PL63472B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL63472B1 PL63472B1 PL127891A PL12789168A PL63472B1 PL 63472 B1 PL63472 B1 PL 63472B1 PL 127891 A PL127891 A PL 127891A PL 12789168 A PL12789168 A PL 12789168A PL 63472 B1 PL63472 B1 PL 63472B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cadmium
- chloride
- oxychloride
- temperature
- vessel
- Prior art date
Links
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 30
- FBSDHLAJPFIMHJ-UHFFFAOYSA-N [Cd].O(Cl)Cl Chemical compound [Cd].O(Cl)Cl FBSDHLAJPFIMHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N dichloridooxygen Chemical compound ClOCl RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940065285 cadmium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000001662 cadmium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 25. X. 1971 63472 KI. 12 n, 11/00 MKP C 01 g, 11/00 UKD Wpóltwórcy wynalazku: Wladyslaw Ptak, Feliks Bratasz Wlasciciel patentu: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanislawa Sta¬ szica, Kraków (Polska) Sposób otrzymywania tlenochlorku kadmowego Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywa¬ nia tlenochlorku kadmowego, który znajduje za¬ stosowanie w przemysle elektronicznym na przy¬ klad do produkcji termistorów.Dotychczas tlenochlorek kadmowy otrzymuje sie przez stopienie chlorku kadmu z tlenkiem kadmu, przy czym uzyskany produkt nie stanowi chemicz¬ nie czystego tlenochlorku kadmowego, ze wzgledu na duza agresywnosc chemiczna stopu, dzialaja¬ cego korodujaco na naczynie, w którym przepro¬ wadza sie reakcje oraz z powodu hydrolizy chlor¬ ku kadmu, zachodzacej w podwyzszonych tempe¬ raturach. * Stwierdzono, ze przy zachowaniu okreslonych warunków w czasie procesu, mozna otrzymac kry¬ staliczny produkt o wysokiej czystosci.Sposobem wedlug wynalazku, chlorek kadmu, o wysokim stopniu czystosci, przed stopieniem z tlenkiem kadmu, poddaje sie wstepnej obróbce, polegajacej na jego odwodnieniu, prowadzonemu w warunkach, zabezpieczajacych go przed hydro¬ liza. Odwodnienie chlorku kadmowego odbywa sie za pomoca gazowego suchego chlorowodoru, w na¬ czyniu, chemicznie i termicznie odpornym, na przy¬ klad kwarcowym, w temperaturze okolo 650°C.Nastepnie w próznioszczelnym naczyniu, równiez termicznie i chemicznie odpornym, na przyklad kwarcowym, przeprowadza sie synteze tlenochlor¬ ku kadmu, dodajac do odwodnionego uprzednio chlorku kadmu, suchy tlenek kadmu o wysokiej 10 15 20 25 30 2 czystosci w stosunku wagowym CdCl2 : CdO nie wiekszym niz 1:1,3. Po kilkakrotnym przepluki¬ waniu naczynia spektralnie czystym gazem obojet¬ nym, topi isie jego zawartosc w temperaturze oko¬ lo 650°C.W wyniku reakcji pomiedzy chlorkiem kadmu i tlenkiem kadmu powstaje tlenochlorek kadmowy o wzorze Od302Cl2. Otrzymany tlenochlorek kad¬ mowy, w postaci krystalicznego osadu, oddziela sie od pozostalego, nieprzereagowanego chlorku kad¬ mowego, który rozpuszcza sie na goraco w roz¬ cienczonym kwasie solnym.Tlenochlorek kadmowy, otrzymany sposobem wedlug wynalazku odznacza sie wysokim stopniem czystosci, gdyz jak wykazaly przeprowadzone licz¬ ne analizy chemiczne, zawartosc zanieczyszczen wynosi ponizej 0,P/o wagowych. Otrzymany tleno¬ chlorek charakteryzuje sie równiez wysoka odpor¬ noscia termiczna, mianowicie w temperaturze oko¬ lo 1200°C jego budowa krystaliczna nie ulega zmianie, w przeciwienstwie do znacznie mniej trwalych substancji wyjsciowych to jest chlorku i tlenku kadmowego. Ponadto tlenochlorek kad¬ mowy jest odporny na dzialanie odczynników che¬ micznych, szczególnie kwasów, podczas gdy inne • zwiazki kadmu tej odpornosci nie wykazuja. Tle¬ nochlorek kadmowy, otrzymany sposobem wedlug wynalazku, zwlaszcza dzieki swej wysokiej czy¬ stosci, moze byc wykorzystany w przemysle elek¬ tronicznym. 634723 Przyklad. 