PL44159B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano dnia 15 lutego 1963"r.BirBLidt'ej Jll'-Jj ''J'.i^r1K-X;r^rtI **x'^y.. nro HOU POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 44159 KI, 21 g, 29/10 Przemy slowy Instytut Elektroniki*) Warszawa, Polska Sposób wytwarzania w urzadzeniach prózniowych, zwlaszcza w fotokomórkach, warstw pólprzewodnikowych stanowiacych zwiazki chemiczne Patent trwa od dnia 9 kwietnia 1960 r.Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwa¬ rzania warstw pólprzewodnikowych, stanowia¬ cych stopy lub zwiazki dwóch lub kiMcu skla¬ dników, w urzadzeniach prózniowych, zwlasz¬ cza w fotokomórkach, polegajacy na usuwaniu nadmiaru skladnika przez pochlanianie jego par za pomoca substancji pochlaniajacych.Znany dotychczas sposób wytwarzania warstw pólprzewodzacych w urzadzeniach prózniowych, na przyklad warstwy SbCs.j w fotokomórkach polega na naniesieniu cienkiej warstwy antymo¬ nu na wewnetrznej powierzchni urzadzenia, a nastepnie nasyceniu jej cezam, przy czyim dHa uzyskania zwiazku SbCs3 niezbedne jest do¬ kladne dozowanie cezu. Jednak ze wzgledu na znaczna akitywtnosc chemiczna tego pierwiastka (który pochlaniamy je~t przez szklo, armature *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze wspól¬ twórcami wynalazku sa AHeksamder Fryszmam, Konstanty Nesteruk i Irena Winaiwer. itp.), bezposrednie dozowanie ilosciowe nie daje dobrych wyników. Totez wykonuje sie je me* toda posrednia przez pomiar maksimum ^nate¬ zenia prajdu. emitowanego przez substajnoje fo- toczula, przy czym nadmiar cezu usuwa sie przez wygrzewanie lampy. Walda tego sposobu jeist mozliwosc nieprawf-" dlowego dozowania, wskutek nierównomiernego rozlozenia cezu na powierzchni warstwy, co powoduje wadliwe wskazania maksimum pradu. emisji, a ponadto w wiekszosci przypadków jest, zwiazane z koniecznoscia nagrzewania lampy, które stosuje sie w celu usuniecia nadmiaru cezu.Powyzsze wady usuwa sposób wytwarzania warstwy pólprzewodzacej wedlug wynalazku, dzieki temu, ze do urzadzenia prózniowego wprowadza sie niektóre skladniki, na przyklad* cez, sód lub potas w nadmiarze, w celu wytwo¬ rzenia zwiazku, nastepnie usiuwa sie ten nad1-miar przez pochlanianie pary skladnika przez substancje pochlaniajaca, na przyklad kizem.Sposób wytwarzania warstw pólprzewodniko¬ wych ; wedlug wynalazku wyjasnia rysunek, przedstawiajacy przykladowo fotokomórke, za¬ opatrzona w dodatkowe urzadzenie, sluzace ^o pochlaniania.Sposói? wytwa-rz^ia^ warstw pólprzewodaiiko- wyclt 'wedlug wynalazku opisano ponizej. W urzadzeniu prózniowym 1, na przyklad fotoko¬ mórce, naparowuje sie znanym sposobem war¬ stwie jednego ze skladników zwiazku, na przy¬ klad Sb, przy czym w koncowym etapie napa¬ rowywania wprowadza sie do urzadzenia sub¬ stancje reagujaca, na przyklad Cs w nadmiarze gwarantujacym wytworzenie zadanego zwiazku chemicznego, na przyklad StoGs3, lub stopu; na przyklad SbCs* — Na, a nastepnie usuwa sie nadmiar skladnika Cs w postaci gazowej przez pochlanianie. Substancja pochla¬ niajaca, na przyklad krzem, jest umieszczona wewnatrz urzadzenia prózniowego 1 w naczy¬ niu 3. Po wytworzeniu warstwy pólprzewodni¬ kowej uaktywnia sie ja przez ogrzewanie. Do tego celu moze Sluzyc na przyklad znajdujaca sie poza urzadzeniem prózniowym cewka 4, in- * dtikuiaca w naczyniu 3 prady wielkiej czesto¬ tliwosci. Po zaabsorbowaniu nadmiaru skladni¬ ka co mozna ustalic, na przyklad przez wyzna¬ czenie maksymalnego pradu fotoczulosci war¬ stwy póiprzewodzacej lub przez bezposredni pomiar cisnienia pary cezu lub innego metalu, znajdujacego sie w stanie wolnym, ogrzewanie wylacza sie i dalsze operacje wytwarzania ope¬ racji pólprzewodnikowej przeprowadza sie zna¬ nymi dotychczas sposobami. Naczynie 3 z sub¬ stancja pochlaniajaca moze byc pozostawione w urzadzeniu prózniowym, umozliwiajac po¬ chlanianie wytwarzajacych sie' gazów w czasie eksploatacji urzadzenia.Przyklad. W bance fotokomórki wytwarza sie iprótznie rzedu 10-1 Tr naparowujecie war¬ stwe Sb i wprowadza sie cez w postaci gazo¬ wej, otrzymany przez ogrzewanie chromianu cezu z tytanem, w nadmiarze dwukrotnym w stosunku do ilosci stechiometrycznej Cs w ziwiiazku SbOs3. Nastepnie wygrzewa sie banL ke w temperaturze od 120 do 130°C, w czasie 20-^30 min., w celu wytworzenia odpowiedniego cisnienia pary cezun wlacza sie ogrzewanie in¬ dukcyjne umieszczonego w bance naczynia, za- wieraljajcago pochlaniacz SL W czasie pochla¬ niania przeprowadza sie pomiar pradu fotoczu¬ losci otrzymanej warstwy pólprzewodnika i wy¬ lacza sie je wówczas, gdy prad fotoczulosci osiagnie wartosc maksymalna. Mozliwe jest równiez przeprowadzenie pochlaniania po od- topieniu banki ze stanowiska.Sposób wedlug wynalazku moze znalezc za¬ stosowanie równiez przy wytwarzaniu warstw metalowych oraz dielektrycznych w urzadze¬ niach prózniowych, a takze przy wytwarzaniu stopów lub zwiazków, które wykazuja trwalosc w prózni, natomiast w warunkach atmosferycz¬ nych sa nietrwale. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania w urzadzeniach próznio¬ wych, zwlaszcza w fotokomórkach, warstw pól¬ przewodnikowych stanowiacych zwiazki che¬ miczne, na przyklad SDCS3, znamienny tym, ze niektóre ze skladników tych zwiazków, na przy¬ klad cez, wprowadza sie w nadmiarze gwaran¬ tujacym wytworzenie zwiazku, na przyklad SbCs3 lub stopu, na przyklad SbCs3 — Na, a na¬ stepnie nadmiar cezu usuwa sie przez pochla¬ nianie pary skladnika przez substancje absor¬ bujaca, na przyklad krzem, przy czym naczynie (3), zawierajace te substancje, znajduje sie we¬ wnatrz urzadzenia prózniowego (1), a jej aktyw¬ nosc absorbcyjna wzbudza sie przez ogrzewanie naczynia (3), na przyklad za pomoca pradów wielkiej czestotliwosci. Przemyslowy Instytut Elektroniki Zastepca: inz. Zbigniew Kaminski rzecznik patentowyDo opisu patemtowego nr 44150 1 2886. RSW „Prasa", Kielce. PL