PL64665B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL64665B1
PL64665B1 PL126438A PL12643868A PL64665B1 PL 64665 B1 PL64665 B1 PL 64665B1 PL 126438 A PL126438 A PL 126438A PL 12643868 A PL12643868 A PL 12643868A PL 64665 B1 PL64665 B1 PL 64665B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
crystal
plane
axis
wedge ring
crystallographic
Prior art date
Application number
PL126438A
Other languages
English (en)
Inventor
Sikorski Stanislaw
Original Assignee
Instytut Technologii Elektronowej
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii Elektronowej filed Critical Instytut Technologii Elektronowej
Publication of PL64665B1 publication Critical patent/PL64665B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 13.IV.1968 (P 126 438) 15.Y.1972 64665 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,7/68 Twórca wynalazku: Stanislaw Sikorski Wlasciciel patentu: Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa (Polska) Przyrzad manipulacyjny urzadzenia do orientowania krysztalów Przedmiotem wynalazku jest przyrzad manipulacyjny urzadzenia do orientowania krysztalów. Przyrzad umo¬ zliwia ustawienie osi krystalograficznych krysztalu w pewnym zakresie katów, dowolnie w stosunku do wiaz¬ ki padajacych promieni. Przyrzad znajduje szczególnie korzystne zastosowanie przy badaniach krysztalu meto¬ dami rentgenowskimi.Znane rentgenowskie urzadzenia .do wyznaczania okreslonych plaszczyzn krystalograficznych wyposazone sa w obrotowy stolik, na którym znajduje sie przyrzad sluzacy do zamocowania krysztalu i manipulowania tym krysztalem. Przyrzad ten sklada sie z jarzma, do pod¬ stawy którego umocowana jest przyslona, jarzmo zas osadzone jest obrotowo w pierscieniu przymocowanym prostopadle do plaszczyzny stolika. Badana powierzch¬ nie krysztalu dociska sie do przyslony, po czym krysztal unieruchamia jarzmem. W opisanej konstrukcji srodek badanej powierzchni krysztalu lezy w osi obrotu obro¬ towego stolika, a ponadto krysztal ma mozliwosc obro¬ tu wokól swej osi glównej.Wymienione znane urzadzenie pozwala na okreslenie w jednostkach katowych, o ile plaszczyzna krysztalu od¬ biega od wyznaczonej plaszczyzny krystalograficznej, jak tez okreslenie kata obrotu Jcrysztalu wokól osi glównej, przy którym odchylenie plaszczyzny krysztalu jest maksymalne. Wyniki te, zwykle w postaci naryso¬ wanych na krysztale dwóch wspólrzednych sluza do ko¬ rygowania badanej plaszczyzny. Korygowanie prowadzi sie droga szlifowania lub ciecia krysztalu wedlug wska¬ zan z pomiarów, po czym krysztal powtórnie mocuje sie 10 15 20 25 30 w urzadzeniu i znów sprawdza prawidlowosc wykona¬ nej obróbki. Proces ten konczy sie z chwila stwierdze¬ nia, ze kierunek otrzymanej plaszczyzny jest zgodny z zadanym, w ramach wymaganej dokladnosci.Wada znanego urzadzenia jest przede wszystkim du¬ za pracochlonnosc wykonywania pomiarów, jak tez wy¬ nikajaca z tego pracochlonnosc calego procesu techno¬ logicznego zmierzajacego do zorientowania plaszczyzny krysztalu wedlug wybranej plaszczyzny krystalograficz¬ nej. Wada ta wynika z faktu, iz znane urzadzenie po¬ zwala jedynie na pomiar katów odchylenia plaszczyzny, sama zas obróbka krysztalu przebiega w" zasadzie bez biezacej kontroli, droga kolejnych przyblizen.Celem wynalazku jest usprawnienie znanego rentge¬ nowskiego urzadzenia do wyznaczania plaszczyzn kry¬ stalograficznych w kierunku zarówno zmniejszenia pra¬ cochlonnosci pomiarów, jak tez szczególnie w kierunku jednoznacznego wyznaczania w krysztale plaszczyzny ciecia lub szlifowania.Cel ten osiagniety zostal w przyrzadzie manipulacyj¬ nym bedacym przedmiotem niniejszego wynalazku, zgodnie z którym przyrzad manipulacyjny sklada sie z dwóch pierscieni klinowych o jednakowym kacie zbiez¬ nosci z których pierscien klinowy zewnetrzny jest osa¬ dzony obrotowo w podstawie a pierscien klinowy wew¬ netrzny osadzony jest obrotowo i mimosrodowo w pier¬ scieniu klinowym zewnetrznym zas w pierscieniu klino¬ wym wewnetrznym osadzony jest takze obrotowo i mi¬ mosrodowo stolik, do którego przymocowany jest roz¬ lacznie uchwyt krysztalu. 