PL428122A1 - Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej - Google Patents

Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej

Info

Publication number
PL428122A1
PL428122A1 PL428122A PL42812218A PL428122A1 PL 428122 A1 PL428122 A1 PL 428122A1 PL 428122 A PL428122 A PL 428122A PL 42812218 A PL42812218 A PL 42812218A PL 428122 A1 PL428122 A1 PL 428122A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
sccm
nitrogen
argon
emitting diode
Prior art date
Application number
PL428122A
Other languages
English (en)
Other versions
PL238827B1 (pl
Inventor
Katarzyna Tkacz-Śmiech
Katarzyna Dyndał
Jerzy Sanetra
Original Assignee
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie filed Critical Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
Priority to PL428122A priority Critical patent/PL238827B1/pl
Publication of PL428122A1 publication Critical patent/PL428122A1/pl
Publication of PL238827B1 publication Critical patent/PL238827B1/pl

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Sposób wytwarzania organicznej diody elektroluminescencyjnej, polega na tym, że na podłoże (1) transparentne dla światła widzialnego, korzystnie ze szkła borokrzemowego, z warstwą anody (2) z tlenku indowo - cynowego, których grubość wynosi 80 - 120 nm, nanosi się aktywną warstwę przewodzącą, którą stanowi amorficzna uwodorniona warstwa węglowa dotowana azotem (3), o grubości 20 - 100 nm, w której stosunek molowy N/C ? 0,2 i która jest wytwarzana w procesie chemicznego osadzania z fazy gazowej z użyciem plazmy o częstotliwości 13,56 MHz oraz niskiej mocy generatora plazmy w zakresie 3 - 15 W. Proces prowadzony jest bez grzania, w czasie do 45 minut, w środowisku metanu i azotu oraz obecności argonu jako gazu nośnego, przy następujących prędkościach przepływu gazowych reagentów: metanu 5 - 15 sccm, azotu 80 - 100 sccm oraz argonu 70 - 100 sccm, przy ciśnieniu gazów w reaktorze 0,2 - 1 Tr. Na amorficzną uwodornioną warstwę węglową dotowaną azotem (3) naparowuje się następnie zewnętrzną warstwę, katodę (4) z aluminium, z prędkością 5 - 15 nm/min, w próżni 10-6 Tr, a grubość tej warstwy wynosi 100 - 200 nm.
PL428122A 2018-12-11 2018-12-11 Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej PL238827B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL428122A PL238827B1 (pl) 2018-12-11 2018-12-11 Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL428122A PL238827B1 (pl) 2018-12-11 2018-12-11 Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL428122A1 true PL428122A1 (pl) 2020-06-15
PL238827B1 PL238827B1 (pl) 2021-10-11

Family

ID=71086989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL428122A PL238827B1 (pl) 2018-12-11 2018-12-11 Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL238827B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL238827B1 (pl) 2021-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101512728B (zh) 增加封装膜透光度的方法
CN102828164B (zh) 包埋层水阻障性的改进
TW200704818A (en) Process for forming zinc oxide film
CN104532206A (zh) 一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法
CN104115300A (zh) 沉积包封膜的方法
MY148287A (en) Method of making a low-resistivity, doped zinc oxide coated glass article and the coated glass article made thereby
CN104746137B (zh) 一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法
ATE374168T1 (de) Verfahren zur abscheidung von galliumoxidbeschichtungen auf flachglas
MY170051A (en) Method for depositing layers on a glass substrate by means of low-pressure pecvd
CN103466609A (zh) 一种双层石墨烯薄膜的制备方法
CN102330075A (zh) 一种ZnO基透明导电薄膜的制备方法
CN105967174A (zh) 一种在蓝宝石衬底上生长石墨烯的方法
CN105190932A (zh) 用于薄膜封装的n2o稀释工艺对阻挡膜性能的改进
RU2012103843A (ru) Подложка органического светоизлучающего диода, состоящая из прозрачного проводящего оксида (тсо) и антирадужного промежуточного слоя
CN101705475A (zh) 在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法
CN1944308B (zh) 一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法
CN103633196A (zh) 一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法
PL428122A1 (pl) Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej
CN104752629A (zh) 铌锌酸盐发光薄膜及其制备方法和应用
CN102157636B (zh) 一种增强硅基薄膜电致发光的方法
CN108468036B (zh) 一种超柔半透明导电薄膜的制备方法
CN102002683A (zh) 一种含氢类金刚石膜的制备方法
PL428123A1 (pl) Sposób wytwarzania organicznej diody elektroluminescencyjnej o zwiększonej odporności na działanie czynników atmosferycznych
WO2010087973A3 (en) Method of depositing an electrically conductive titanium oxide coating on a substrate
CN104269355A (zh) 处理氧化硅的方法,薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管