PL64486B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 27.1.1969 (P 131 418) 05.11.1968 Stany Zjednoczone Ameryki 29.11.1972 64486 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,19/00 |iihioteka[ T Tlt tt***u ^•^¦"•••••^ f Wlasciciel patentu: Western Electric Company, Incorporated, Nowy Jork (Stany Zjednoczone Ameryki) Sposób wytwarzania pólprzewodnikowych obwodów scalonych Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania pól¬ przewodnikowych obwodów scalonych polegajacy na tworzeniu w co najmniej jednej wybranej czesci po¬ wierzchni pólprzewodnikowego podloza o przewodnic¬ twie pierwszego rodzaju, pierwszego wzoru, zawieraja¬ cego co najmniej jeden obszar o przewodnictwie dru¬ giego rodzaju.W pólprzewodnikowych obwodach scalonych funkcje wielu czynnych i/lub biernych elementów elektronicz¬ nych takich jak tranzystory, diody, oporniki i kondensa¬ tory sa spelniane przez elementy wytworzone na po- wierzchni lub wewnatrz jednolitego korpusu z materialu pólprzewodnikowego.Podstawowym zagadnieniem w technice obwodów scalonych jest koniecznosc zapewnienia pewnego rodza¬ ju elektrycznej izolacji miedzy pewnymi funkcjonalny¬ mi elementami elektronicznymi.Posród wielu rozwiazan tego zagadnienia najszersze zastosowanie znajduje technika polegajaca na stosowa¬ niu miedzy izolowanymi elementami funkcjonalnymi obwodu pary diod zlaczowych polaczonych ze soba przeciwsobnie. Taka para diod jest tak umieszczona, ze co najmniej jedno ze zlaczy jest spolaryzowane w danej chwili zaporowo, tworzac duza inpedancje miedzy ele¬ mentami.Uklady takie zawieraja podloze typu p, która moze zawierac przykryte obszary typu n, wdyfundowane w po¬ wierzchnie podloza.Na calej powierzchni podloza utworzona jest warstwa epitaksjalna typu n, w która wdyfundowane sa obszary 10 15 20 25 30 izolacyjne typu p przechodzace poprzez warstwe epi¬ taksjalna siegajac az do podloza typu p. Takie obszary izolacyjne w polaczeniu z podlozem tworza wyspy ma-" terialu typu n calkowicie otoczone materialem typu p.Wyspy typu n sa zatem, w znacznym stopniu izolowane elektrycznie od siebie po przylozeniu napiecia robocze¬ go, przez to, ze ladunki elektryczne o dowolnym znaku, by przejsc z jednej wyspy typu n do drugiej, musza przejsc przez co najmniej jedno spolaryzowane zaporo¬ wo zlacze p-n.W zastosowaniach, w których niezbedne jest stworze¬ nie w wyspie typu n tranzystora majacego minimalna szeregowa opornosc kolektora, nastepnym etapem jest utworzenie w tej wyspie waskiego obszaru typu n o du¬ zej zawartosci domieszek który przenika calkowicie warstwe epitaksjalna od jej powierzchni do przykrytego obszaru typu n znajdujacego sie ponizej. Takie obszary typu n o duzej ilosci domieszek zwane w niniejszym opisie „obszarami glebokiego styku", zmniejszaja o- pornosc jaka napotykaja nosniki ladunku- na drodze miedzy pokrytym obszarem typu n i stykiem elektrycz¬ nym na powierzchni warstwy epitaksjalnej.Nastepnie tworzone sa selektywnie, na drodze dyfuzji, z zastosowaniem techniki fotolitografii i maskowania tlenkami dodatkowe obszary funkcjonalne jak obszary baz, obszary emiterów i obszary oporników. Styki elek¬ tryczne i polaczenia wewnetrzne sa tworzone zgodnie z wymaganiami.Poniewaz w technice obwodów scalonych istnieje ten¬ dencja stale zmierzajaca do zwiekszania liczby elemen* 644863 64486 4 tów funkcjonalnych ukladu, nalezy jednoczesnie prowa¬ dzic badania na polu wydajnosci produkcyjnej, aby