64665 \3 64665 4 Korzyscia techniczna ze stosowania wynalazku jest wieksza dokladnosc wyznaczania plaszczyzny krystalo¬ graficznej, mniejsza pracochlonnosc pomiarów oraz mozliwosc bezposredniego i jednoznacznego wyznacze¬ nia plaszczyzny ciecia krysztalu zgodnej z plaszczyzna krystalograficzna.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedsta¬ wia w przekroju podluznym przyrzad manipulacyjny z uchwytem krysztalu, natomiast fig. 2 i fig. 3 przedsta¬ wiaja schematycznie ten sam przyrzad w dwóch skraj¬ nych pozycjach przemieszczenia wzgledem siebie osi pierscieni klinowych, które to przemieszczenie nastepuje podczas czynnosci orientowania krysztalu. f * Przyrzad manipulacyjny wedlug wynalazku sklada sie £podstawy 1, ' dwoch pierscieni klinowych 2 i 3 oraz stolika 4 z zamocowanyiy do tego stolika uchwytem 5 krysztalu. Pierscienic klinowe 2 i 3, o jednakowych ka- t$ch w, sa osadzone mimosrodowo wzgledem siebie i maja mozliwosc obracania sie wokól wlasnych osi. Pod¬ stawa pierscienia klinowego wewnetrznego 3, osadzone¬ go w gniezdzie utworzonym w pierscieniu klinowym zewnetrznym 2, jest oprócz tego pod pewnym katem do plaszczyzny podstawy pierscienia klinowego zew¬ netrznego 2. W pierscieniu klinowym wewnetrznym 3 osadzony jest z kolei, obrotowo i mimosrodowo w sto¬ sunku do osi pierscienia klinowego 3, stolik 4. Do sto¬ lika 4 zamocowany jest rozlacznie uchwyt 5 krysztalu 6.Uchwyt 5 wyposazony jest w trzy sruby 7 równolegle do osi glównej krysztalu 6 i rozmieszczone co 120°.W podstawie 1 pierscien klinowy zewnetrzny 2 obra¬ ca sie wokól osi A. W plaszczyznie skosnej gniazda wy¬ konanego w pierscieniu klinowym zewnetrznym 2 obra¬ ca sie wokól osi B pierscien klinowy wewnetrzny 3.Os B jest przesunieta w stosunku do osi A o wiel¬ kosc m. Z kolei stolik 4 ma równiez mozliwosc obrotu wokól osi C przesunietej w stosunku do osi B o wiel¬ kosc p. Wielkosci m i p sa tak dobrane, aby przy ka¬ cie w pochylenia plaszczyzn pierscieni klinowych 2 i 3 osie A, B i C przecinaly sie w jednym punkcie, na od¬ leglosci d od plaszczyzny stolika 4.- Przez wzajemne obracanie pierscienia klinowego zewnetrznego 2 wzgle¬ dem podstawy 1 oraz pierscienia klinowego wewnetrz¬ nego 3 wzgledem pierscienia klinowego zewnetrznego 2, os C stolika 4 moze byc umieszczona w dowolnym miej¬ scu kata brylowego 2to majacego wierzcholek w punk¬ cie S. Celem przeprowadzenia orientacji krysztalu 6, zaciska sie krysztal w uchwycie 5 tak, aby podlegajaca obróbce powierzchnia przechodzila przez punkt S. Obra¬ cajac nastepnie pierscieniami klinowymi 2 i 3 dopro¬ wadza sie wybrana plaszczyzne krystalograficzna k do prostopadlosci z osia obrotu A.Okreslanie polozenia, w którym plaszczyzna krystalo¬ graficzna k jest prostopadla do osi obrotu A prowadzi sie na znanym urzadzeniu rentgenowskim. Wiazka pro¬ mieni X pada na krysztal 6 w punkcie S, odbija sie od plaszczyzn krystalograficznych i biegnie w kierunku de¬ tektora D. Detektor D umieszczony jest na przewidy¬ wanej teoretycznie drodze wiazki odbitych promieni X przy zalozeniu, ze os krystalograficzna krysztalu 6 jest prostopadla do osi obrotu A. Obracajac teraz