pod¬ stawy którego umocowana jest przyslona, jarzmo zas osadzone jest obrotowo w pierscieniu przymocowanym prostopadle do plaszczyzny stolika. Badana powierzch¬ nie krysztalu dociska sie do przyslony, po czym krysztal unieruchamia jarzmem. W opisanej konstrukcji srodek badanej powierzchni krysztalu lezy w osi obrotu obro¬ towego stolika, a ponadto krysztal ma mozliwosc obro¬ tu wokól swej osi glównej.Wymienione znane urzadzenie pozwala na okreslenie w jednostkach katowych, o ile plaszczyzna krysztalu od¬ biega od wyznaczonej plaszczyzny krystalograficznej, jak tez okreslenie kata obrotu Jcrysztalu wokól osi glównej, przy którym odchylenie plaszczyzny krysztalu jest maksymalne. Wyniki te, zwykle w postaci naryso¬ wanych na krysztale dwóch wspólrzednych sluza do ko¬ rygowania badanej plaszczyzny. Korygowanie prowadzi sie droga szlifowania lub ciecia krysztalu wedlug wska¬ zan z pomiarów, po czym krysztal powtórnie mocuje sie 10 15 20 25 30 w urzadzeniu i znów sprawdza prawidlowosc wykona¬ nej obróbki. Proces ten konczy sie z chwila stwierdze¬ nia, ze kierunek otrzymanej plaszczyzny jest zgodny z zadanym, w ramach wymaganej dokladnosci.Wada znanego urzadzenia jest przede wszystkim du¬ za pracochlonnosc wykonywania pomiarów, jak tez wy¬ nikajaca z tego pracochlonnosc calego procesu techno¬ logicznego zmierzajacego do zorientowania plaszczyzny krysztalu wedlug wybranej plaszczyzny krystalograficz¬ nej. Wada ta wynika z faktu, iz znane urzadzenie po¬ zwala jedynie na pomiar katów odchylenia plaszczyzny, sama zas obróbka krysztalu przebiega w" zasadzie bez biezacej kontroli, droga kolejnych przyblizen.Celem wynalazku jest usprawnienie znanego rentge¬ nowskiego urzadzenia do wyznaczania plaszczyzn kry¬ stalograficznych w kierunku zarówno zmniejszenia pra¬ cochlonnosci pomiarów, jak tez szczególnie w kierunku jednoznacznego wyznaczania w krysztale plaszczyzny ciecia lub szlifowania.Cel ten osiagniety zostal w przyrzadzie manipulacyj¬ nym bedacym przedmiotem niniejszego wynalazku, zgodnie z którym przyrzad manipulacyjny sklada sie z dwóch pierscieni klinowych o jednakowym kacie zbiez¬ nosci z których pierscien klinowy zewnetrzny jest osa¬ dzony obrotowo w podstawie a pierscien klinowy wew¬ netrzny osadzony jest obrotowo i mimosrodowo w pier¬ scieniu klinowym zewnetrznym zas w pierscieniu klino¬ wym wewnetrznym osadzony jest takze obrotowo i mi¬ mosrodowo stolik, do którego przymocowany jest roz¬ lacznie uchwyt krysztalu. 64665 \3 64665 4 Korzyscia techniczna ze stosowania wynalazku jest wieksza dokladnosc wyznaczania plaszczyzny krystalo¬ graficznej, mniejsza pracochlonnosc pomiarów oraz mozliwosc bezposredniego i jednoznacznego wyznacze¬ nia plaszczyzny ciecia krysztalu zgodnej z plaszczyzna krystalograficzna.