spelnic ekonomiczne wymagania wykonalnosci takich obwodów. Jest powszechnie wiadome, ze wydajnosc jest bardzo zalezna od powierzchni elementów przy czym przy jednakowych pozostalych czynnikach, wydajnosc dla mniejszych obwodów jest wieksza niz dla obwodów wiekszych.Celem wynalazku jest opracowanie takiego sposobu tworzenia pólprzewodnikowego obwodu scalonego, któ¬ ry zapewnia zwiekszenie wydajnosci produkcyjnej.Zadanie to zostalo rozwiazane zgodnie z wynalazkiem w ten sposób, ze na co najmniej czesci powierzchni pod¬ nóza osadza sie warstwe epitaksjalna materialu pólprze¬ wodnikowego o przewodnictwie pierwszego rodzaju a nastepnie w warstwie epitaksjalnej formuje sie drugi wzór zawierajacy co najmniej jeden obszar glebokiego styku o przewodnictwie drugiego rodzaju, przy czym przynajmniej jeden obszar glebokiego styku obejmuje cale obrzeze co najmniej jednego obszaru pierwszego wzoru utworzonego uprzednio w pólprzewodnikowym podlozu.Zaletami powyzszego rozwiazania sa, eliminacja pew¬ nej liczby operacji technologicznych niezbednych do wy¬ konania obwodu o izolacji zlaczowej, znaczne zmniejsze¬ nie powierzchni zajmowanej w obwodzie scalonym przez pojedynczy element funkcjonalny oraz umozliwienie wy¬ konania tranzystorów o wiekszej wartosci wzmocnienia pradowego niz to jest zazwyczaj osiagalne stosowaniem znanych sposobów.Wynalazek jest dokladniej wyjasniony w przykladzie na rysunku na' którym fig. 1 przedstawia czesc plytki pólprzewodnikowego obwodu scalonego zawierajacego opornik i tranzystor w widoku z góry, fig. 2 — 7 przed¬ stawiaja wymieniona czesc plytki obwodu scalonego po kolejnych operacjach technologicznych tworzenia obwo¬ du scalonego, w przekroju poprzecznym wzdluz linii 7 —7 z fig. 1.Wykonany sposobem wedlug wynalazku zlaczowo izo¬ lowany pólprzewodnikowy obwód scalony zawiera pod¬ loze o przewodnictwie pierwszego rodzaju, w którego pierwszej glównej powierzchni utworzony jest pierwszy wzór zlozony z obszarów o przewodnictwie drugiego rodzaju. Warstwa epitaksjalna o przewodnictwie pierw¬ szego rodzaju pokrywa pierwsza glówna powierzchnie i w ten sposób przykrywa pierwszy wzór obszarów.Obszary drugiego wzoru obszarów o przewodnictwie drugiego rodzaju, wytworzone w obrebie warstwy epi¬ taksjalnej i przechodzace przez nia polaczone sa elek¬ trycznie z cala powierzchnia kazdego z przykrytych ob¬ szarów. Obszary tego drugiego wzoru sa w niniejszym opisie nazywane „obszarami glebokiego styku".Mozna wiec stwierdzic, ze opisana tu struktura za¬ wiera izolowane wyspy materialu epitaksjalnego o prze¬ wodnictwie pierwszego rodzaju wewnatrz których moga byc pózniej formowane odizolowane elektrycznie ele¬ menty funkcjonalne. Przykryte obszary moga stanowic kolektory tranzystorów jednoczesnie stanowiac czesc struktury izolacyjnej tego samego tranzystora.Prowadzac dalej tworzenie obwodu scalonego tworzy sie na drodze dyfuzji nieselektywnej w cala powierzch¬ nie warstwy epitaksjalnej warstwe o przewodnictwie pierwszego rodzaju, przez co uzyskuje sie stopniowy rozklad koncentracji domieszek w warstwie epitaksjal¬ nej. W niektórych izolowanych wyspach ta warstwa dy¬ fuzyjna moze stanowic czesc obszaru bazy tranzystora, W innych izolowanych wyspach* ta warstwa dyfuzyjna moze stanowic obszar opornika.W koncowej operacji dyfuzji wewnatrz izolowanych 5 wysp tworzone sa selektywnie, za pomoca techniki foto¬ litografii i maskowania tlenkami, obszary o przewodnic¬ twie drugiego rodzaju. Obszary te moga stanowic emi¬ tery tranzystorów, lub tez moga stanowic oporniki wy¬ równawcze.Wazna cecha omawianego przykladu rozwiazania wy¬ nalazku jest fakt, ze cienka warstwa epitaksjalna ma przewodnictwo tego samego rodzaju co podloze, przez co unika sie koniecznosci stosowania odrebnej operacji izolowania dyfuzyjnego. Wytworzone na drodze dyfuzji obszary glebokiego styku przechodza calkowicie przez warstwe epitaksjalna i obejmuja cale obrzeze pokrytych warstwowych kolektorów. Obszary glebokiego styku sta¬ nowia polaczenia o malej opornosci miedzy pokrytymi obszarami i powierzchnia obwodu, a ponadto stanowia równiez czesc izolacji zlaczowej miedzy elementami funkcjonalnymi.Ponadto, obszary glebokiego styku sluza takze jako boczne ograniczenia obszarów baz i obszarów oporni¬ ków, przez co uniknieto koniecznosci stosowania dy¬ fuzji selekcyjnej i zwiazanej z tym fotolitograficznej operacji maskowania.Fig. 1 przedstawia w widoku z góry czesc 11 pólprze¬ wodnikowej plytki wykonanej sposobem wedlug wyna¬ lazku, wewnatrz której wykonany jest typowy opornik 21 i typowy tranzystor 31. Pola obwiedzione gruba li¬ nia ciagla przedstawiaja okienka stykowe utworzone w warstwie tlenku przy zastosowaniu standartowej techni¬ ki fotolitografii i maskowania tlenkami.Oporowy obszar 27 jest okreslony przerywana linia 24. Obszar 25 lezacy na zewnatrz obszaru ograniczonego linia 24 i wewnatrz prostokata ograniczonego przerywa¬ na linia 26, przedstawiaja obszar izolacyjny otaczajacy oporowy obszar 27. Tranzystor 31 zawiera prostokatny obszar 36 emitera, ograniczony linia przerywana, pro¬ stokatny obszar 39 bazy, ograniczony linia przerywana oraz obszar 40 kolektora ograniczony od zewnatrz prze¬ rywana linia 39 i od wewnatrz przerywana linia stano¬ wiaca ograniczenie obszaru 38. Pole 32 jest stykiem emitera, pola 33 i 34 sa stykami bazy, a pole 35 sty¬ kiem kolektora.Proces wytwarzania obwodu scalonego rozpoczyna sie od przygotowania monokrystalicznej krzemowej plytki 41, która moze byc czescia plytki o przewodnic¬ twie typu p, wykonanej przez domieszkowanie borem, w celu uzyskania zasadniczo jednorodnej opornosci wlasci¬ wej materialu wynoszacej okolo 5 Qcm. Plytka 41 moze miec grubosc okolo 0,01 do 0,025 cm i moze byc przy¬ gotowana do dalszych operacji znanymi sposobami przez docieranie i polerowanie lub przez trawienie chemiczne.Nastepny etap wykonywania izolowanego zlaczowo obwodu scalonego pokazany jest na fig. 3, gdzie w plyt¬ ce podloza typu p uksztaltowane sa obszary 42 i 43 o stosunkowo malej opornosci i o przewodnictwie typu n.Obszary 42 i 43 sa uformowane na drodze dyfuzji w stanie stalym i sa ograniczone zasadniczo do obszarów o ksztalcie prostokatnym przez stosowanie znanej tech¬ niki fotolitografii i maskowania tlenkami. W celu utwo¬ rzenia tych obszarów moga byc zastosowane wolno dy- fundujace domieszki takie jak antymon lub arsen lub stosunkowo szybciej dyfundujacy fosfor. Wybór zasto- 20 25 30 35 40 45 50 55 60 i5 64486 6 sowanej domieszki zalezy od warunków dyfuzji zwrotnej i zadanego rozkladu domieszek, co zostalo szczególowo omówione w dalszej czesci opisu. Dyfuzje tych obsza¬ rów typu n zwykle prowadzi sie az do uzyskania kon¬ centracji powierzchniowej okolo 1020 atomów na centy¬ metr kwadratowy lub wiekszej i na glebokosc okolo jednego do dwóch mikronów.Jak pokazano na fig. 4 na podlozu typu p zostaje uformowana epitaksjalna