Formowanie wtórne kondensatorów elektro¬ litycznych nastepuje zwykle w odpowiednio do tego celu dostosowanej aparaturze, do której moze byc jednoczesnie dolaczone sto kondensa¬ torów. W takiej aparaturze dla ograniczenia doplywu pradu do kazdego kondensatora jest przewidziany opornik ograniczajacy rzedu oko- ,o 5 kQ. Dla kontroli uzyskiwanych kazdora¬ zowo wartosci pradu i napiecia moga byc za¬ instalowane odpowiednie przyrzady pomiarowe.Przebieg formowania wtórnego jest dlatego sterowany, ze napiecie jest na biezaco tak re¬ gulowane, aby przez kondensatory stale prze¬ plywal okreslony prad. Wielkosc pradu calko¬ witego jest wiec tak dlugo utrzymywana na tym samym poziomie, dopóki po okreslonym czasie zostanie osiagniete napiecie formujace.Od tej chwili napiecie to utrzymuje sie na sta- *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze twórca wynalazku jest Rolf Franke. lym poziomie, a prad calkowity zaczyna opa¬ dac w zaleznosci od tego, jak daleko jest za¬ awansowane formowanie wtórne poszczególnych kondensatorów. Formowanie wtórne jest jed¬ nak dopiero wtedy zakonczone, kiedy wszystkie kondensatory, poza uszkodzonymi, osiagna wzglednie przekrocza przepisany najnizszy prad resztkowy. Poniewaz regulowany jest tylko prad calkowity, wzglednie poniewaz po osia¬ gnieciu calkowitego napiecia formujacego pra¬ dy w poszczególnych kondensatorach sa róznej wielkosci (odpowiednio do kazdorazowych wla¬ sciwosci kondensatorów), czesc kondensatorów jest formowana za-malym natomiast czesc za- duzym pradem, przy czym te ostatnie zostana przeladowane. Takie przeladowane pradem kondensatory zostana najczesciej uszkodzone, poniewaz zostaly one nadmiernie przegrzane, przez co natezenie przeplywajacego pradu da¬ lej rosnie. Przeciwnie kondensatory, które sa formowane zamalym pradem, potrzebuja znacz-nie wiecej czasu do uformowania niz normal¬ nie, jest to potrzebne.Znany jest takze jeszcze inny sposób formo¬ wania wtórnego kondensatorów elektrolitycz¬ nych, który rózni sie tym od wymienionego, ze stosuje sie w nim przed poszczególnymi kondensatorami oporniki ograniczajace (okolo 100 kG).Oprócz tego w sposobie tym, na skutek wy¬ stepowania znaleznego spadku napiecia na opor-4 niku, do aparatury jest przylozone wyzsze na¬ piecie od wartosci zadanej na kondensatorze.Wysokosc tego napiecia dopasowuje sie we¬ dlug empirycznie ustalonej srednicy wartosci natezania pradu formowania koncowego, opor¬ nika ograniczajacego i napiecia zadanego na kondensatorach. Dla ograniczenia pradu miaro¬ dajna jest wielkosc opornika ograniczajacego, który jest kazdorazowo dopasowany do formo¬ wanych kondensatorów. To tak zwane „miek¬ kie" formowanie jest w przeciwienstwie do pierwotnie wymienionego o tyle korzystne, o ile wzajemne oddzialywanie na rozgalezienia pradu na skutek róznych wlasciwosci konden¬ satorów wypadnie dobrze. Osiaga sie przez to lepsze wyniki, a szczególnie jakosc przebiegu formowania, to znaczy przebieg formowania jest bardziej ciagly i zostanie wczesniej za¬ konczony. Oprócz tego odpad kondensatorów, których elektryczne i fizyczne wlasciwosci* pod¬ czas formowania wtórnego jeszcze nie calko¬ wicie odpowiadaja kazdorazowym wartosciom zadanym jest znacznie mniejszy.Poniewaz, jak juz wspomniano, napiecie na aparaturze do formowania zostalo nastawione na empirycznie ustalona srednia wartosc pra¬ du, powstaje niebezpieczenstwo, ze w konco¬ wym procesie formowania prad formowania czesci kondensatorów lub wszystkich konden¬ satorów spadnie ponizej sredniej wartosci, a kondensatory te wskutek znikomego spadku napiecia na oporniku zabezpieczajacym otrzy¬ maja za wysokie napiecie i powstaje niebez¬ pieczenstwo przebicia izolacji i odnosne kon¬ densatory zostana zniszczone.Przy pomocy sposobu wedlug wynalazku uni¬ ka sie nie tylko wymienionych wad sposobów znanych, lecz takze mozna oprócz tego osiagnac znaczne korzysci odnosnie wysokosci niedoboru pradu resztkowego, jak równiez czasu trwa¬ nia procesu formowania. Nowosc polega na tym, ze w obwodzie pradu formujacego, oprócz opornika zabezpieczajacego wlaczonego w zna¬ ny sposób przed kazdym kondensatorem, jest