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedsta¬ wia w przekroju podluznym przyrzad manipulacyjny z uchwytem krysztalu, natomiast fig. 2 i fig. 3 przedsta¬ wiaja schematycznie ten sam przyrzad w dwóch skraj¬ nych pozycjach przemieszczenia wzgledem siebie osi pierscieni klinowych, które to przemieszczenie nastepuje podczas czynnosci orientowania krysztalu. f * Przyrzad manipulacyjny wedlug wynalazku sklada sie £podstawy 1, ' dwoch pierscieni klinowych 2 i 3 oraz stolika 4 z zamocowanyiy do tego stolika uchwytem 5 krysztalu. Pierscienic klinowe 2 i 3, o jednakowych ka- t$ch w, sa osadzone mimosrodowo wzgledem siebie i maja mozliwosc obracania sie wokól wlasnych osi. Pod¬ stawa pierscienia klinowego wewnetrznego 3, osadzone¬ go w gniezdzie utworzonym w pierscieniu klinowym zewnetrznym 2, jest oprócz tego pod pewnym katem do plaszczyzny podstawy pierscienia klinowego zew¬ netrznego 2. W pierscieniu klinowym wewnetrznym 3 osadzony jest z kolei, obrotowo i mimosrodowo w sto¬ sunku do osi pierscienia klinowego 3, stolik 4. Do sto¬ lika 4 zamocowany jest rozlacznie uchwyt 5 krysztalu 6.Uchwyt 5 wyposazony jest w trzy sruby 7 równolegle do osi glównej krysztalu 6 i rozmieszczone co 120°.W podstawie 1 pierscien klinowy zewnetrzny 2 obra¬ ca sie wokól osi A. W plaszczyznie skosnej gniazda wy¬ konanego w pierscieniu klinowym zewnetrznym 2 obra¬ ca sie wokól osi B pierscien klinowy wewnetrzny 3.Os B jest przesunieta w stosunku do osi A o wiel¬ kosc m. Z kolei stolik 4 ma równiez mozliwosc obrotu wokól osi C przesunietej w stosunku do osi B o wiel¬ kosc p. Wielkosci m i p sa tak dobrane, aby przy ka¬ cie w pochylenia plaszczyzn pierscieni klinowych 2 i 3 osie A, B i C przecinaly sie w jednym punkcie, na od¬ leglosci d od plaszczyzny stolika 4.- Przez wzajemne obracanie pierscienia klinowego zewnetrznego 2 wzgle¬ dem podstawy 1 oraz pierscienia klinowego wewnetrz¬ nego 3 wzgledem pierscienia klinowego zewnetrznego 2, os C stolika 4 moze byc umieszczona w dowolnym miej¬ scu kata brylowego 2to majacego wierzcholek w punk¬ cie S. Celem przeprowadzenia orientacji krysztalu 6, zaciska sie krysztal w uchwycie 5 tak, aby podlegajaca obróbce powierzchnia przechodzila przez punkt S. Obra¬ cajac nastepnie pierscieniami klinowymi 2 i 3 dopro¬ wadza sie wybrana plaszczyzne krystalograficzna k do prostopadlosci z osia obrotu A.Okreslanie polozenia, w którym plaszczyzna krystalo¬ graficzna k jest prostopadla do osi obrotu A prowadzi sie na znanym urzadzeniu rentgenowskim. Wiazka pro¬ mieni X pada na krysztal 6 w punkcie S, odbija sie od plaszczyzn krystalograficznych i biegnie w kierunku de¬ tektora D. Detektor D umieszczony jest na przewidy¬ wanej teoretycznie drodze wiazki odbitych promieni X przy zalozeniu, ze os krystalograficzna krysztalu 6 jest prostopadla do osi obrotu A. Obracajac teraz pierscie¬ niami klinowymi 2 i 3 i obserwujac wskazania detek¬ tora D znajduje sie takie polozenie krysztalu 6, w któ¬ rym przy obrocie przyrzadu manipulacyjnego wokól osi A detektor D wskazuje stala wartosc. Swiadczy to o uzyskaniu prostopadlosci osi obrotu A do szukanej pla¬ szczyzny krystalograficznej k. W czasie orientacji przy¬ rzad manipulacyjny moze byc ponadto obracany, wzgle¬ dem punktu S, na obrotowym stole urzadzenia rentge¬ nowskiego. Umozliwia to ustawienie kata 0 przy któ¬ rym wystepuje odblysk braggowski.Po wyznaczeniu zadanej plaszczyzny krystalograficz¬ nej nalezy okreslic na ile rzeczywista plaszczyzna ob¬ róbki odbiega