PL64310B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 18.IH.1970 (P 139 489) 29.11.1972 aW KI. 21 e,1/30 MKP G 01 r, 1/30 CZYTELNIA UKJJu Patentowego Polo. iej Rzs^ nr" ; (j L" "' '¦' Wspóltwórcy wynalazku: Andrzej Radon, Dorota Konopska, Miroslaw Polak Wlasciciel patentu: Instytut Lotnictwa, Warszawa (Polska) Przedwzmacniacz o wysokiej rezystancji wejsciowej do wspólpracy z czujnikami piezoelektrycznymi Przedmiotem wynalazku jest przedwzmacniacz o wy¬ sokiej rezystancji wejsciowej, do wspólpracy z czujni¬ kami piezoelektrycznymi przyspieszen, sil lub cisnien.W przyrzadach pomiarowych wyposazonych w czujni- niki zawierajace przetworniki piezoelektryczne, czujnik jest polaczony krótkim kablem z przedwzmacniaczem, który z kolei laczy sie za pomoca dlugiego kabla z ukla¬ dem wzmacniajaco-rejestrujacym. Przedwzmacniacz, sta¬ nowiacy uklad wejsciowy przyrzadu pomiarowego powi¬ nien posiadac rezystancje rzedu gigaomów w celu uzy¬ skania niskiej czestotliwosci granicznej oraz niska re¬ zystancje wyjsciowa, rzedu kilkudziesieciu omów, dla ograniczenia wplywu zewnetrznych zaklócen sygnalu po¬ miarowego przekazywanego dlugim kablem do aparatury wzmacnia jaco-rejestrujacej. Ponadto przedwzmacniacz winien odznaczac sie mala pojemnoscia wejsciowa dla przenoszenia przebiegów o wysokiej czestotliwosci.Znane uklady przedwzmacniaczy budowane sa jako wtórniki katodowe oparte na lampach elektrometrycz- nych lub na elektronowych lampach subminiaturowych.Uklad z lampa elektrometryczna pozwala osiagnac zada¬ walajaca rezystancje wejsciowa, rzedu 101* omów, jed¬ nakze jest on wrazliwy na dzialanie czynników zewnetrz¬ nych. Uklad z lampa subminiaturowa jest zawodny i nie¬ stabilny oraz oprócz wymienionej wady ukladów lampo¬ wych, ma niska rezystancje wejsciowa rzedu 5-108 omów.Inne znane uklady przedwzmacniaczy sa wykonywane jako wtórniki zródlowe z wykorzystaniem tranzystorów polowych zlaczowych wzglednie typu MOS. Uklady 10 15 20 25 30 tranzystorowe aczkolwiek maja wiele zalet w porówna¬ niu z odpowiednimi ukladami lampowymi, to jednak maja inne wady. Na przyklad, w ukladzie z tranzystora¬ mi polowymi z izolowana bramka mozna uzyskac odpo¬ wiednia rezystancje wejsciowa, ale uklady te odznaczaja sie znaczna rezystancja wyjsciowa, mala odpornoscia na przepiecia i przeciazenia oraz mala stabilnoscia tempe¬ raturowa i w czasie. Natomiast prosty uklad wtórnika zródlowego oparty na polowym tranzystorze zlaczowym pozwala osiagnac rezystancje wejsciowa rzedu 109 omów, jednakze jego rezystancja wyjsciowa jest duza — rzedu 103 omów, przez co ograniczone jest obciazenie przed- wzmacniacza, a takze dlugosc kabla laczacego przed¬ wzmacniacz z ukladem wzmacniajaco-rejestrujacym.Równiez stabilnosc temperaturowa tego przedwzmacnia- cza jest niezadawalajaca.Celem wynalazku jest opracowanie prostego ukladu przedwzmacniacza pozwalajacego uzyskac wysoka rezy¬ stancje wejsciowa i mala pojemnosc wejsciowa oraz ni¬ ska rezystancje wyjsciowa.Zgodnie z postawionym zadaniem przedwzmacniacz w ukladzie wtórnika katodowo-emiterowego lub zródlo- wo-emiterowego, posiada w obwodzie wyjsciowym sta¬ bilizator napiecia o niskiej rezystancji dynamicznej, z którego jest podawane napiecie do polaryzacji wejscia przedwzmacniacza.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykla¬ dzie wykonania na rysunku, który przedstawia schemat ideowy wtórnika zródlowo-emiterowego.Na wejsciu wtórnika zródlowo-emiterowego zastoso- 643103 64310 4 wany jest tranzystor polowy zlaczowy Ti w ukladzie wtórnika zródlowego, co zapewnia uzyskanie wysokiej rezystancji wejsciowej i malej pojemnosci wejsciowej.Obciazeniem wtórnika zródlowego jest wtórnik emitero- wy zbudowany na tranzystorze bipolarnym T2. W obwo¬ dzie wyjsciowym wtórnika emiterowego znajduje sie dioda Zenera Di polaczona szeregowo z rezystorem ob¬ ciazenia Ri. Do diody Zenera Di jest podlaczony rów¬ nolegle dzielnik napiecia skladajacy sie z rezystorów R2 i R3, z którego podawane jest napiecie przez rezystor polaryzacji R4 na bramke tranzystora polowego zlaczo- wego Ti.Uklad zlozony z wtórnika zródlowego i emiterowego charakteryzuje sie wspólczynnikiem wzmocnienia napie¬ ciowego bliskim jednosci oraz niska rezystancja wyj¬ sciowa. Niska rezystancja dynamiczna diody Zenera Di zwieksza efektywna rezystancje rezystora polaryzujacego 15 R4, co z kolei zwieksza rezystancje wejsciowa wtórnika zródlowo-emi terowego. Dobranie wartosci rezystancji rezystorów R2 i R3 umozliwia ustalenie punktu pracy tranzystora polowego zlaczowego Ti, zapewniajacego od¬ powiednia stabilnosc termiczna wtórnika zródlowo-emi- terowego. Opisany uklad charakteryzuje sie mala pojem¬ noscia wejsciowa. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Przedwzmacniacz o wysokiej rezystancji wejsciowej do wspólpracy z czujnikami piezoelektrycznymi, zbudo¬ wany w ukladzie wtórnika katodowo-emiterowego lub zródlowo-emiterowego, znamienny tym, ze w obwodzie wyjsciowym posiada stabilizator napiecia z którego jest podawane napiecie do polaryzacji wejscia przedwzmac- niacza. C~ 0 R4 R2 01 0Ri Cena zl 10.— WDA-l. Zam. 2190, naklad 200 egz. PL PL