PL428122A1 - Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej - Google Patents
Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnejInfo
- Publication number
- PL428122A1 PL428122A1 PL428122A PL42812218A PL428122A1 PL 428122 A1 PL428122 A1 PL 428122A1 PL 428122 A PL428122 A PL 428122A PL 42812218 A PL42812218 A PL 42812218A PL 428122 A1 PL428122 A1 PL 428122A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- sccm
- nitrogen
- argon
- emitting diode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Sposób wytwarzania organicznej diody elektroluminescencyjnej, polega na tym, że na podłoże (1) transparentne dla światła widzialnego, korzystnie ze szkła borokrzemowego, z warstwą anody (2) z tlenku indowo - cynowego, których grubość wynosi 80 - 120 nm, nanosi się aktywną warstwę przewodzącą, którą stanowi amorficzna uwodorniona warstwa węglowa dotowana azotem (3), o grubości 20 - 100 nm, w której stosunek molowy N/C ? 0,2 i która jest wytwarzana w procesie chemicznego osadzania z fazy gazowej z użyciem plazmy o częstotliwości 13,56 MHz oraz niskiej mocy generatora plazmy w zakresie 3 - 15 W. Proces prowadzony jest bez grzania, w czasie do 45 minut, w środowisku metanu i azotu oraz obecności argonu jako gazu nośnego, przy następujących prędkościach przepływu gazowych reagentów: metanu 5 - 15 sccm, azotu 80 - 100 sccm oraz argonu 70 - 100 sccm, przy ciśnieniu gazów w reaktorze 0,2 - 1 Tr. Na amorficzną uwodornioną warstwę węglową dotowaną azotem (3) naparowuje się następnie zewnętrzną warstwę, katodę (4) z aluminium, z prędkością 5 - 15 nm/min, w próżni 10-6 Tr, a grubość tej warstwy wynosi 100 - 200 nm.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL428122A PL238827B1 (pl) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL428122A PL238827B1 (pl) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL428122A1 true PL428122A1 (pl) | 2020-06-15 |
PL238827B1 PL238827B1 (pl) | 2021-10-11 |
Family
ID=71086989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL428122A PL238827B1 (pl) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
PL (1) | PL238827B1 (pl) |
-
2018
- 2018-12-11 PL PL428122A patent/PL238827B1/pl unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PL238827B1 (pl) | 2021-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101512728B (zh) | 增加封装膜透光度的方法 | |
CN102828164B (zh) | 包埋层水阻障性的改进 | |
TW200704818A (en) | Process for forming zinc oxide film | |
CN104532206A (zh) | 一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法 | |
CN104115300A (zh) | 沉积包封膜的方法 | |
MY148287A (en) | Method of making a low-resistivity, doped zinc oxide coated glass article and the coated glass article made thereby | |
CN104746137B (zh) | 一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法 | |
ATE374168T1 (de) | Verfahren zur abscheidung von galliumoxidbeschichtungen auf flachglas | |
MY170051A (en) | Method for depositing layers on a glass substrate by means of low-pressure pecvd | |
CN103466609A (zh) | 一种双层石墨烯薄膜的制备方法 | |
CN102330075A (zh) | 一种ZnO基透明导电薄膜的制备方法 | |
CN105967174A (zh) | 一种在蓝宝石衬底上生长石墨烯的方法 | |
CN105190932A (zh) | 用于薄膜封装的n2o稀释工艺对阻挡膜性能的改进 | |
RU2012103843A (ru) | Подложка органического светоизлучающего диода, состоящая из прозрачного проводящего оксида (тсо) и антирадужного промежуточного слоя | |
CN101705475A (zh) | 在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法 | |
CN1944308B (zh) | 一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法 | |
CN103633196A (zh) | 一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法 | |
PL428122A1 (pl) | Sposób wytwarzania diody elektroluminescencyjnej | |
CN104752629A (zh) | 铌锌酸盐发光薄膜及其制备方法和应用 | |
CN102157636B (zh) | 一种增强硅基薄膜电致发光的方法 | |
CN108468036B (zh) | 一种超柔半透明导电薄膜的制备方法 | |
CN102002683A (zh) | 一种含氢类金刚石膜的制备方法 | |
PL428123A1 (pl) | Sposób wytwarzania organicznej diody elektroluminescencyjnej o zwiększonej odporności na działanie czynników atmosferycznych | |
WO2010087973A3 (en) | Method of depositing an electrically conductive titanium oxide coating on a substrate | |
CN104269355A (zh) | 处理氧化硅的方法,薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管 |