PL48184B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL48184B1
PL48184B1 PL100833A PL10083363A PL48184B1 PL 48184 B1 PL48184 B1 PL 48184B1 PL 100833 A PL100833 A PL 100833A PL 10083363 A PL10083363 A PL 10083363A PL 48184 B1 PL48184 B1 PL 48184B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
crucible
single crystals
way
inner crucible
loaded
Prior art date
Application number
PL100833A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Zbigniew Bukowski mgr
inz. JerzyGrabowski mgr
inz. Jerzy Pelczynski mgr
Original Assignee
Fabryka Pólprzewodników „Tewa"
Filing date
Publication date
Application filed by Fabryka Pólprzewodników „Tewa" filed Critical Fabryka Pólprzewodników „Tewa"
Publication of PL48184B1 publication Critical patent/PL48184B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 27.IV.1964 48184 KI. 21 g 11/02 MKP H 01 1 lico UKD BIBL«OT£K UrzaóJ KoTentoWLP Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Zbigniew Bukowski, mgr inz. Jerzy Grabowski, mgr inz. Jerzy Pelczynski Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa", Warszawa (Pol¬ ska) Urzadzenie do otrzymywania monokrysztalów o jednorodnej opornosci wlasciwej z zastosowaniem plywajacego tygla Wynalazek dotyczy urzadzenia przeznaczonego do otrzymywania monokrysztalów o jednorodnej opornosci wlasciwej. Dla otrzymania monokryszta¬ lu roztapia sie surowiec w tyglu, z którego prze¬ plywa on do umieszczonego wewnatrz tygla wew¬ netrznego, skad wyciaga sie w odpowiednich wa¬ runkach technologicznych monokrysztal.Monokrysztaly zawieraja pewna ilosc wprowa¬ dzonych celowo domieszek, które wplywaja na ich wlasciwosci. Ilosc zawartych domieszek jest szcze¬ gólnie istotna w monokrysztalach pólprzewodniko¬ wych. Ma ona decydujacy wplyw na jednorodnosc wlasciwej opornosci elektrycznej monokrysztalów.Istota wynalazku polega na umieszczeniu w zewnetrznym tyglu mniejszego tygla wewnetrz¬ nego, w sposób pozwalajacy mu na swobodne ply¬ wanie na powierzchni roztopionego surowca znaj¬ dujacego sie w tyglu zewnetrznym.W wyniku doplywu w czasie procesu czystego materialu z tygla zewnetrznego do tygla wewnetrz¬ nego nastepuje rozcienczenie zawartcyh tam do¬ mieszek, co pozwala uzyskac monokrysztaly o du¬ zej równomiernosci wlasciwej opornosci.Plywajacy swobodnie tygiel obciazony jest od góry, a nie jak w dotychczas stosowanych kon¬ strukcjach od dolu. Obciazenie tygla jak i srednica sluzacego dla doplywu swiezego surowca otworu 10 20 25 w jego dnie sa tak dobrane, ze podczas procesu wyciagania monokrysztalu utrzymuja stala obje¬ tosc materialu znajdujacego sie w tygielku wew¬ netrznym.W dotychczasowych, znanych konstrukcjach, wewnetrzny tygiel umieszczony jest w tyglu zew¬ netrznym w sposób ograniczajacy jego zdolnosc przemieszczania sie. Jest on obciazony od dolu w ten sposób, ze w dnie zewnetrznego tygla wyko¬ nany jest otwór, przez który przechodzi nózka tygla wewnetrznego, na koncu której umieszczone jest obciazenie. Takie rozwiazanie wymaga stoso¬ wania odpowiednich uszczelnien, trudnych do wy¬ konania ze wzgledu na koniecznosc uzycia odpor¬ nych na wysokie temperatury materialów i powo¬ dujacych ich czesta i klopotliwa wymiane. Wymaga to poza tym wykonania otworu w wewnetrznym tyglu nie w srodku jego dna, lecz z boku, co z kolei powoduje chemiczna niejednorodnosc w mono¬ krysztale.W konstrukcji wedlug wynalazku unika sie tych trudnosci na skutek obciazenia wewnetrznego tygla od góry i umieszczenia otworu w srodku jego dna.Monokrysztaly otrzymywane w urzadzeniu wg wynalazku pozwalaja poza tym osiagnac dwukrot¬ nie wiekszy uzysk dzieki temu, ze zastosowanie swobodnie plywajacego tygla wewnetrznego poz-48184 3 4 wala rozcienczac w nim stezenie domieszek w wy¬ niku czego uzyskuje sie monokrysztal o bardziej jednorodnej opornosci wlasciwej.