warstwa 44 typu p. Jesli wy¬ konywany obwód scalony ma pracowac w zakresie wiel¬ kich czestotliwosci, grubosc epitaksjalnej warstwy 44 po¬ winna byc mniejsza niz 2 um. W omawianym przy¬ kladzie grubosc ta wynosi okolo jednego mikrona, przy czym warstwa jest domieszkowana borem, w celu uzy¬ skania zasadniczo jednorodnej opornosci wlasciwej ma¬ terialu warstwy okolo 0,3 Qcm. Nalezy zauwazyc, ze warstwa o opornosci wlasciwej 0,3 Qcm, której grubosc wynosi jeden mikron ma warstwowa opornosc okolo 3000 omów na kwadrat powierzchni o boku 1 ^m.Poniewaz epitaksjalny proces narastania jest zwiaza¬ ny z niezbednym ogrzewaniem, wystepuje zjawisko dy¬ fuzji zwrotnej z obszarów 42 i 43 do epitaksjalnej war¬ stwy 44. W przeciwienstwie do poprzednio znanych technologii w przypadku obwodów scalonych wykony¬ wanych sposobem wedlug wynalazku dyfuzja zwrotna jest zjawiskiem pozadanym, poniewaz powoduje, ze zla¬ cze kolektor — baza, utworzone miedzy warstwa 44 a obszarem 43, zostaje przemieszczone w kierunku na zewnatrz od powierzchni 45 podloza przy czym powsta¬ ja nieuniknione niedokladnosci w budowie siatki kry¬ stalicznej. Ponadto dyfuzja zwrotna dazy do wytworze¬ nia obszaru kolektora, w którym koncentracja zjonizo- wanych atomów domieszki wzrasta zdala od zlacza ko¬ lektor baza. Zjawisko to jest zwykle pozadane, gdyz la¬ godzi sprzecznosc wymagania maksymalnego napiecia przebicia zlacza i minimalnej pojemnosci zlacza z wy¬ maganiem minimalnej opornosci szeregowej kolektora.Zasieg dyfuzji zwrotnej moze byc kontrolowany przez wybór dla obszarów 42 i 43 wolno lub szybko dyfun- dujacych domieszek. W omawianym przykladzie uzyto antymon i stwierdzono ze dyfuzja zwrotna siegnela na glebokosc okolo 0,25 (j.m w warstwe epitaksjalna o gru¬ bosci jednego mikrona.Jak pokazano na fig. 5 obszar glebokiego styku 46 (przekrój poprzeczny przez obszar 25 z fig. 1) i obszar 48 (przekrój poprzeczny przez obszar 40 z fig. 1) calko¬ wicie przechodza przez epitaksjalna warstwe 44 otacza¬ jac calkowicie obrzeze pokrytych obszarów 42 i 43. Za¬ zwyczaj opornosc wlasciwa obszarów glebokiego styku typu n jest stosunkowo mala, przy czym uzyskuje sie koncentracje powierzchniowa okolo 1020 atomów na centymetr kwadratowy lub wieksza.Nalezy zauwazyc, ze obszary glebokiego styku w po¬ laczeniu z obszarami pokrytymi calkowicie otaczaja i w ten sposób izoluja elektrycznie wyspy 51 i 52 epitaksjal¬ nego materialu typu p.Nalezy zauwazyc, ze przy operacjach fotolitograficz¬ nych zwiazanych z dyfuzja glebokich styków, dokladne wyznaczenie wzoru obszarów glebokiego styku, w sto¬ sunku do poprzednio wykonanych wzorów, nie jest nie¬ zbedne. Z uwagi na wydajnosc produkcyjna zlagodzenie to jest oczywiscie bardzo korzystne.Jak pokazano na fig. 6 nastepna operacja wymaga nie- selektywnego dyfundowania domieszki typu p w cala powierzchnie epitaksjalnej warstwy 44. Koncentracja do¬ mieszki jest korzystnie regulowana tak, by jej wartosc byla dostatecznie mala, przez co obszary glebokiego sty¬ ku typu n nie zmieniaja rodzaju przewodnictwa lecz wystarczajaco duza by we wszystkich pozostalych cze¬ sciach warstwy 44 powstaly obszary typu p, w których atomy domieszek sa tak rozlozone, ze koncentracja zjo- nizowanych atomów domieszki maleje z odlegloscia od powierzchni warstwy.W omawianym przykladzie, poczatkowa wartosc kon¬ centracji domieszki w epitaksjalnej warstwie 44, o opor¬ nosci wlasciwej 0,3 fl«cm i grubosci