PL449825A1 - Sposób otrzymywania materiału eutektycznego w formie mikrosfer oraz materiał otrzymywany tym sposobem - Google Patents

Sposób otrzymywania materiału eutektycznego w formie mikrosfer oraz materiał otrzymywany tym sposobem

Info

Publication number
PL449825A1
PL449825A1 PL449825A PL44982524A PL449825A1 PL 449825 A1 PL449825 A1 PL 449825A1 PL 449825 A PL449825 A PL 449825A PL 44982524 A PL44982524 A PL 44982524A PL 449825 A1 PL449825 A1 PL 449825A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
dielectric
metal
eutectic
microspheres
obtaining
Prior art date
Application number
PL449825A
Other languages
English (en)
Inventor
Katarzyna Sadecka
Piotr PASZKE
Dorota Anna Pawlak
Hani Henein
Original Assignee
Ensemble3 Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ensemble3 Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością filed Critical Ensemble3 Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority to EP24200668.2A priority Critical patent/EP4556143A1/en
Publication of PL449825A1 publication Critical patent/PL449825A1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B21/00—Unidirectional solidification of eutectic materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób otrzymywania materiału eutektycznego w formie mikrosfer, charakteryzujący się tym, że obejmuje następujące etapy: a) stapianie mieszaniny eutektycznej tlenków metali o składzie eutektycznym lub mieszaniny eutektycznej o składzie tlenek metalu-metal, w której tlenek metalu stanowi fazę topologiczną, natomiast fazę wydzieleń stanowi tlenek metalu lub metal, które to fazy przygotowuje się w proporcjach molowych 0,01% - 99.99% fazy topologicznej oraz 0,01% - 99,99% fazy wydzieleń, proporcjonalnie do 100%; b) rozcieranie materiału eutektycznego dielektryk-dielektryk albo metal-dielektryk otrzymanego w etapie a) na proszek; c) uzyskanie mikrosfer poprzez szybkie topienie materiału proszkowego, w temperaturze 600°C - 1700°C w atmosferze azotu, argonu lub helu albo szybką krystalizację kropel uprzednio stopionego materiału proszkowego, w temperaturze 600°C - 2000°C w atmosferze azotu, argonu lub helu. Przedmiotem zgłoszenia jest także materiał eutektyczny metal-dielektryk albo dielektryk-dielektryk otrzymany powyższym sposobem.
PL449825A 2023-09-15 2024-09-13 Sposób otrzymywania materiału eutektycznego w formie mikrosfer oraz materiał otrzymywany tym sposobem PL449825A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP24200668.2A EP4556143A1 (en) 2023-09-15 2024-09-16 Method of obtaining eutectic material in the form of microspheres and the material obtained by this method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL44611123 2023-09-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL449825A1 true PL449825A1 (pl) 2025-03-17

Family

ID=94970037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL449825A PL449825A1 (pl) 2023-09-15 2024-09-13 Sposób otrzymywania materiału eutektycznego w formie mikrosfer oraz materiał otrzymywany tym sposobem

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL449825A1 (pl)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL227901B1 (pl) * 2013-06-27 2018-01-31 Instytut Technologii Materialów Elektronicznych Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL227901B1 (pl) * 2013-06-27 2018-01-31 Instytut Technologii Materialów Elektronicznych Materiał eutektyczny, zwłaszcza metalodielektryczny

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K. KOŁODZIEJCZAK ET AL.: "September 2006 Opto-Electronics Review 14(3):205-211, DOI:10.2478/s11772-006-0027-8", „TB3SC2AL3O12-TBSCO3 EUTECTIC SELF-ORGANIZED MICROSTRUCTURE FOR METAMATERIALS AND PHOTONIC CRYSTALS APPLICATION" *
K. SADECKA ET AL.: "J Mater Sci (2017) 52:5503–5510, DOI 10.1007/s10853-016-0746-2", „EVOLUTION OF SILVER IN A EUTECTIC-BASED BI2O3–AG METAMATERIAL" *
KAMIL SZLACHETKO ET AL.: "Nanophotonics 2020; 9(14): 4307 4314 https://doi.org/10.1515/nanoph-2020-0281", „SELECTIVE SURFACE-ENHANCED RAMAN SCATTERING IN A BULK NANOPLASMONIC BI2O3-AG EUTECTIC COMPOSITE" *
KATARZYNA SADECKA I IN.: "Materiały Elektroniczne T. 37 - 2009 Nr 3", „PRZEGLĄD SAMOORGANIZUJĄCYCH SIĘ STRUKTUR EUTEKTYCZNYCH METAL-TLENEK DLA ZASTOSOWAŃ W FOTONICE" *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Nunes et al. Liquidus projection for the Mo-rich portion of the Mo–Si–B ternary system
Marcano et al. Crystal growth and structure of the semiconductor Cu2SnSe3
PL449825A1 (pl) Sposób otrzymywania materiału eutektycznego w formie mikrosfer oraz materiał otrzymywany tym sposobem
CN112222675A (zh) 一种高熵合金钎料及其制备方法
CN114000028A (zh) 一种NiCoFeCuSiB高熵合金钎料及其制备方法
JPH02179390A (ja) クラスト防止元素を含有する銀‐銅‐チタンろう接用合金
JPH11172352A (ja) 高温はんだ付用Ｚｎ合金
JPH11172353A (ja) 高温はんだ付用Ｚｎ合金
Meschel et al. Standard enthalpies of formation of some neodymium and gadolinium carbides, silicides and germanides by high-temperature direct-synthesis calorimetry
Elayech et al. Thermodynamic study of the ternary system gallium‐arsenic‐bismuth
JPWO2013002112A1 (ja) 信頼性が向上したはんだ接合部の製造方法
Schuster et al. Crystal structure of CuSn3Ti5 and related phases
Candioto et al. Microstructural characterization of Nb–B–Si alloys with composition in the Nb− Nb5Si2B (T2-phase) vertical section
Li et al. Thermodynamic investigation of the Ag–Bi–Sn ternary system
Zhang et al. Phase diagram of Er-Sn-Te system for diluted magnetic semiconductor developments
Elliott et al. The Au− Ge system (Gold-Germanium)
CN114310037B (zh) 一种NiCrFeCuZrHf钎料及其制备方法
Zeng et al. In situ X-ray diffraction study of melting in gold contacts to gallium arsenide
JPH11207487A (ja) 高温はんだ付用Ｚｎ合金
Latturner From ternary to quaternary rare earth carbide intermetallics: Trends in structural characteristics
JPS597773B2 (ja) チタン−ベリリウム基非晶質合金
JPH11172354A (ja) 高温はんだ付用Ｚｎ合金
Wang et al. Thermodynamic assessments of the Au-Nd and Au-Dy systems
Rahavan Fe-Ni-Sb (iron-nickel-antimony)
JPS5935419B2 (ja) 形状記憶合金