Proces wylaczania zaczyna sie w chwili, gdy tandem Ti wyjdzie ze stanu nasycenia. Nadmienic nalezy, ze w okresie zalaczenia pradu obciazenia jest nasycony tran¬ zystor T'i a tranzystor T"i znajduje sie na gra¬ nicy nasycenia. W czasie wylaczania, do bazy tan¬ demu Ti jest dostarczany duzy prad wylaczajacy 15 20 25 okreslony przez napiecie Uz i niska opornosc tan¬ demu Tm, znajdujacego sie wtedy w stanie nasy¬ cenia, opornosc Rti oraz opornosc odcinka Bi—Er ulegajaca zmianie w procesie wylaczania. Tran- 3 zystor Tri odlacza sie juz na samym poczatku pro¬ cesu.W pierwszym etapie wylaczania mimo zmniej¬ szania sie pradu kolektora tandemu Ti prad ob¬ ciazenia nie ulega zmianie, gdyz tranzystory tan- 10 demu Tu znajduja sie jeszcze w stanie nasycenia.Przez pojemnosc Cu plynie prad bedacy -róznica pradu obciazenia i pradu kolektora tranzysto¬ ra T"i. Prad ten usuwa ladunek nasycenia tan¬ demu Tu i laduje pojemnosc Cu, skutkiem czego napiecie na niej wzrasta, co odpowiada mniej wiecej takiemu samemu wzrostowi napiecia na kolektorze tandemu Ti. Napiecie kolektor-emiter tandemu Tu jest wtedy stale i bliskie zeru.W pierwszej kolejnosci zostaje usuniety ladu¬ nek nasycenia tranzystora T'n po czym tranzystor ten zostaje odlaczony. Nieco pózniej konczy sie proces usuwania ladunku nasycenia tranzystora T"n. Z chwila gdy to nastapi, napiecie uTn skokiem osiaga wartosc maksymalna. Od tego momentu napiecie uTi + uTn na obu tandemach jest równe napieciu zasilajacemu. Rozpoczyna sie drugi etap wylaczania, w czasie którego obydwa tranzystory T"i i T"n pracuja jako kaskoda. Wy¬ laczajacy prad bazy tranzystora T"n ma juz obec¬ nie mniejsza wartosc tak, ze dalsza zmiana na¬ piec uTi i Utu okreslona przez ladowanie pojem¬ nosci Cu jest juz znacznie mniejsza.Przez wlasciwy dobór pojemnosci Cu i stopnia nasycenia tranzystora T"n mozna utrzymac zmiany napiec na tandemach Ti i Tu w czasie drugiego etapu wylaczania w granicach kilku procent napiec w stanie ustalonym. Nasycenie tran¬ zystora T"n uzyskuje sie przez zastosowanie 40 diody Dn polaczonej w szereg z kolektorem tran¬ zystora T"n. W razie potrzeby mozna dodac jesz¬ cze jedna diode lub niewielka opornosc liniowa.W procesie zalaczania pradu obciazenia przebie¬ gajacym równiez w ukladzie kaskody biora udzial 45 wszystkie tranzystory tandemów Ti i Tu. Na poczatku tego procesu nastepuje skokowa zmiana napiecia na tandemach Ti i Tu o wartosc odpowiadajaca zaporowemu napieciu polary¬ zacji tandemu Tu, wystepujacemu w okresie wy- 50 laczenia pradu obciazenia, miedzy jego baza Bu i emiterem En. Zalaczanie odbywa sie przy sta¬ lym napieciu uTi + utii równym napieciu zasila¬ jacemu. Prady kolektorowe obydwu tandemów Ti i Tu rosna praktycznie jednakowo. Prad bazy tan- 55 demu Tu rozladowujacy pojemnosc Cu ma obec¬ nie bardzo mala wartosc, tak, ze zmiana napiecia na pojemnosci Cu a tym samym na tandemach TT i Tu w czasie zalaczania jest jeszcze mniejsza niz. w drugim etapie wylaczania.•• Zalaczanie pradu obciazenia konczy sie wówczas, gdy koncentracja nosników mniejszosciowych w bazie diody D przy zlaczu staje sie równa zeru to znaczy, gdy dioda ta zaczyna sie polaryzowac zaporowo. Napiecie uTn skokiem spada do war— 65 tosci odpowiadajacej stanowi nasycenia tande-50823 6 mu Tn, po czym nieco wolniej maleje napiecie uTi do wartosci bliskiej zeru. Czas opadania na¬ piecia uTi nie przekracza jednak kilkunastu pro¬ cent czasu zalaczania pradu obciazenia.Dodatnie sprzezenie zwrotne realizowane przez obwód. RSCS zapewnia szybka zmiane stanu tan¬ demu Tm przyspieszajac przez to procesy przej¬ sciowe. Dzieki zastosowaniu sprzezenia zwrotnego mozliwe jest sterowanie przekaznika napieciem u?t o dowolnym przebiegu czasowym.W uproszczonym ukladzie (fig. 2) tranzystoro¬ wego przekaznika wedlug wynalazku dzielnik Ri—R2 jest równoczesnie opornoscia obciazenia obwodu kolektora tandemu Tm. Pod wzgledem dzialania nie ma zadnej istotnej róznicy pomiedzy obydwoma ukladami (fig. 1 i fig. 2).Tranzystorowy przekaznik wedlug wynalazku moze pracowac takze z innym rodzajem obciaze¬ nia niz to przedstawiono przykladowo na rysun¬ ku (fig. 1 i fig. 2). Ma on te zalete, ze bez uzycia skomplikowanych ukladów, zawierajacych niety¬ powe elementy magnetyczne mozna dwukrotnie powiekszyc napiecie zasilania a tym samym napie¬ cie na impedancji obciazenia w stosunku do do¬ puszczalnego napiecia kolektor-emiter jednego tran¬ zystora. Dzieki temu przelaczona moc obciazenia moze byc dwa razy wieksza niz w ukladzie z jed¬ nym tandemem w stopniu mocy. Czasy przelacza¬ nia pradu nie sa wieksze, a stosunek mocy prze¬ laczanej do mocy traconej w tranzystorach nie jest mniejszy niz w przekazniku zwyklym z jed¬ nym tandemem w stopniu mocy. Te wlasnosci. mozna osiagnac przez zastosowanie w ukladzie tranzystorowego przekaznika wylacznie typowych, latwo dostepnych elementów.W przypadku zastosowania w stopniach pierw¬ szym i drugim pojedynczych tranzystorów zamiast tandemów podstawowe cechy przekaznika nie ule¬ gna zmianie, a jedynie wzrosnie moc pobierania przez dzielnik Ri—R2 oraz moc sterowania stop¬ nia wstepnego. PL