100 g chlorku kadmu, o wysokiej czystosci, wyzszej niz maja odczynniki chemiczne „cz. d. a" — czyste do analizy, ogrzewa sie wstep¬ nie w temperaturze okolo 130 °C przez 12 godzin, po czym odwadnia gazowym suchym chlorowodo- 5 rem. Odwodnienie to prowadzi sie w temperaturze okolo 650°C, to jest powyzej temperatury topnie¬ nia chlorku kadmu, przez 1V2 godziny. Nastepnie odwodniony chlorek kadmowy oziebia sie, roz¬ drabnia i przenosi do próznioszczelnego naczynia 10 kwarcowego, do którego dodaje sie 130 g suchego tlenku kadmu, o wysokiej czystosci- Po zamknieciu naczynia, mieszanine poddaje sie dzialaniu prózni przez okres 40 godzin, celem usu¬ niecia chlorowodoru i przeplukuje kilkakrotnie 15 argonem, o spektralnej czystosci. Szczelnie za¬ mkniete naczynie przenosi sie do pieca, w którym topi sie mieszanine w temperaturze okolo 650 °C przez 15 godzin.W wyniku reakcji powstaje krystaliczny osad 20 tlenochlorku kadmu, na który po ostudzeniu dziala sie na goraco rozcienczonym kwasem solnym, ce¬ lem rozpuszczenia powstalego nieprzereagowanego chlorku kadmu. Po kilkakrotnym przemyciu osadu kwasem a nastepnie woda, wypraza sie go w tern- 25 peraturze okolo 650°C do stalej wagi, uzyskujac produkt o wysokiej czystosci, w którym ilosc za¬ nieczyszczen jest mniejsza od 0,1% wagowo. Otrzy- 4 many tlenochlorek, o wzorze Cd302Cl2, odznacza sie wysoka odpornoscia termiczna, nie ulegajac rozkladowi w temperaturze okolo 1200°C. Wyka¬ zuje on takze duza odpornosc na dzialanie kwa¬ sów. PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania tlenochlorku kadmowego przez stopienie chlorku kadmu i tlenku kadmu, znamienny tym, ze chlorek kadmu, o wysokim sto¬ pniu czystosci odwadnia sie za pomoca gazowego, suchego chlorowodoru w naczyniu chemicznie i ter¬ micznie odpornym, na przyklad kwarcowym, w temperaturze okolo 650°C, po czym miesza sie z suchym tlenkiem kadmu, o wysokiej czystosci, w stosunku wagowym CdCl2 : CdO nie wiekszym niz 1 : 1,3, w próznioszczelnym naczyniu, chemicz¬ nie i termicznie odpornym, na przyklad kwarco¬ wym i po kilkakrotnym przeplukaniu spektralnie czystym gazem obojetnym, topi sie mieszanine w temperaturze okolo 650°C, a nastepnie powsta¬ ly tlenochlorek kadmu, o wzorze Cd302Cl2, w po¬ staci krystalicznego osadu, oddziela sie od pozo¬ stalego, nieprzereagowanego chlorku kadmowego, który rozpuszcza sie na goraco w rozcienczonym kwasie solnym. KZG 1, z. 287/71 — 240 PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL63472B1 true PL63472B1 (pl) | 1971-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4312850A (en) | Semicontinuous process for the manufacture of pure silicon | |
| US4241037A (en) | Process for purifying silicon | |
| US4362560A (en) | Process for producing high-purity gallium | |
| McCarroll et al. | Preparation of lithium molybdenum oxide bronzes by a temperature gradient flux growth technique | |
| Scott et al. | Phase equilibria in the NaNbO3 BaNb2O6 system | |
| US3748095A (en) | Production of high purity rare earth sulfides | |
| Simonova et al. | Growth of bulk β-BaB2O4 crystals from solution in LiF-Li2O melt and study of phase equilibria | |
| JPS60137892A (ja) | 石英ガラスルツボ | |
| US2974013A (en) | Boron nitride production | |
| PL63472B1 (pl) | ||
| Wanklyn | Flux growth of crystals of some transition metal fluorides | |
| EA009888B1 (ru) | Способ получения чистого кремния | |
| Mason | Growth and characterization of transition metal silicides | |
| US4349407A (en) | Method of forming single crystals of beta silicon carbide using liquid lithium as a solvent | |
| RU2724760C1 (ru) | Способ получения германата-силиката висмута | |
| US1389862A (en) | Manufacture of potassium sulfate | |
| Makovsky et al. | Single crystal growth of Rb2MnCl4 and Rb3Mn2Cl7 | |
| Gallagher | The alloys of antimony and tin | |
| US20190071794A1 (en) | Efficient solar grade silicon production system | |
| US3043671A (en) | Zinc oxide crystal growth method | |
| US2998302A (en) | Preparation of titanium diboride | |
| US3431066A (en) | Method for producing yttrium aluminum oxide garnet crystals | |
| US2756126A (en) | Process for producing zirconium carbide | |
| US3363977A (en) | Method of preparing sodium sulfate and hydrogen chloride | |
| K\={o} yama et al. | A Method for the Preparation of Potassium Hexafluorovanadate (III) and Its Polymorphic Transitions |