PL440375A1 - Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody - Google Patents

Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody

Info

Publication number
PL440375A1
PL440375A1 PL440375A PL44037522A PL440375A1 PL 440375 A1 PL440375 A1 PL 440375A1 PL 440375 A PL440375 A PL 440375A PL 44037522 A PL44037522 A PL 44037522A PL 440375 A1 PL440375 A1 PL 440375A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sup
quantum well
type
doped
barrier layer
Prior art date
Application number
PL440375A
Other languages
English (en)
Inventor
Mikołaj Żak
Henryk TURSKI
Mikołaj Chlipała
Krzesimir NOWAKOWSKI-SZKUDLAREK
Grzegorz Muzioł
Mateusz HAJDEL
Paweł Wolny
Czesław Skierbiszewski
Original Assignee
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk filed Critical Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL440375A priority Critical patent/PL440375A1/pl
Priority to PL22461577.3T priority patent/PL4228012T3/pl
Priority to EP22461577.3A priority patent/EP4228012B1/en
Publication of PL440375A1 publication Critical patent/PL440375A1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/8215—Bodies characterised by crystalline imperfections, e.g. dislocations; characterised by the distribution of dopants, e.g. delta-doping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/816—Bodies having carrier transport control structures, e.g. highly-doped semiconductor layers or current-blocking structures
    • H10H20/8162—Current-blocking structures

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Dioda zawiera warstwową strukturę epitaksjalną z azotków metali III grupy, naniesioną na podłoże krystaliczne (1). Strukturę tę tworzą, licząc od podłoża krystalicznego (1), co najmniej warstwa o przewodnictwie typu n (2), emitujący światło obszar aktywny (3, 4, 5, 6) oraz warstwa (8) o przewodnictwie typu p. Obszar aktywny (3, 4, 5, 6) tworzą, licząc od podłoża krystalicznego (1), dolna warstwa barierowa (3) domieszkowana na typ n, dolna część (4) studni kwantowej domieszkowana na typ n, górna część (5) studni kwantowej domieszkowana na typ p oraz górna warstwa barierowa (6) domieszkowana na typ p. Szerokość każdej części (4, 5) studni kwantowej mieści się w zakresie od 4 nm do 25 nm. Poziom domieszkowania każdej części (4, 5) studni kwantowej mieści się w zakresie od 1 x 10<sup>19</sup> cm<sup>-3</sup> do 2 x 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup>, zaś poziom domieszkowania warstwy barierowej (3, 6) wynosi nie więcej niż 25% poziomu domieszkowania części studni kwantowej (4, 5) przylegającej do tej warstwy barierowej (3, 6). Sposób polega na wytworzeniu na podłożu krystalicznym (1), z azotków metali III grupy w procesie wzrostu epitaksjalnego z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE), opisanej warstwowej struktury epitaksjalnej (2, 3, 4, 5, 6, 8).
PL440375A 2022-02-12 2022-02-12 Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody PL440375A1 (pl)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL440375A PL440375A1 (pl) 2022-02-12 2022-02-12 Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody
PL22461577.3T PL4228012T3 (pl) 2022-02-12 2022-06-23 Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody
EP22461577.3A EP4228012B1 (en) 2022-02-12 2022-06-23 Wavelength tunable light emitting diode and method of making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL440375A PL440375A1 (pl) 2022-02-12 2022-02-12 Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL440375A1 true PL440375A1 (pl) 2023-08-14

Family

ID=83006096

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL440375A PL440375A1 (pl) 2022-02-12 2022-02-12 Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody
PL22461577.3T PL4228012T3 (pl) 2022-02-12 2022-06-23 Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL22461577.3T PL4228012T3 (pl) 2022-02-12 2022-06-23 Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP4228012B1 (pl)
PL (2) PL440375A1 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117457821B (zh) * 2023-12-21 2024-03-08 江西兆驰半导体有限公司 Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4027609B2 (ja) * 2001-02-13 2007-12-26 独立行政法人科学技術振興機構 発光ダイオードの発光色制御方法
JP2010503228A (ja) * 2006-09-08 2010-01-28 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ 波長可変発光ダイオード
JP2018516466A (ja) 2015-06-05 2018-06-21 オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 多重活性層へのキャリア注入を選定した発光構造

Also Published As

Publication number Publication date
EP4228012A1 (en) 2023-08-16
EP4228012B1 (en) 2024-09-25
PL4228012T3 (pl) 2025-01-27
EP4228012C0 (en) 2024-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101466674B1 (ko) 방사선을 방출하는 반도체 몸체
CN101540364B (zh) 一种氮化物发光器件及其制备方法
JP3209096B2 (ja) ３族窒化物化合物半導体発光素子
KR101108803B1 (ko) 반도체 발광 소자
CN100365891C (zh) 半导体发光元件及其制造方法
CN108231965A (zh) 一种提高光输出的AlGaN基深紫外LED外延结构
JP2007201195A (ja) 窒化物半導体発光素子
EP2017900B1 (en) Light emitting diode with improved structure
CN109256444B (zh) 一种发光二极管的外延片及其制备方法
KR100380536B1 (ko) 터널접합 구조를 가지는 질화물반도체 발광소자
JP2019083221A (ja) 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
PL440375A1 (pl) Dioda elektroluminescencyjna o zmiennej barwie emisji i sposób wytwarzania takiej diody
CN101197405A (zh) Ⅲ-ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
JP2017135215A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法
KR20040042311A (ko) 반도체 엘이디 소자
CN107808912B (zh) 一种氮化物发光二极管及其制备方法
WO2024066412A1 (zh) 红外发光二极管及其制造方法
CN110047980A (zh) 一种紫外led外延结构及其制备方法
JP6380172B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法
CN114464709A (zh) 一种led外延片、外延生长方法及led芯片
KR20120013577A (ko) 다중양자우물 구조의 활성 영역을 갖는 발광 소자
PL438744A1 (pl) Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wytwarzania takiej diody
CN2596556Y (zh) 一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管
KR100743465B1 (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
CN112164740B (zh) 一种基于电子缓冲器的深紫外发光二极管及其制作方法