pierscie¬ niami klinowymi 2 i 3 i obserwujac wskazania detek¬ tora D znajduje sie takie polozenie krysztalu 6, w któ¬ rym przy obrocie przyrzadu manipulacyjnego wokól osi A detektor D wskazuje stala wartosc. Swiadczy to o uzyskaniu prostopadlosci osi obrotu A do szukanej pla¬ szczyzny krystalograficznej k. W czasie orientacji przy¬ rzad manipulacyjny moze byc ponadto obracany, wzgle¬ dem punktu S, na obrotowym stole urzadzenia rentge¬ nowskiego. Umozliwia to ustawienie kata 0 przy któ¬ rym wystepuje odblysk braggowski.Po wyznaczeniu zadanej plaszczyzny krystalograficz¬ nej nalezy okreslic na ile rzeczywista plaszczyzna ob¬ róbki odbiega od wyznaczonej plaszczyzny. W tym ce¬ lu na konce srub 7 naklada sie zwierciadlo 8 (fig. 1) i obserwujac przez lunete autokolimacyjna odbicie jej krzyza pokreca sie srubami 7 tak, aby obraz odbitego od zwierciadla 8 krzyza poprzez caly obrót urzadzenia wokól osi A pozostawal nieruchomy. Po spelnieniu tego warunku konce srub 7 beda wyznaczaly plaszczyzne równolegla do wyznaczonej plaszczyzny krystalograficz¬ nej k. Zdejmuje sie wówczas ze stolika 4 uchwyt 5 z krysztalem 6 i przenosi go na urzadzenie do ciecia lub szlifowania krysztalu. Powierzchnie krysztalu 6 poddaje sie obróbce dotad, az zrówna sie z plaszczyzna wyzna¬ czona koncami srub 7. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Przyrzad manipulacyjny urzadzenia do orientowania krysztalów znamienny tym, ze sklada sie z dwóch pier¬ scieni klinowych (2 i 3) o jednakowym kacie zbieznosci (w) z których pierscien klinowy zewnetrzny (2) jest osa¬ dzony obrotowo w podstawie (1) a pierscien klinowy wewnetrzny (3) obrotowo i mimosrodowo w pierscieniu klinowym zewnetrznym (2), zas w pierscieniu klinowym wewnetrznym (3) osadzony jest takze obrotowo i mimo¬ srodowo stolik (4) do którego przymocowany jest roz¬ lacznie uchwyt (5) krysztalu (6). 10 15 20 25 30 35 40 45KI. 21 g, 11/02 64665 MKP H 011, 7/68 Fig. 1 Fig.3 PL PL
PL126438A 1968-04-13 PL64665B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL64665B1 true PL64665B1 (pl) 1971-12-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015227816A (ja) 多関節アーム形測定機
EP3425378A1 (en) X-ray diffraction device and method to measure stress with 2d detector and single sample tilt
Hart A complete determination of dislocation Burgers vectors by x-ray interferometry
PL64665B1 (pl)
JPWO2007052688A1 (ja) 微結晶粒の方位分布測定方法及びその装置
US1341435A (en) Bevel-square for shipbuilding
JP4226973B2 (ja) 結晶試料保持装置を備えたx線結晶方位測定装置
JP2004354229A (ja) 逆格子マップの測定範囲の設定方法
Zolotoyabko Fast quantitative analysis of strong uniaxial texture using a March–Dollase approach
Alcock Crystal measurements for absorption correction
JPH05288616A (ja) X線残留応力測定方法
US3384748A (en) Goniometric supports for supporting crystal during crystal analysis and subsequent cutting
JP4909154B2 (ja) 結晶粒の極点図測定方法およびその装置
CN210689547U (zh) 一种手术角度测量仪
US3504178A (en) Method for determining crystall-ographic orientation
Takahasi et al. An additional axis for the surface X-ray diffractometer
US6411676B1 (en) Method for determining parameters of a unit cell of a crystal structure using diffraction
JPH0654265B2 (ja) 2軸揺動x線応力測定装置
Adam Magnetic field observations for the sunspot CMP 1966 September 19
JPH05312736A (ja) X線単結晶方位測定装置及び測定方法
RU2085917C1 (ru) Дифрактометрический способ определения ориентации кристаллографических осей в крупном монокристалле известной структуры
SU1312459A1 (ru) Устройство дл рентгенографического исследовани кристаллических веществ
Stowell Internal strains in kink bands in silver chloride crystals
JPS62228152A (ja) X線回析装置及びその使用方法
JPH0358058B2 (pl)