od wyznaczonej plaszczyzny. W tym ce¬ lu na konce srub 7 naklada sie zwierciadlo 8 (fig. 1) i obserwujac przez lunete autokolimacyjna odbicie jej krzyza pokreca sie srubami 7 tak, aby obraz odbitego od zwierciadla 8 krzyza poprzez caly obrót urzadzenia wokól osi A pozostawal nieruchomy. Po spelnieniu tego warunku konce srub 7 beda wyznaczaly plaszczyzne równolegla do wyznaczonej plaszczyzny krystalograficz¬ nej k. Zdejmuje sie wówczas ze stolika 4 uchwyt 5 z krysztalem 6 i przenosi go na urzadzenie do ciecia lub szlifowania krysztalu. Powierzchnie krysztalu 6 poddaje sie obróbce dotad, az zrówna sie z plaszczyzna wyzna¬ czona koncami srub 7. PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Przyrzad manipulacyjny urzadzenia do orientowania krysztalów znamienny tym, ze sklada sie z dwóch pier¬ scieni klinowych (2 i 3) o jednakowym kacie zbieznosci (w) z których pierscien klinowy zewnetrzny (2) jest osa¬ dzony obrotowo w podstawie (1) a pierscien klinowy wewnetrzny (3) obrotowo i mimosrodowo w pierscieniu klinowym zewnetrznym (2), zas w pierscieniu klinowym wewnetrznym (3) osadzony jest takze obrotowo i mimo¬ srodowo stolik (4) do którego przymocowany jest roz¬ lacznie uchwyt (5) krysztalu (6). 10 15 20 25 30 35 40 45KI. 21 g, 11/02 64665 MKP H 011, 7/68 Fig. 1 Fig.3 PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL64665B1 true PL64665B1 (pl) | 1971-12-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2015227816A (ja) | 多関節アーム形測定機 | |
| EP3425378A1 (en) | X-ray diffraction device and method to measure stress with 2d detector and single sample tilt | |
| Hart | A complete determination of dislocation Burgers vectors by x-ray interferometry | |
| PL64665B1 (pl) | ||
| JPWO2007052688A1 (ja) | 微結晶粒の方位分布測定方法及びその装置 | |
| US1341435A (en) | Bevel-square for shipbuilding | |
| JP4226973B2 (ja) | 結晶試料保持装置を備えたx線結晶方位測定装置 | |
| JP2004354229A (ja) | 逆格子マップの測定範囲の設定方法 | |
| Zolotoyabko | Fast quantitative analysis of strong uniaxial texture using a March–Dollase approach | |
| Alcock | Crystal measurements for absorption correction | |
| JPH05288616A (ja) | X線残留応力測定方法 | |
| US3384748A (en) | Goniometric supports for supporting crystal during crystal analysis and subsequent cutting | |
| JP4909154B2 (ja) | 結晶粒の極点図測定方法およびその装置 | |
| CN210689547U (zh) | 一种手术角度测量仪 | |
| US3504178A (en) | Method for determining crystall-ographic orientation | |
| Takahasi et al. | An additional axis for the surface X-ray diffractometer | |
| US6411676B1 (en) | Method for determining parameters of a unit cell of a crystal structure using diffraction | |
| JPH0654265B2 (ja) | 2軸揺動x線応力測定装置 | |
| Adam | Magnetic field observations for the sunspot CMP 1966 September 19 | |
| JPH05312736A (ja) | X線単結晶方位測定装置及び測定方法 | |
| RU2085917C1 (ru) | Дифрактометрический способ определения ориентации кристаллографических осей в крупном монокристалле известной структуры | |
| SU1312459A1 (ru) | Устройство дл рентгенографического исследовани кристаллических веществ | |
| Stowell | Internal strains in kink bands in silver chloride crystals | |
| JPS62228152A (ja) | X線回析装置及びその使用方法 | |
| JPH0358058B2 (pl) |