jednego mikrona, wynosi okolo 1017 atomów na centymetr szescienny.Koncentracja powierzchniowa obszarów 61, 62 i 63 ty¬ pu p wdyfundowanych do glebokosci koncowej okolo 0,5 mikrona wynosi okolo 1019 atomów na centymetr kwadratowy.Przytoczone powyzej koncentracje domieszek w ob¬ szarach 61, 62 i 63 powoduja ze efektywna powierzch¬ niowa opornosc tych obszarów wynosi okolo 500 Q na kwadrat o boku 1 \im. Nalezy zauwazyc, ze jest to znacznie mniej anizeli wynosi poczatkowa opornosc warstwowa (3000 Q/^im2) warstwy epitaksjalnej. Z tego wzgledu moze byc pozadane przeprowadzenie selektyw¬ nej dyfuzji bazy typu p z pominieciem obszarów takich jak obszar 61, które sa przewidziane na oporniki. Ten proces opisany jest bardziej szczególowo ponizej.Jak pokazano na fig. 1 w koncowej operacji dyfuzji formuje sie emiterowy obszar 36 typu n o stosunkowo malej opornosci. Te stosunkowo plytka dyfuzje emitera typu n przeprowadza sie w tej samej temperaturze w ja¬ kiej przeprowadzono dyfuzje obszarów glebokiego sty¬ ku typu n, lecz w krótszym czasie.W omawianym przykladzie, obszary emiterowane by¬ ly dyfundowane do glebokosci okolo 0,5 mikrona z kon¬ centracja powierzchniowa przynajmniej 102o atomów na centymetr kwadratowy.Poniewaz taka dyfuzja emitera jest procesem selek¬ tywnym mozna, liczac sie jednak z nieznacznym skom¬ plikowaniem, ponownie dyfundowac domieszki typu n w obszary glebokiego styku, w celu skompensowania efektu wywolanego nieselektywna dyfuzja typu p w te obszary. Wykonanie tej operacji jest korzystne wtedy, gdy celem jest uzyskanie minimalnego oporu szeregowe¬ go kolektora, jak równiez wtedy, gdy w gre wchodza nienasycone obwody logiczne o malej mocy strat oraz wtedy, gdy pozadana jest minimalna pojemnosc zlacza kolektor-baza i maksymalne napiecie przebicia zlacza kolektor-baza.Na fig. 7 pokazane jest równiez tlenkowe pokrycie 65 nalozone na pólprzewodnikowa plytke. Jak przedstawio¬ no na fig. 1 i 7 pola 22 i 23 sa stykami opornika 21.Pole 32 jest stykiem emitera pola 33 i 34 sa stykami bazy, natomiast pola 35, 35A i 35B stanowia pierscie¬ niowy styk kolektora tranzystora 31.Nalezy zauwazyc, ze opornik 21 sklada sie z warstwy 61 epitaksjalnego materialu typu p, otoczonego i ogra¬ niczonego pokrytym obszarem 42 i obszarem 25 glebo¬ kiego styku, natomiast stykowe pola 22 i 23 stanowia zaciski elektryczne opornika. Na fig. 1 przedstawiony jest równiez tranzystor 31 majacy pole, 32 styku z emi¬ terem, dwa pola 33 i 34 styku z baza i pole 35 pierscie¬ niowego styku z kolektorem.Polaczenia elektryczne z polami stykowymi, jak rów¬ niez polaczenia miedzy obszarami poszczególnych ele- 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 607 64486 8 mentów funkcjonalnych mozna wykonac wieloma sposo¬ bami,, na przyklad przez wtapianie wyprowadzen.Na podstawie rysunku mozna równiez omówic drugi przyklad rozwiazania. Rozwiazanie to jest w zasadzie takie samo jak w wyzej opisanym przykladzie pierw¬ szym z wyjatkiem tego, ze zanieczyszczenia typu p sa dyfundowane w epitaksjalna warstwe 44 typu p selek¬ tywnie. W ten sposób przez zastosowanie operacji foto¬ litograficznej unika sie dyfuzji typu p w obszary, które w koncu staja sie opornikami, zachowujac dzieki temu duza poczatkowa opornosc wlasciwa epitaksjalnej war¬ stwy 44 co pozwala na produkcje mniejszych oporników.Nalezy jednak pamietac o zasadzie, ze ze wzgledu na wspólczynnik temperaturowych zmian opornosci, opor¬ niki uformowane w materiale o wiekszej opornosci wla¬ sciwej moga byc jakosciowo gorsze od oporników ufor¬ mowanych w warstwach dyfuzyjnych o nizszej opornosci wlasciwej.Na podstawie rysunku mozna omówic równiez trzeci przyklad rozwiazania wynalazku. Rozwiazanie to rózni sie od pierwszego jedynie tym, ze nie wykonuje sie dy¬ fuzji typu p w warstwe epitaksjalna. Eliminuje to jedna operacje dyfuzji kosztem pewnego szkodliwego wplywu na niektóre parametry tranzystora zwlaszcza wzmocnie¬ nie i charakterystyke czestotliwosciowa.Przy decydowaniu czy stosowac dyfuzje typu p w war¬ stwe epitaksjalna typu p nalezy wziac pod uwage sze¬ reg czynników. Po pierwsze dyfuzja typu p stwarza wieksza koncentracje atomów .domieszki typu p w miej¬ scach przyleglych do bocznych scian emitera niz w miej¬ scach przyleglych do dna emitera. Powoduje to zmniej¬ szenie przenikania nosników mniejszosciowych przez boczne sciany emitera. Poniewaz nosniki mniejszosciowe przenikajace przez boczne scianki emitera maja nie¬ wielka szanse byc zebrane przez kolektor wiec zmniej¬ szenie to powinno zwiekszyc sprawnosc emitera i w ten sposób zwiekszyc wzmocnienie tranzystora.Po drugie, rozklad domieszki dyfuzyjnej stwarza w strefie bazy wewnetrzne pole elektryczne skierowane tak, ze przeciwdziala ono ruchowi nosników mniejszo¬ sciowych w kierunku powierzchni. Zjawisko to powo¬ duje znaczne zmniejszenie rekonbinacji nosników mniej¬ szosciowych na powierzchni, jak równiez zmniejszenie efektywnej objetosci, w której gromadza sie nosniki mniejszosciowe wewnatrz obszaru bazy. A zatem dla tranzystora pracujacego w ukladzie odwrotnym, wplyw pól wewnetrznych wywoluje gromadzenie sie nosników mniejszosciowych w tych czesciach obszaru bazy, które sa oddalone od obszaru emitera. Zjawisko to powoduje zmniejszenie przenikania nosników mniejszosciowych ze wszystkich czesci z wyjatkiem tej czesci zlacza kolek- tor-baza, która lezy bezposrednio naprzeciw zlacza ba- za-emiter, poniewaz zlacze emiter-baza dziala jako upust dla przenikajacych nosników mniejszosciowych.Powoduje to wzrost wzmocnienia pradowego tranzysto¬ rów wykonanych tym sposobem.Metody formowania diod, kondensatorów i tranzysto¬ rów sterowanych polem nie zostaly omówione poniewaz metody formowania tych i innych elementów czynnych sa oczywiste na podstawie powyzszego opisu.Podobnie oczywistym jest uzycie materialu typu n na podloze oraz na warstwe epitaksjalna z odpowiednim zastosowaniem materialu typu p na czesci przewodniko¬ we drugiego rodzaju, w celu uformowania dwubieguno¬ wych tranzystorów typu p — n — p jak równiez struk¬ tur uzupelniajacych. 5 PL PL

Claims (8)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania pólprzewodnikowych obwo¬ dów, scalonych, polegajacy na tworzeniu w co najmniej jednej wybranej czesci powierzchni pólprzewodnikowego podloza o przewodnictwie pierwszego rodzaju, pierw¬ szego wzoru, zawierajacego co najmniej jeden obszar o przewodnictwie drugiego rodzaju, znamienny tym, ze osadza sie epitaksjalna warstwe (44) pólprzewodnikowe¬ go materialu o przewodnictwie pierwszego rodzaju na co najmniej czesci powierzchni podloza, formuje sie w epitaksjalnej warstwie (44) drugi wzór, zawierajacy co najmniej jeden obszar (46) lub (48) glebokiego styku o przewodnictwie drugiego rodzaju, przy czym przynaj¬ mniej jeden obszar glebokiego styku obejmuje cale obrzeze co najmniej jednego obszaru (42) lub (43) pierw¬ szego wzoru.