wlaczony wedlug wynalazku opornik pólprze¬ wodnikowy o ujemnym wspólczynniku tempe¬ raturowym. Osiaga sie przez to, ze przy obni¬ zajacym sie pradzie formowania nastepuje pod¬ wyzszenie opornosci, która przy prawidlowym wyborze tego zlozonego opornika (opornik za- zebpieczajacy plus opornik pólprzewodnikowy), wywoluje juz przy wahaniach pradu formuja¬ cego okolo wartosci srednicy, staly spadek na¬ piecia, tak ze praktycznie na kazdym konden¬ satorze ustala sie stale napiecie formujace. Dla rozpoczecia procesu formowania, jezeli (opor¬ nosc wewnetrzna formowanych kondensatorów jest jeszcze wzglednie mala, calkowite napie¬ cie az do okreslonej sumy na oporniku pól¬ przewodnikowym zmniejsza sie na oporniku za¬ bezpieczajacym. Z biegiem czasu formowanie wzrasta jednak opornosc wewnetrzna kazdego kondensatora, tak ze przy zadanym stalym na¬ pieciu wejsciowym prad zmniejsza sie w przy¬ blizeniu wedlug funkcji wykladniczej. Wzrasta przy tym napiecie formujace na kondensatorze az do wartosci zadanej. Napiecie to jest utrzy¬ mywane na zasadzie uprzednio opisanego zwie¬ kszenia opornosci opornika pólprzewodnikowe¬ go na stalej wartosci, tak, ze kondensatory sa chronione przed przeciazeniem napieciowym.Jest oczywistym, ze wartosc opornika ograni¬ czajacego musi przy tym byc tak okreslona, aby takze przy najwiekszym napieciu formu¬ jacym nie wystepowalo przeciazenie formuja¬ cych sie kondensatorów. Prad formujacy, który jak juz powyzej przytoczono zmniejsza sie w przyblizeniu wedlug funkcji wykladniczej i zbliza sie symptomatycznie do wartosci, która uzalezniona jest od najróznorodniejszych czyn¬ ników na przyklad uwarunkowanych przez fo¬ lie, elektrolit itd. Nawet przy nieskonczenie dlugim czasie formowania wartosc ta nie zo¬ stanie przekroczona. Formowanie wtórne moze byc zatem uznane za skonczone, skoro prad formujacy zblizy sie o kilka procent do war¬ tosci koncowej. Poniewaz chwila ta w sposobie formowania wedlug wynalazku wystepuje znacznie wczesniej niz w sposobach tradycyj¬ nych, osiaga sie wiec duza oszczednosc czasu przy formowaniu kondensatorów elektrolitycz¬ nych, która wynosi do 80°/d. Dalsza korzysc, która nowy sposób ze soba przynosi, jest ja¬ kosciowe polepszenie kondensatorów, które uwi¬ dacznia sie w lepszej stalosci w czasie pradu resztkowego, jak równiez w znikomej ilosci kondensatorów wadliwych, otrzymywanych ze wzgledu na prad resztkowy. Jest to tym uza¬ sadnione, ze przebieg procesu formowania w naj¬ gorszym razie ciagle jest w toku. iflfcc wy-kluczone jest szkodliwe wysokie obciazenie pradowe, lub takze tylko silny wzrost pradu wzglednie napiecia na kondensatorach powyzej dopuszczalnej wartosci.Aby aparature uczynic nadajaca sie do uni¬ wersalnego zastosowania, to znaczy, aby moz¬ na bylo formowac za pomoca jednej kombina¬ cji oporników kazdorazowo rózne typy kon¬ densatorów (rózne napiecia i pojemnosci), moz¬ na zaproponowac, aby na przyklad przy wy¬ sokich napieciach formujacych przylozone na¬ piecie bylo przylaczone stopniowo, np. w dwu lub wiecej stopniach w okreslonych odstepach czasu lub ewentualnie automatycznie. Dla wy¬ boru oporników pólprzewodnikowych jest mia¬ rodajne, aby podczas procesu formowania okre¬ slony zakres pradowy znajdowal sie w zakre¬ sie regulacji opornika pólprzewodnikowego.Jezeli prady formujace sa male, tak, ze znaj¬ duja sie ponizej zakresu regulacji opornika pólprzewodnikowego, wówczas wlasciwe ob¬ ciazenie moze byc stworzone przez równolegle przylaczenie opornika do formowanego kon¬ densatora. Aby nie przekroczyc zakresu regu¬ lacji opornika pólprzewodnikowego na skutek wahan temperatury, nalezy oczywiscie zatrosz¬ czyc sie o odpowiednie zlagodzenie wahan temperatury.Dalsze ulepszenie sposobu polega oprócz tego jeszcze na tym, ze w miejsce opornika ograni¬ czajacego, wlaczonego przed poszczególne kon¬ densatory, jest wlaczony równiez opornik za¬ lezny od temperatury, ale o ujemnym wspól¬ czynniku temperaturowym, na przyklad opor¬ nik z wody zelazis^j. Za pomoca tych srod¬ ków, przy wysokim napieciu formujacym, moz¬ na uniknac wspomnianego powyzej stopniowe¬ go przylaczenia napiecia. PL