PL62515B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL62515B1 PL62515B1 PL123103A PL12310367A PL62515B1 PL 62515 B1 PL62515 B1 PL 62515B1 PL 123103 A PL123103 A PL 123103A PL 12310367 A PL12310367 A PL 12310367A PL 62515 B1 PL62515 B1 PL 62515B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- lanthanum
- temperature
- lanthanum oxide
- hydrogen
- mixture
- Prior art date
Links
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 alkali metal borates Chemical class 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 150000002604 lanthanum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 20.IIL1971 62515 KI. 12 m, 17/00 MKP C 01 f, 17/00 UKD 661.863/.868 Wspóltwórcy wynalazku: Tadeusz Niemyski,, Swietlana Appenheimer, Janusz Cinak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elektro¬ nowej), Warszawa (Polska) Sposób otrzymywania szescioborku lantanu Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymy¬ wania szescioborku lantanu LaB6, który jest ma¬ terialem o doskonalych wlasciwosciach termo- emisyjnych, stosowanym przede wszystkim do wy¬ twarzania katod lamp elektronowych. Ze wzgledu 5 na trudnosci w uzyskiwaniu wspomnianego zwiaz¬ ku w postaci krystalicznej znajduje on zastoso¬ wanie w formie proszków spiekanych.Wedlug dotychczasowych znanych sposobów szescioborek lantanu otrzymuje sie jako produkt io bezposredniej reakcji syntezy lantanu z borem albo przez elektrolize mieszaniny boranów metali alkalicznych z tlenkiem lantanu lub tez przez redukcje mieszaniny tlenku lantanu i tlenku bo¬ rowego weglem. Mozna tez otrzymac szescioborek 15 lantanu w wyniku reakcji pomiedzy tlenkiem lantanu i weglikiem boru, a takze przez redukcje tlenku lantanu borem.Niedogodnoscia wymienionych sposobów jest mozliwosc otrzymywania jedynie proszkowego 20 produktu, który nastepnie poddaje sie spiekaniu.W przeciwienstwie do tego sposób wedlug wy¬ nalazku umozliwia uzyskiwanie szescioborku lan¬ tanu w postaci monokrysztalów. Sposób ten, w 25 którym wykorzystano proces krystalizacji LaB6 z fazy gazowej za pomoca reakcji chemicznych transportu polega na przepuszczaniu mieszaniny gazowej trójchlorku boru z wodorem nad po¬ wierzchnia tlenku lantanu, utrzymywanego w 30 temperaturze 500—800°C najkorzystniej w 600— —700°C i nastepnie przez strefe o temperaturze wyzszej niz 800°C, najkorzystniej 1000—1200°C.Wedlug wynalazku przepuszcza sie mieszanine gazowego trójchlorku boru z wodorem nad po¬ wierzchnia tlenku lantanu, znajdujacego sie we wkladce grafitowej, umieszczonej w reaktorze kwarcowym. Wkladke ogrzewa sie w taki sposób, ze otrzymuje sie w niej dwa obszary temperatu¬ rowe. W pierwszym obszarze, gdzie znajduje sie tlenek lantanu utrzymywana jest temperatura 500—800°C, korzystnie 600—700°C, w drugim zas temperatura wynosi wiecej niz 800°C, korzystnie 1000—1200°C.W wyniku powyzszego postepowania w pier¬ wszym obszarze wkladki grafitowej zachodzi reakcja wodoru z tlenkiem lantanu, której rezul¬ tatem jest utworzenie sie lotnych zwiazków lan¬ tanu.Zwiazki te, przechodzac do drugiego obszaru o wyzszej temperaturze reaguja z trójchlorkiem boru co prowadzi do powstawania szescioborku lantanu w postaci krystalicznej.Przyklad. Pary trójchlorku boru, zmieszane z wodorem w stosunku molowym 1:5 doprowa¬ dza sie do reaktora kwarcowego, w którym jest umieszczona wkladka grafitowa, ogrzewana w ten sposób, ze utrzymuje sie w niej dwa obszary temperaturowe. Tlenek lantanu w postaci prosz- 6251562515 ku w ilosci 10 g wprowadza sie do strefy pier¬ wszej tygla, który ogrzewa sie indukcyjnie.Strefa pierwsza a wiec ta, w której znajduje sie proszek La203 posiada temperature okolo 700°C.Powstajace w wyniku procesu gazowe produkty reakcji przechodza do strefy drugiej o tempera¬ turze okolo 1000°C. Po okolo 4-ch godzinach pro¬ wadzenia procesu na sciankach tygla, w strefie drugiej, osadzaja sie krysztaly szescioborku lan- tanu o wielkosci 3—4 mm. Wydajnosc procesu wynosi okolo 10%. PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób otrzymywania szescioborku lantanu,. znamienny tym, ze mieszanine gazowego trój- 5 chlorku boru z wodorem przepuszcza sie naj¬ pierw nad powierzchnia utrzymywanego w tem¬ peraturze 500—800°C tlenku lantanu, a nastepnie utworzone gazowe produkty zachodzacej w tej strefie reakcji przeprowadza sie przez druga io strefe o temperaturze wyzszej niz 800°C, naj¬ korzystniej 1000—1200°C. Dokonano jednej poprawki PZG w Pab., zam. 110-71, nakl. 240 egz. PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL62515B1 true PL62515B1 (pl) | 1971-02-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0038632B1 (en) | Process for producing carbonitrides of metal | |
| Kershaw et al. | The preparation of and electrical properties of niobium selenide and tungsten selenide | |
| KR101622802B1 (ko) | 산화물의 제조 방법 | |
| Bradshaw et al. | Combustion synthesis of aluminum nitride particles and whiskers | |
| US3394991A (en) | Manufacture of silicon nitride | |
| PL62515B1 (pl) | ||
| US2957754A (en) | Method of making metal borides | |
| US3607046A (en) | Preparation of aluminum nitride | |
| US2619406A (en) | Method for the solid phase production of a disilicide | |
| US4913887A (en) | Production of boron nitride | |
| Kruger et al. | Preparation of the sulphides and phosphides of plutonium | |
| Smirnova et al. | Phase formation in the MgO–B2O3–P2O5 system | |
| US4806330A (en) | Process for preparing high purity aluminum nitride | |
| JPS58181707A (ja) | 窒化ほう素の製造法 | |
| US1331257A (en) | Manufacture of metallic chlorids | |
| JPH0361603B2 (pl) | ||
| Galkova et al. | Thermal Transformations of CuNH4PO4⋅ H2O | |
| Herrmann et al. | Controlled conversion of sodium metal from nuclear systems to sodium chloride | |
| US3607042A (en) | Preparation of boron nitride | |
| US2934423A (en) | Process for the thermal production of magnesium | |
| Trubitsyn et al. | Phase formation specifics in the high-alumina region of the СаО-Al₂О₃ system | |
| US3309176A (en) | Low temperature synthesis of compound semiconductors | |
| CA1040385A (en) | Large particle hexagonal boron nitride | |
| Ridge et al. | Some properties of artificial orthorhombic anhydrite | |
| US1852856A (en) | Process of producing cyanids |