PL62279B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL62279B1 PL62279B1 PL126089A PL12608968A PL62279B1 PL 62279 B1 PL62279 B1 PL 62279B1 PL 126089 A PL126089 A PL 126089A PL 12608968 A PL12608968 A PL 12608968A PL 62279 B1 PL62279 B1 PL 62279B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- alloy
- resistors
- silicon
- chromium
- ohms
- Prior art date
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910021359 Chromium(II) silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012990 NiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 10.UI.1971 \ 62279 KI. 40 b, 39/40 MKP C 22 c, 39/40 UKD 0\ \ . ¦¦ " '.'' - -yiX \ . li ¦¦' . ¦'- *' .1 •¦' • j,.,T Wspóltwórcy wynalazku: Janusz Ostrowski, Waclaw Cegielski, Józef Slomski Wlasciciel patentu: Instytut Metali Niezelaznych, Gliwice (Polska) Sposób wytwarzania stopów do prózniowego napylania oporników 2 fazowym umozliwiajacym osiagniecie wysokich i pow¬ tarzalnych wlasnosci, a zwlaszcza opornosci i jej tem¬ peraturowego wspólczynnika.Zgodnie z wynalazkiem, zagadnienie rozwiazuje sie w 5 ten sposób, ze skladniki stopowe stapia sie z soba w scisle okreslonej kolejnosci. Uzyskuje sie ta droga kon¬ trolowany przebieg reakcji skladników topionego wsadu, co prowadzi do uzyskania skladu fazowego stopu, za¬ pewniajacego stabilnosc jego opornosci i jej temperatu- 10 rowego wspólczynnika.Wynalazek obejmuje opracowanie sposobu wytwarza¬ nia czterech stopów, które pokrywaja zakres opornosci wytwarzanych z nich oporników od 4 do 10 000 omów.Stop dla uzyskania opornosci od 5 do 30 omów wy- 15 twarza sie w ten sposób, ze stapia sie nikiel z krzemem w ilosciach zapewniajacych powstanie zwiazku nikiel — krzem, nastepnie podnosi sie temperature kapieli do 1100 — 1200°C i dodaje chrom, a po jego wtopieniu do¬ daje sie reszte krzemu, wynikajaca z wymaganego skla- 20 du stopu. Otrzymana w ten sposób kapiel metalowa, gwaltownie chlodzi sie doi temperatury otoczenia. W skladzie fazowym tego stopu dominuja krzemki niklu typu NiSi2, NiaSi2 oraz NiSi.Stop dla uzyskania opornosci od 30 do 150 omów 25 wytwarza sie w sposób nastepujacy: stapia sie nikiel i krzem, nastepnie podnosi sie temperature kapieli do 1300—1350°C, a potem dodaje sie kolejno do stopu ze¬ lazo, chrom i wolfram, po czym roztopiony stop schla¬ dza sie szybko celem otrzymania jednorodnego, przesy- 30 conego wlewka. W stopie tym, decydujacym o jego wla- 1 Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania sto¬ pów do prózniowego napylania oporników elektrycz¬ nych.Dotychczas, stopy te wytwarza sie przez stapianie w tyglu kwarcowym skladników wsadu, po czym stop stu¬ dzi sie wolno wraz z tyglem do temperatury otoczenia.Znany jest równiez sposób otrzymywania stopów przez prasowanie na goraco mieszaniny sproszkowanych skladników stopu, co ma zapewnic jednorodnosc skladu i utrzymanie go w okreslonych granicach.Wada dotychczasowych sposobów wytwarzania stopów - do prózniowego napylania oporników jest to, ze powsta¬ jaca w czasie topienia, krzepniecia i studzenia struktura fazowa stopu jest przypadkowa, to znaczy zlozona z nie¬ kontrolowanej mieszaniny krzemków chromu, niklu, ze¬ laza i wolframu. Okazalo sie bowiem, ze istotny nie jest tyle sklad procentowy stopu, lecz jego sklad fazowy.Skutkiem przypadkowosci skladu fazowego stopu, znaczna ilosc wlewków jest nieudana. Stopy uzyskane dotychczasowymi sposobami charakteryzuja sie znacz¬ nym rozrzutem opornosci i temperaturowego wspólczyn¬ nika opornosci. Zla jakosc stopów jest przyczyna posto¬ jów w produkcji oporników, strat materialów i energii.Niska jakosc oporników wytwarzanych w oparciu o te stopy powoduje czeste uszkodzenia i awarie urzadzen elektronicznych.Celem wynalazku jest usuniecie wad i niedogodnosci dotychczasowych sposobów, przez opracowanie sposobu wytwarzania stopów do prózniowego napylania oporni¬ ków, zapewniajacego uzyskanie tych stopów o skladzie 6227962279 snosciach i dominujacym skladnikiem fazowym jest krzemek chromu typu CrSi.Stop dla uzyskania opornosci od 150 do 1000 omów wytwarza sie w ten sposób, ze topi sie krzem, nastepnie dodaje sie kolejno zelazo, chrom i wolfram, po czym roztopiony stop schladza sie szybko do temperatury oto¬ czenia. W tym stopie dominujacymi skladnikami fazo¬ wymi sa krzemki wolframu typu \VSi2 i WSi krzemek zelaza typu FeSi oraz krzemek chromu'typu CrSi.Stop dla uzyskania opornosci od 1000 do 10 000 omów wytwarza sie w nastepujacy sposób: topi sie krzem i po przegrzaniu go do temperatury 1550 — 1600°C dodaje sie chrom, a w koncu wolfram, po czym roztopiony stop schladza sie szybko do temperatury otoczenia. Dominu¬ jacymi skladnikami tego stopu sa krzemki chromu typu CrSi2 i Cr5Si3 oraz krzemek wolframu typu WSi.Wszystkie opisane wyzej stopy poddaje sie wyzarzaniu dyfuzyjnemu w temperaturze 800—1200°C w piecu in¬ dukcyjnym malej lub sredniej czestotliwosci.Sposób wytwarzania w mysl wynalazku zapewnia otrzymywanie stopów do metalizacji oporników o po¬ wtarzalnych wlasnosciach, a zwlaszcza opornosci i jej temperaturowego wspólczynnika. Oporniki produkowane w oparciu o te stopy odznaczaja sie wysoka stabilnoscia wlasnosci. Dzieki wyzszej jakosci produkowanych opor¬ ników uzyskuje sie wieksza niezawodnosc i trwalosc urzadzen elektronicznych wyposazonych w te oporniki. PL PL
Claims (4)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania stopów do prózniowego na¬ pylania oporników w zakresie opornosci od 5 — 30 5 omów znamienny tym, ze najpierw topi sie krzem z ni¬ klem, nastepnie podnosi sie temperature kapieli do 1100 — 1200°C, dodajac chromu i potem reszte krzemu zgodnie z wymaganym skladem procentowym, a po za¬ krzepnieciu stop poddaje sie szybkiemu schlodzeniu do 10 temperatury otoczenia i nastepnie wyzarza sie go dyfu¬ zyjnie w temperaturze od 800 do 1200°C, korzystnie w piecu indukcyjnym.
2. Odmiana sposobu wedlug zastrz. 1 dla stopu do oporników w zakresie opornosci od 30 do 150 omów 15 znamienna tym, ze najpierw stapia sie krzem z niklem, nastepnie podnosi temperature kapieli do 1300—1350°C, a potem kolejno dodaje sie zelazo, chrom i wolfram.
3. Odmiana sposobu wedlug zasetrz. 1 dla stopu do oporników w zakresie opornosci od 150 do 1000 omów, 20 znamienna tym, ze najpierw topi sie krzem a nastepnie dodaje sie do niego kolejnoi zelazo, chrom.i wolfram.
4. Odmiana sposobu wedlug zastrz. 1 dla stopu do oporników w zakresie opornosci od 1000—10 000 omów, znamienna tym, ze najpierw topi sie krzem, nastepnie 25 podnosi jego temperature do 1550—1600°C, dodaje chrom, a do w ten sposób wytworzonej kapieli dodaje sie wolfram. WDA-l. Zam. 6690. Naklad 240 egz. PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL62279B1 true PL62279B1 (pl) | 1970-12-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Busch et al. | Thermodynamics and kinetics of the Mg 65 Cu 25 Y 10 bulk metallic glass forming liquid | |
| Savage | Glass formation and DSC data in the Ge Te and As Te memory glass systems | |
| US2620555A (en) | Contact alloys | |
| KR101417968B1 (ko) | Na과 Ag가 도핑된 PbTe계 열전재료 및 그 제조방법 | |
| PL62279B1 (pl) | ||
| KR101264311B1 (ko) | 외생삽입을 통한 AgSbTe₂나노돗이 형성된 Te계 열전재료의 제조방법 | |
| JPH01106478A (ja) | 熱電材料の製造方法 | |
| GB814594A (en) | Improvements in thermoelectric generators | |
| JP7434534B2 (ja) | Te高含有量のCuCr接点の製造方法 | |
| CN101519765A (zh) | 一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法 | |
| 朱达川 et al. | Effects of annealing process on electrical conductivity and mechanical property of Cu-Te alloys | |
| CN103320723A (zh) | 一种提高合金非晶形成能力的反复熔化-凝固处理方法 | |
| JP2005117030A (ja) | 半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
| CN109988935A (zh) | 一种高强度高硬度的金银铜合金及其时效强化工艺 | |
| US1706172A (en) | Temperature-responsive magnetic material | |
| JP2006245251A (ja) | 非晶質状態が安定な相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
| US2804415A (en) | Preparation of mnbi bodies | |
| US2048706A (en) | Method of making alloys | |
| CN109609880B (zh) | 一种含类金属的轻稀土基块体非晶合金及其制备方法 | |
| US2968014A (en) | Synthetic stibnite crystal and method for producing the same | |
| CN113333698B (zh) | 一种完全非晶态碲化铅基合金条带及其制备方法 | |
| GB471495A (en) | Improvements in or relating to the treatment of alloys | |
| Akhtar et al. | Isothermal crystallization kinetics of Ni60Nb4o-xCrx, glasses | |
| KR20150061726A (ko) | Na이 첨가된 Ag 도핑 PbTe계 열전재료 및 그 제조방법 | |
| SU134306A1 (ru) | Способ изготовлени тонкослойных непроволочных электрических сопротивлений |