2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze w przynajmniej czesci powierzchni epitaksjalnej warstwy (44) formuje sie co najmniej jeden obszar (62) materialu pólprzewodnikowego o przewodnictwie pierwszego ro¬ dzaju w którym koncentracja domieszki maleje ze wzro¬ stem odleglosci od powierzchni.

3. Sposób wedlug zastrz. 1 lub 2 znamienny tym, ze w powierzchni epitaksjalnej warstwy (44) formuje sie trzeci wzór, zawierajacy przynajmniej jeden obszar (36) o przewodnictwie drugiego rodzaju usytuowany naprze¬ ciw przynajmniej jednego obszaru (43) pierwszego wzoru.

4. Sposób wedlug zastrz. 1—3 znamienny tym, ze epitaksjalna warstwa (44) ma przewodnictwo typu p.

5. Sposób wedlug zastrz. 1—4 znamienny tym, ze epitaksjalna warstwa (44) ma grubosc mniejsza niz dwa mikrony.

6. Sposób wedlug zastrz. 1—5 znamienny tym, ze przynajmniej jeden obszar (43) pierwszego wzoru obsza¬ rów stanowi kolektor i przynajmniej czesc elektrycznej izolacji dla co najmniej jednego tranzystora (31) przy czym co najmniej jeden obszar (48) glebokiego styku okresla boczne ograniczenie obszaru bazy co najmniej jednego tranzystora i stanowi styk elektryczny o malej opornosci oraz co najmniej czesc izolacji dla co naj¬ mniej jednego tranzystora.

7. Sposób wedlug zastrz. 1—5 znamienny tym, ze co najmniej jeden obszar (42) pierwszego wzoru obszarów stanowi czesc izolacji co najmniej jednego opornika (21), przy czym co najmniej jeden obszar (46) glebokiego sty¬ ku okresla boczne ograniczenie oraz stanowi co naj¬ mniej czesc elektrycznej izolacji co najmniej jednego opornika.

8. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze co najmniej jeden obszar (43) pierwszego wzoru obszarów stanowi kolektor oraz co najmniej czesc elektrycznej izolacji tranzystora (31), a drugi obszar (42) pierwszego wzoru stanowi co najmniej czesc izolacji elektrycznej co najmniej jednego opornika (21), przy czym co najmniej w jednym obszarze (62) koncentracja domieszek maleje w kierunku od powierzchni do wnetrza a obszar ten jest utworzony nad obszarem (43) pierwszego wzoru obsza¬ rów stanowiacym kolektor tranzystora. 15 20 25 30 35 40 45 50 55Kl.21g.il/02 64486 MKP H 011,19/00 FIG. I 22 f,26 25 23 f i—_ L 1 • 21 K27 f33 ,-39 ,-36 ~^~~35 FIG. 2 FIG. 4 ,61 FIG. 6 z:22, fil?:7.. fV_\P.\^\\ 3\.ab.j}.s:65 PL PL