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku. W zewnetrznym grafitowym tyglu 1 plywa swobodnie na po¬ wierzchni roztopionego surowca maly, równiez grafitowy tygiel wewnetrzny 2 obciazony ciezar¬ kami 3, wykonanymi z materialu trudnotopliwego posiadajacego wysoki ciezar wlasciwy i przykry¬ tymi ochronnymi grafitowymi pokrywkami 4. Ty- * giel zewnetrzny umieszczony jest w grafitowym nagrzewniku 5 znajdujacym sie w zespole grafito¬ wych oslon 6. W srodku dna tygla znajduje sie otwór 7, przez który doplywa roztopiony surowiec.Do zewnetrznego tygla zaladowuje sie material czysty, zas do wewnetrznego tygielka — czesc wsa¬ du z odpowiednia iloscia domieszek. Po roztopieniu zawartosci tygli i zetknieciu zarodzi z powierzchnia materialu roztopionego w wewnetrznym tyglu roz¬ poczyna sie wyciaganie monokrysztalu.Ubytek krzepnacego materialu w postaci mono¬ krysztalu jest uzupelniony w wewnetrznym tyglu przez doplyw czystego materialu z zewnetrznego tygla przez otwór tygla wewnetrznego. Objetosc cieklego materialu w wewnetrznym, swobodnie plywajacym tyglu podczas calego procesu pozo¬ staje niezmienna.Monokrysztaly otrzymywane w urzadzeniu we¬ dlug wynalazku pozwalaja osiagnac uzysk do okolo 5 80°/o. Poza tym urzadzenie wedlug wynalazku jest znacznie prostsze i tansze od uzywanych dotych¬ czas oraz moze byc zastosowane do kazdego pieca sluzacego do wyciagania monokrysztalów metoda Czochralskiego bez koniecznosci przeróbki pieca.Urzadzenie do otrzymywania monokrysztalów wedlug wynalazku moze byc stosowane do pól¬ przewodników, metali i innych materialów. PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Urzadzenie do otrzymywania monokrysztalów o jednorodnej wlasciwosci, skladajace sie z dwóch tygli, znamienne tym, ze wewnetrzny mniejszy tygiel umieszczony jest w tyglu zew¬ netrznym w sposób umozliwiajacy jego swobod¬ ne plywanie na powierzchni stopionego mate¬ rialu znajdujacego sie w tyglu zewnetrznym.
  2. 2. Urzadzenie wedlug zastrzezenia 1, znamienne tym, ze swobodnie plywajacy wewnetrzny tygiel ma odpowiednio dobrane obciazenia umieszczo¬ ne w bocznych wystepach jego korpusu. 15 2048184 PL
PL100833A 1963-02-23 PL48184B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL48184B1 true PL48184B1 (pl) 1964-04-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4894206A (en) Crystal pulling apparatus
KR930001895B1 (ko) 실리콘 단결정의 제조방법 및 장치
LaBelle Jr et al. Growth of controlled profile crystals from the melt: Part I-Sapphire filaments
Bouchard The preparation of single crystals of FeS2, CoS2, and NiS2 pyrites by chlorine transport
CA1067800A (en) Control of oxygen in silicon crystals
KR920009563B1 (ko) 반도체 결정의 인상 방법
Mason et al. Zone leveling and crystal growth of peritectic compounds
KR100827028B1 (ko) 쵸크랄스키법을 이용한 반도체 단결정 제조 방법, 및 이방법에 의해 제조된 반도체 단결정 잉곳 및 웨이퍼
JPS6345198A (ja) 多元系結晶の製造方法
PL48184B1 (pl)
Anis The growth of single crystals of GaSe
JPS63222091A (ja) シリコン単結晶引上げ用ルツボ
JPH0314800B2 (pl)
JPS5669298A (en) Method of growing single crystal of semiconductor
JPS58130195A (ja) 単結晶シリコン引上装置
JPS6018634B2 (ja) 結晶引上げ装置
Adams et al. Crystal growth of CuFeS2
Lin et al. Dopant segregation control in Czochralski crystal growth with a wetted float
SU133238A1 (ru) Тигель дл выт гивани монокристаллов полупроводниковых материалов
O'Connor et al. Preparation and properties of cuprous iodide
US3374067A (en) Process of growing cubic zinc sulfide crystals in a molten salt solvent
Kakehi et al. Epitaxial vapor growth of gallium antimonide
JPS5934679B2 (ja) 液体カプセル法による不純物の均一なド−ピング方法および装置
JPS61132583A (ja) 半導体単結晶体の製造方法
JPH06183873A (ja) 半磁性化合物半導体単結晶の育成方法