PL58752B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL58752B1
PL58752B1 PL114179A PL11417966A PL58752B1 PL 58752 B1 PL58752 B1 PL 58752B1 PL 114179 A PL114179 A PL 114179A PL 11417966 A PL11417966 A PL 11417966A PL 58752 B1 PL58752 B1 PL 58752B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
content
infrared radiation
radiation
active substance
layer
Prior art date
Application number
PL114179A
Other languages
English (en)
Inventor
Wieslaw Krawczyk mgr
Roland Dziubin¬ski inz.
Original Assignee
Warszawskie Zaklady Fotochemiczne
Filing date
Publication date
Application filed by Warszawskie Zaklady Fotochemiczne filed Critical Warszawskie Zaklady Fotochemiczne
Publication of PL58752B1 publication Critical patent/PL58752B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 10.XII.1969 58752 KI. 42 1,3/09 MKP G 01 n Wspóltwórcy wynalazku: mgr Wieslaw Krawczyk, inz. Roland Dziubin¬ ski Wlasciciel patentu: Warszawskie Zaklady Fotochemiczne, Warszawa (Pol¬ ska) Sposób ciaglego pomiaru zawartosci substancji czynnej w procesie nanoszenia warstw swiatloczulych i magnetycznych na podloze przezroczyste Przedmiotem wynalazku jest sposób ciaglego po¬ miaru zawartosci substancji czynnej w procesie nanoszenia warstw swiatloczulych i magnetycz¬ nych na podloze przezroczyste.Zawartosc i równomiernosc naniesienia halogen¬ ków srebra i tlenków zelaza w materialach swia¬ tloczulych i magnetycznych ma zasadnicze znacze¬ nie, decyduje bowiem o ich wlasciwosciach foto¬ graficznych i elektroakustycznych. Znane dotych¬ czas metody okreslania zawartosci substancji czyn¬ nej, mozna podzielic na metody okresowych prób i metody ciagle.Metoda okresowych prób polega na analitycz¬ nym okreslaniu zawartosci srebra lub zelaza na jednostce powierzchni w kolejno pobieranych pró¬ bach, wzglednie na pomiarze mikrometrycznym grubosci warstwy. W praktyce przemyslowej sto¬ suje sie cjanometryczna , kolorymetryczna lub po¬ tencjometr yczna metoda oznaczen.Sposoby te posiadaja szereg wad jak np.: ko¬ niecznosc wycinania prób w oblanym materiale, co niejednokrotnie ogranicza mozliwosci kontroli, daja fragmentaryczna informacje o zawartosci substancji czynnej w nakladanej warstwie, uzy¬ skane informacje sa opóznione od 15 do 30 min. co zmniejsza mozliwosc skutecznej interwencji w wypadku wystapienia odchylen od wartosci za¬ danej.Znane metody ciagle oparte sa na pochlanianiu przez warstwe mierzona promieniowania izotopo- 10 15 20 25 30 wego. Polegaja one na okreslaniu zmian natezenia promieniowania izotopowego, wywolanych pochla¬ nianiem i rozpraszaniem promieniowania w war¬ stwie mierzonej. Metody te sa bardzo kosztowne, a ich eksploatacja wymaga odpowiedniego zabez¬ pieczenia z uwagi na obecnosc preparatów promie¬ niotwórczych.Sposób wedlug wynalazku nie ma opisanych nie¬ dogodnosci. Jest on metoda ciagla i polega na okreslaniu zawartosci substancji czynnej przez po¬ miar zmian natezenia promieniowania podczerwo¬ nego o specjalnie dobranej dlugosci fali, wywola¬ nych zmianami zawartosci halogenków srebra lub tlenków zelaza w wylewanej warstwie materialu swiatloczulego lub magnetycznego. Dlugosc pro¬ mieniowania podczerwonego dobiera sie w zakre¬ sie dlugosci fal, dla którego zaznacza sie minimum pochlaniania promieniowania przez wszystkie uzu¬ pelniajace skladniki mierzonych warstw to jest ze¬ latyne, wode i rozpuszczalniki organiczne.Pochlanianie i rozpraszanie swiatla przez halo¬ genki srebra i tlenki zelaza, jest w szerokim za¬ kresie dlugosci fal stale i bliskie lOOtyo. Wymagana dlugosc promieniowania uzyskuje sie stosujac zród¬ lo swiatla bialego z filtrem przepuszczajacym za¬ dany zakres widma w granicach 0,9—1,2^. Po przejsciu przez badana warstwe strumien promie¬ niowania podczerwonego ogniskowany jest na czuj¬ niku, którym moze byc w zasadzie kazdy fotoele- ment o odpowiedniej czulosci w bliskiej podczer- 587523 wieni. Czujnik umieszcza sie w ogniskowej obiek¬ tywu, którego zadaniem jest zogniskowanie stru¬ mienia oraz zabezpieczenia fotoelementu od wply¬ wów zewnetrznych.Czujnik oraz zródlo promieniowania podczerwo¬ nego nalezy umiescic mozliwie najblizej miejsca formowania warstwy, jednakze w punkcie gdzie za¬ tracila ona juz charakter plynny.W wyniku pochlaniania i rozpraszania promienio- niowania w warstwie mierzonej, uzyskuje sie zmia¬ ny pradowe w fotoelemencie proporcjonalne do za¬ wartosci substancji czynnej.Dla uzyskania wymaganej dokladnosci pomia¬ ru Tjjinny byc zapewnione nastepujace warunki: stabilnosc zródla swiatla zarówno pod wzgledem intensywnosci jak i skladu spektralnego, zacho- 4 wanie stalej odleglosci zródla swiatla oraz czuj¬ nika pomiarowego od mierzonej warstwy, stalosc nachylenia osi obiektywu w stosunku do plaszczyz¬ ny warstwy mierzonej. Optymalne warunki uzy- 5 skuje sie przy kacie 90°. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób- ciaglego pomiaru zawartosci substancji 10 czynnej w procesie nanoszenia warstw swiatloczu¬ lych i magnetycznych na podlozu przezroczyste, poprzez pomiar zmian natezenia promieniowania podczerwonego przechodzacego przez badana war¬ stwe i ogniskowanego w fotoelemencie, znamienny 15 tym, ze do pomiaru stosuje sie fale promieniowa¬ nia podczerwonego o dlugosci pomiedzy 0,9 a l,2|x. WDA-1. Zam. 3399. Naklad ?30 egz. PL
PL114179A 1966-04-22 PL58752B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL58752B1 true PL58752B1 (pl) 1969-08-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2847899A (en) Method of and apparatus for spectrochemical analysis
FI851819L (fi) Ellipsometriskt foerfarande samt ellipsometrisk anordning foer undersoekning av de fysikaliska egenskaperna i prov eller ytskikten i prov.
JPS56126747A (en) Inspecting method for flaw, alien substance and the like on surface of sample and device therefor
SE7604502L (sv) Optisk branddetektor
KR920003050A (ko) 단결정 소재의 외부상 침전물의 검사방법
PL58752B1 (pl)
US3260850A (en) Measuring the water content of photographic layers
YU38192A (sh) Postupak i uredjaj za gasnu analizu
SU1233208A1 (ru) Способ измерени толщины многослойной полимерной пленки
JP2977166B2 (ja) 広範囲x線検出器を備えたx線回折装置
Slavin Effect of Slit Width on Background Correction in Photographic Photometry
JPS5213378A (en) Automatic measuring device for reflexibility distribution
Nicolle et al. Near-infra-red diffuse reflectivities of natural and man-made materials
SU1086999A1 (ru) Способ определени ширины запрещенной зоны и положени локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника (его варианты)
JPS58204356A (ja) 金属物体表面探傷方法
JPH04232837A (ja) 散乱光トラップを備えた測光装置
FI63114C (fi) Foerfarande foer att maeta taetheten av cylindriska kroppar
SU1052955A1 (ru) Способ контрол дефектности полупроводниковых и ионных кристаллов
GB661990A (en) Apparatus for continuous gas analysis
SU834472A1 (ru) Способ измерени толщины сло КРАТНОгО ОСлАблЕНи РЕНТгЕНОВСКОгОизлучЕНи
SU450099A1 (ru) Способ рентгенофлуоресцентного анализа
SU448372A1 (ru) Способ определени угла наклона пучка рентгеновских лучей к оси гониометра
JPS6223126A (ja) ド−ズ量測定方法
SU684299A1 (ru) Способ измерени толщины тонких пленок на подложках
SU151105A1 (ru) Способ определени влажности порошкообразных материалов